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2. 发明专利

TW539671B 甲金屬錯合物失效
简体标题：甲金属错合物
公开(公告)号：TW539671B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW089110984
申请日：2000-06-05
申请人：林原生物化學研究所股份有限公司
发明人：矢野賢太郎 , 折田勝美 , 河田敏雄 , 安井茂男
IPC分类号： C07D , C09B , G11B
CPC分类号： C07D213/77 , C07D213/86 , C07D213/87 , C07D401/14 , C07D405/12 , C07D417/14 , C09B50/00 , C09B50/04 , C09B67/0033 , G11B7/244 , G11B7/249 , Y10T428/21
摘要：本發明係提供使用於有機色素化合物，在實質上不損及所期望之光特性下，可改善耐光性，且對有機溶劑之溶解性與對色素之相容性均優越之有機化合物。藉由分別提供以特定之甲化合物作為配位體之甲金屬錯合物及其製造方法、包括該金屬錯合物而成之耐光性改善劑、光紀錄介質及光吸收劑以及作為製造此種金屬錯合物之中間體的甲化合物即可解決。
简体摘要：本发明系提供使用于有机色素化合物，在实质上不损及所期望之光特性下，可改善耐光性，且对有机溶剂之溶解性与对色素之兼容性均优越之有机化合物。借由分别提供以特定之甲化合物作为配位体之甲金属错合物及其制造方法、包括该金属错合物而成之耐光性改善剂、光纪录介质及光吸收剂以及作为制造此种金属错合物之中间体的甲化合物即可解决。

3. 发明专利

TW558842B 太陽電池失效
简体标题：太阳电池
公开(公告)号：TW558842B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW090132352
申请日：2001-12-26
申请人：林原生物化學研究所股份有限公司
发明人：松井文雄 , 小山俊樹 , 谷口彬雄 , 見手倉裕文 , 矢野賢太郎 , 大高秀夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G9/2004 , H01G9/2031 , H01G9/2072 , H01G9/2081 , H01L51/0086 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：以提供工業上加工合適性優越的低成本且可容易製造的太陽電池及其用途為課題，藉由確立於一對的基板上各自配置經予絕緣區分於至少二個分劃區之透明導電膜層分劃區，於位於相同基板上的至少一分劃區之透明導電膜層分劃區上部分的層合配置半導體層，已配置於另一基板上之相同的透明導電膜層分劃區上之透明導電膜層及半導體層，與位於已配置於此另一半導體層位置的基板上之前述透明導電膜層分劃區不同的其他透明導電膜層分劃區上之透明導電膜層各自對向的配置而成之太陽電池及其用途，可解決前述課題。
简体摘要：以提供工业上加工合适性优越的低成本且可容易制造的太阳电池及其用途为课题，借由确立于一对的基板上各自配置经予绝缘区分于至少二个分划区之透明导电膜层分划区，于位于相同基板上的至少一分划区之透明导电膜层分划区上部分的层合配置半导体层，已配置于另一基板上之相同的透明导电膜层分划区上之透明导电膜层及半导体层，与位于已配置于此另一半导体层位置的基板上之前述透明导电膜层分划区不同的其他透明导电膜层分划区上之透明导电膜层各自对向的配置而成之太阳电池及其用途，可解决前述课题。

4. 发明专利

TW546847B 半導體層,使用此半導體層之太陽電池及此等之製造方法失效
简体标题：半导体层,使用此半导体层之太阳电池及此等之制造方法
公开(公告)号：TW546847B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090107541
申请日：2001-03-29
申请人：林原生物化學研究所股份有限公司
发明人：松井文雄 , 見手倉裕文 , 矢野賢太郎 , 小山俊樹 , 谷口彬雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01M14/005 , H01G9/2031 , H01L51/0064 , H01M10/465 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要：本發明為以提供用以取得光能量轉換效率高之太陽電池的半導體層，使用此半導體層之太陽電池，及此等之製造方法以及用途為其課題，經由確立太陽電池中所用之半導體層，於粒度分佈具有複數波峰之半導體粒子群所構成之半導體層，使用此半導體層之太陽電池，及此等之製造方法與用途，則可解決前述課題。
简体摘要：本发明为以提供用以取得光能量转换效率高之太阳电池的半导体层，使用此半导体层之太阳电池，及此等之制造方法以及用途为其课题，经由确立太阳电池中所用之半导体层，于粒度分布具有复数波峰之半导体粒子群所构成之半导体层，使用此半导体层之太阳电池，及此等之制造方法与用途，则可解决前述课题。

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