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1. 发明专利

TWI645410B 儲存裝置、儲存系統及用於操作儲存裝置之方法有权
简体标题：存储设备、存储系统及用于操作存储设备之方法
公开(公告)号：TWI645410B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106132429
申请日：2013-02-23
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , H01L27/115

2. 发明专利

TW201812779A 半導體儲存裝置、其控制器及進行其中之資料運算之方法审中-公开
简体标题：半导体存储设备、其控制器及进行其中之数据运算之方法
公开(公告)号：TW201812779A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106132429
申请日：2013-02-23
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , H01L27/115
CPC分类号： G06F3/0614 , G06F3/0631 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0665 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/152 , G06F2212/214 , G06F2212/7202 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3418 , G11C2213/71
摘要：本發明揭示一種半導體儲存裝置，其包含記憶體胞、選擇電晶體、記憶體串、第一及第二區塊、字線及選擇閘極線。在記憶體串中，複數個記憶體胞之電流路徑串聯連接。當將資料寫入至一第一區塊中時，在選擇連接至該第一區塊中之該等記憶體串之一者之一選擇電晶體之閘極之一選擇閘極線之後，將該資料依序寫入至連接至該選定選擇閘極線之該記憶體串中之記憶體胞中。當將資料寫入至該第二區塊中時，在選擇連接至該第二區塊中之不同記憶體串之記憶體胞之控制閘極之一字線之後，將該資料依序寫入至使其等之控制閘極連接至該選定字線之該第二區塊中之該等不同記憶體串之記憶體胞中。
简体摘要：本发明揭示一种半导体存储设备，其包含内存胞、选择晶体管、内存串、第一及第二区块、字线及选择闸极线。在内存串中，复数个内存胞之电流路径串联连接。当将数据写入至一第一区块中时，在选择连接至该第一区块中之该等内存串之一者之一选择晶体管之闸极之一选择闸极线之后，将该数据依序写入至连接至该选定选择闸极线之该内存串中之内存胞中。当将数据写入至该第二区块中时，在选择连接至该第二区块中之不同内存串之内存胞之控制闸极之一字线之后，将该数据依序写入至使其等之控制闸极连接至该选定字线之该第二区块中之该等不同内存串之内存胞中。

3. 发明专利

TW201843996A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201843996A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107108659
申请日：2013-06-26
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： H04N13/00 , G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/14
摘要：本發明提供一種可提高動作速度之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置1包括周邊電路13、記憶胞陣列10、上部位元線BLU、及第1、第2連接部RCU1、RCU2。記憶胞陣列10設於周邊電路13上，且包含第1區域R1及第2區域R2。上部位元線BLU沿著第1方向D1而設於記憶胞陣列10上。第1、第2連接部RCU1、RCU2分別包含沿著正交於第1方向D1之第2方向D2而排列之接觸插塞CP1，且任一者均設於第1、第2區域R1、R2之間。上部位元線BLU包括：第1上部位元線(奇數位元線)，其經由第1連接部RCU1而連接於周邊電路13；及第2上部位元線(偶數位元線)，其經由第2連接部RCU2而連接於周邊電路13。
简体摘要：本发明提供一种可提高动作速度之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备1包括周边电路13、记忆胞数组10、上部比特线BLU、及第1、第2连接部RCU1、RCU2。记忆胞数组10设于周边电路13上，且包含第1区域R1及第2区域R2。上部比特线BLU沿着第1方向D1而设于记忆胞数组10上。第1、第2连接部RCU1、RCU2分别包含沿着正交于第1方向D1之第2方向D2而排列之接触插塞CP1，且任一者均设于第1、第2区域R1、R2之间。上部比特线BLU包括：第1上部比特线(奇数码元线)，其经由第1连接部RCU1而连接于周边电路13；及第2上部比特线(偶数码元线)，其经由第2连接部RCU2而连接于周边电路13。

4. 发明专利

TWI610304B 半導體儲存裝置、其控制器及進行其中之資料運算之方法有权
简体标题：半导体存储设备、其控制器及进行其中之数据运算之方法
公开(公告)号：TWI610304B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104144345
申请日：2013-02-23
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA, HIROSHI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , H01L27/115
CPC分类号： G06F3/0614 , G06F3/0631 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0665 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/152 , G06F2212/214 , G06F2212/7202 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3418 , G11C2213/71

5. 发明专利

TWI692966B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI692966B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108106591
申请日：2013-06-26
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA, HIROSHI
IPC分类号： H04N13/00 , G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/14

6. 发明专利

TW201921361A 儲存裝置、儲存系統及用於操作儲存裝置之方法审中-公开
简体标题：存储设备、存储系统及用于操作存储设备之方法
公开(公告)号：TW201921361A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132673
申请日：2013-02-23
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , H01L27/115
摘要：本發明揭示一種半導體儲存裝置，其包含記憶體胞、選擇電晶體、記憶體串、第一及第二區塊、字線及選擇閘極線。在記憶體串中，複數個記憶體胞之電流路徑串聯連接。當將資料寫入至一第一區塊中時，在選擇連接至該第一區塊中之該等記憶體串之一者之一選擇電晶體之閘極之一選擇閘極線之後，將該資料依序寫入至連接至該選定選擇閘極線之該記憶體串中之記憶體胞中。當將資料寫入至該第二區塊中時，在選擇連接至該第二區塊中之不同記憶體串之記憶體胞之控制閘極之一字線之後，將該資料依序寫入至使其等之控制閘極連接至該選定字線之該第二區塊中之該等不同記憶體串之記憶體胞中。
简体摘要：本发明揭示一种半导体存储设备，其包含内存胞、选择晶体管、内存串、第一及第二区块、字线及选择闸极线。在内存串中，复数个内存胞之电流路径串联连接。当将数据写入至一第一区块中时，在选择连接至该第一区块中之该等内存串之一者之一选择晶体管之闸极之一选择闸极线之后，将该数据依序写入至连接至该选定选择闸极线之该内存串中之内存胞中。当将数据写入至该第二区块中时，在选择连接至该第二区块中之不同内存串之内存胞之控制闸极之一字线之后，将该数据依序写入至使其等之控制闸极连接至该选定字线之该第二区块中之该等不同内存串之内存胞中。

7. 发明专利

TWI627853B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI627853B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW106103749
申请日：2013-06-26
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前島洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： H04N15/00 , G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/14

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