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2. 发明专利

TW201145417A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201145417A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100108174
申请日：2011-03-10
申请人：東芝股份有限公司 , 京瓷化學股份有限公司
发明人：種泰雄 , 片村幸雄 , 芳村淳 , 岩見文宏 , 櫻井一慶
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/2742 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/279 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83908 , H01L2224/85205 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要：本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法包括以下步驟:晶粒黏合步驟,其經由設置於半導體元件之一面上之接合層,將上述半導體元件接合於基材之特定位置;黏合步驟,其藉由黏合線而連接形成於上述半導體元件上之端子與形成於上述基材上之端子;及密封步驟,其密封上述半導體元件與上述黏合線。並且,對上述黏合步驟中之上述接合層之黏度進行控制,以使其不超過上述密封步驟中之上述接合層之黏度。
简体摘要：本发明之实施形态之半导体设备之制造方法包括以下步骤:晶粒黏合步骤,其经由设置于半导体组件之一面上之接合层,将上述半导体组件接合于基材之特定位置;黏合步骤,其借由黏合线而连接形成于上述半导体组件上之端子与形成于上述基材上之端子;及密封步骤,其密封上述半导体组件与上述黏合线。并且,对上述黏合步骤中之上述接合层之黏度进行控制,以使其不超过上述密封步骤中之上述接合层之黏度。

4. 发明专利

TWI462167B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI462167B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100131341
申请日：2011-08-31
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：芳村淳 , YOSHIMURA, ATSUSHI , 岩見文宏 , IWAMI, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/10158 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI494980B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI494980B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100108170
申请日：2011-03-10
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：片村幸雄 , KATAMURA, YUKIO , 種泰雄 , TANE, YASUO , 芳村淳 , YOSHIMURA, ATSUSHI , 岩見文宏 , IWAMI, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/181 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI450343B 製造半導體元件之方法及半導體製造裝置有权
简体标题：制造半导体组件之方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TWI450343B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100107442
申请日：2011-03-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：片村幸雄 , KATAMURA, YUKIO , 種泰雄 , TANE, YASUO , 芳村淳 , YOSHIMURA, ATSUSHI , 岩見文宏 , IWAMI, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/67109 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27848 , H01L2224/27901 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/743 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , Y10T156/10 , H01L2224/27 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201234447A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201234447A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100131341
申请日：2011-08-31
申请人：東芝股份有限公司
发明人：芳村淳 , 岩見文宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/10158 , H01L2924/00
摘要：於本發明之一實施形態中,對以貼附於第1面上之表面保護膜維持晶圓形狀之半導體晶圓塗佈液狀接著劑而形成接著劑層。於半導體晶圓之第2面上貼附包含黏著層之支撐片材。於剝離表面保護膜後,拉伸支撐片材而割斷包含填充至切割槽內之接著劑之接著劑層。一面維持支撐片材之拉伸狀態一面進行清洗。使黏著層之與切割槽對應之部分之黏著力於清洗前選擇性地降低。
简体摘要：于本发明之一实施形态中,对以贴附于第1面上之表面保护膜维持晶圆形状之半导体晶圆涂布液状接着剂而形成接着剂层。于半导体晶圆之第2面上贴附包含黏着层之支撑片材。于剥离表面保护膜后,拉伸支撑片材而割断包含填充至切割槽内之接着剂之接着剂层。一面维持支撑片材之拉伸状态一面进行清洗。使黏着层之与切割槽对应之部分之黏着力于清洗前选择性地降低。

8. 发明专利

TW201225189A 半導體裝置之製造方法、製造程式及製造裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING PROGRAM, AND MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、制造进程及制造设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING PROGRAM, AND MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201225189A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100130957
申请日：2011-08-29
申请人：東芝股份有限公司
发明人：種泰雄 , 片村幸雄 , 芳村淳 , 岩見文宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/27312 , H01L2224/27848 , H01L2224/27901 , H01L2224/29016 , H01L2224/29017 , H01L2224/29018 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32059 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/33183 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：根據實施形態,半導體裝置之製造方法係於半導體晶圓之晶片區域之第1面形成接著層。沿著切割區域將半導體晶片單片化,經由接著層將半導體晶片積層成階梯狀。接著層之形成中,在第1面中積層之狀態下不與其他半導體晶片接觸之第1區域之至少一部分,設置比與其他半導體晶片接觸之第2區域接著層較厚形成之凸部。
简体摘要：根据实施形态,半导体设备之制造方法系于半导体晶圆之芯片区域之第1面形成接着层。沿着切割区域将半导体芯片单片化,经由接着层将半导体芯片积层成阶梯状。接着层之形成中,在第1面中积层之状态下不与其他半导体芯片接触之第1区域之至少一部分,设置比与其他半导体芯片接触之第2区域接着层较厚形成之凸部。

9. 发明专利

TW201225166A 半導體裝置之製造方法及製造程式审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及制造进程
公开(公告)号：TW201225166A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100108170
申请日：2011-03-10
申请人：東芝股份有限公司
发明人：片村幸雄 , 種泰雄 , 芳村淳 , 岩見文宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可抑制所塗佈之接著劑之凹痕發生的半導體裝置之製造方法。半導體裝置之製造方法係,於半導體晶圓1之切割區域中形成槽4,該半導體晶圓1之切割區域的第1面1a上,隔著切割區域而形成有俯視時大致呈方形形狀之複數個晶片區域2。又,將接著劑塗佈於晶片區域之第1面的相反側之第2面。該塗佈步驟中,於俯視時之晶片區域之至少一個角部2a,接著劑自俯視時成為與切割區域之邊界的邊2b溢出至槽中。
简体摘要：本发明提供一种可抑制所涂布之接着剂之凹痕发生的半导体设备之制造方法。半导体设备之制造方法系,于半导体晶圆1之切割区域中形成槽4,该半导体晶圆1之切割区域的第1面1a上,隔着切割区域而形成有俯视时大致呈方形形状之复数个芯片区域2。又,将接着剂涂布于芯片区域之第1面的相反侧之第2面。该涂布步骤中,于俯视时之芯片区域之至少一个角部2a,接着剂自俯视时成为与切割区域之边界的边2b溢出至槽中。

10. 发明专利

TW201203336A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201203336A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100106729
申请日：2011-03-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：芳村淳 , 種泰雄 , 片村幸雄 , 岩見文宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要： [解決手段]關於實施形態之半導體裝置的製造方法，係具備：從形成有晶圓的電路圖案之面側，形成比晶圓的厚度還淺之深度之溝的工程；於形成有前述晶圓的電路圖案之面側，隔著包含設置於表面保護膠帶之第1活性能量線硬化性樹脂的第1接合層，貼附前述表面保護膠帶的工程；利用研磨加工與形成有前述晶圓的電路圖案之面對向之側之面，將前述晶圓分割成複數半導體元件的工程；利用使接合劑附著於前述被分割之複數半導體元件，並使前述附著之接合劑成為B階段狀態，來形成元件接合層的工程；於與形成前述元件接合層之複數半導體元件的電路圖案被形成之面對向之側，隔著包含設置於切割膠帶之第2活性能量線硬化性樹脂的第2接合層，貼附前述切割膠帶的工程；朝前述第1接合層，照射第1活性能量線的工程；剝離前述表面保護膠帶的工程；及朝前述第2接合層，照射具有與前述第1活性能量線不同之波長的第2活性能量線的工程。
简体摘要： [解决手段]关于实施形态之半导体设备的制造方法，系具备：从形成有晶圆的电路图案之面侧，形成比晶圆的厚度还浅之深度之沟的工程；于形成有前述晶圆的电路图案之面侧，隔着包含设置于表面保护胶带之第1活性能量线硬化性树脂的第1接合层，贴附前述表面保护胶带的工程；利用研磨加工与形成有前述晶圆的电路图案之面对向之侧之面，将前述晶圆分割成复数半导体组件的工程；利用使接合剂附着于前述被分割之复数半导体组件，并使前述附着之接合剂成为B阶段状态，来形成组件接合层的工程；于与形成前述组件接合层之复数半导体组件的电路图案被形成之面对向之侧，隔着包含设置于切割胶带之第2活性能量线硬化性树脂的第2接合层，贴附前述切割胶带的工程；朝前述第1接合层，照射第1活性能量线的工程；剥离前述表面保护胶带的工程；及朝前述第2接合层，照射具有与前述第1活性能量线不同之波长的第2活性能量线的工程。

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