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1. 发明专利

TW418436B 晶圓轉載裝置有权
简体标题：晶圆转载设备
公开(公告)号：TW418436B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW088114000
申请日：1999-08-17
申请人：琳得科股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人： 本正樹 , 小林賢治 , 沼田英夫 , 德圭介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/68 , H01L2221/6839 , Y10S414/137 , Y10S414/141 , Y10T156/1705 , Y10T156/1983
摘要：一種藉由一轉載膠帶而將晶圓黏附至一環狀架之晶圓轉載裝置，其中該晶圓係切割成複數個小晶片，且在其表面上係黏附有一保護膠帶，該裝置包含:一定位單元，其係可以將黏附有保護膠帶之晶圓放置在一定位平台上，且其可以在縱向、橫向及轉動方向上調整晶圓之定位，使得晶圓可以定位在一參考位置上;一轉載膠帶安裝單元，其可以將黏附有保護膠帶且已經藉由定位單元而定位在參考位置上之晶圓，置放在一轉載膠帶安裝平台上，且其可以將一轉載膠帶同時黏附在配置於晶圓周圓之環狀架以及晶圓之背面上，使得晶圓及環狀架可以彼此黏附且整合為一體;以及一保護膠帶剝離單元，其係可以將該藉由轉載膠帶安裝單元而在背面黏附有轉載膠帶且已經與環狀架整合為一體之晶圓，置放在一保護膠帶剝離平台上，且其可以將剝離膠帶之一端黏附至該已黏附至晶圓表面之保護膠帶的一端，且可以拉動該剝離膠帶，使得保護膠帶可以由晶圓表面上剝離下來。此裝置係可以防止由於薄晶圓之載運所造成之破裂、藉由載具等器具而在裝置之間載運所造成之晶圓之毀損及破裂、以及由於將晶圓由載具內部取出所造成之破裂。
简体摘要：一种借由一转载胶带而将晶圆黏附至一环状架之晶圆转载设备，其中该晶圆系切割成复数个小芯片，且在其表面上系黏附有一保护胶带，该设备包含:一定位单元，其系可以将黏附有保护胶带之晶圆放置在一定位平台上，且其可以在纵向、横向及转动方向上调整晶圆之定位，使得晶圆可以定位在一参考位置上;一转载胶带安装单元，其可以将黏附有保护胶带且已经借由定位单元而定位在参考位置上之晶圆，置放在一转载胶带安装平台上，且其可以将一转载胶带同时黏附在配置于晶圆周圆之环状架以及晶圆之背面上，使得晶圆及环状架可以彼此黏附且集成为一体;以及一保护胶带剥离单元，其系可以将该借由转载胶带安装单元而在背面黏附有转载胶带且已经与环状架集成为一体之晶圆，置放在一保护胶带剥离平台上，且其可以将剥离胶带之一端黏附至该已黏附至晶圆表面之保护胶带的一端，且可以拉动该剥离胶带，使得保护胶带可以由晶圆表面上剥离下来。此设备系可以防止由于薄晶圆之载运所造成之破裂、借由载具等器具而在设备之间载运所造成之晶圆之毁损及破裂、以及由于将晶圆由载具内部取出所造成之破裂。

2. 发明专利

TW201241964A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201241964A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101105357
申请日：2012-02-17
申请人：東芝股份有限公司
发明人：本鄉悟史 , 谷田一真 , 堀哲浩 , 高橋健司 , 沼田英夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
摘要：本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法包括以下步驟:於第1基板之主表面上形成包含光電二極體之作為活性區域之光電二極體層;於上述光電二極體層上形成包含配線及覆蓋其之絕緣層之配線層;及於上述配線層上形成絕緣膜。上述實施形態之半導體裝置之製造方法進而包括以上述光電二極體層之結晶方位與第2基板之結晶方位一致之方式將上述第2基板接合於上述第1基板之上述絕緣膜的步驟。
简体摘要：本发明之实施形态之半导体设备之制造方法包括以下步骤:于第1基板之主表面上形成包含光电二极管之作为活性区域之光电二极管层;于上述光电二极管层上形成包含配线及覆盖其之绝缘层之配线层;及于上述配线层上形成绝缘膜。上述实施形态之半导体设备之制造方法进而包括以上述光电二极管层之结晶方位与第2基板之结晶方位一致之方式将上述第2基板接合于上述第1基板之上述绝缘膜的步骤。

3. 发明专利

TW201210008A 半導體裝置之製造方法、半導體裝置及照相機模組审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、半导体设备及照相机模块
公开(公告)号：TW201210008A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100119277
申请日：2011-06-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：白野貴士 , 松尾美惠 , 沼田英夫 , 谷田一真 , 松村剛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464
摘要：根據實施形態,本發明之半導體裝置之製造方法係包含:研削半導體基板之周緣部之研削步驟;及於包含藉由研削步驟而露出之表面之半導體基板之表面上,形成作為絕緣膜之保護膜之保護膜形成步驟。
简体摘要：根据实施形态,本发明之半导体设备之制造方法系包含:研削半导体基板之周缘部之研削步骤;及于包含借由研削步骤而露出之表面之半导体基板之表面上,形成作为绝缘膜之保护膜之保护膜形成步骤。

4. 发明专利

TWI508151B 半導體製造裝置及半導體基板接合方法失效
简体标题：半导体制造设备及半导体基板接合方法
公开(公告)号：TWI508151B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101101124
申请日：2012-01-11
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：谷田一真 , TANIDA, KAZUMASA , 本鄉悟史 , HONGO, SATOSHI , 山口直子 , YAMAGUCHI, NAOKO , 高橋健司 , TAKAHASHI, KENJI , 沼田英夫 , NUMATA, HIDEO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/67092 , H01L21/6838 , H01L27/1464

5. 发明专利

TWI470683B 半導體製造裝置及半導體製造方法失效
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TWI470683B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100106725
申请日：2011-03-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：谷田一真 , TANIDA, KAZUMASA , 山口直子 , YAMAGUCHI, NAOKO , 本鄉悟史 , HONGO, SATOSHI , 田窪知章 , TAKUBO, CHIAKI , 沼田英夫 , NUMATA, HIDEO
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B23P19/00 , Y10T29/5313 , Y10T156/10 , Y10T156/1744

6. 发明专利

TW502342B 晶片摘取裝置以及半導體裝置的製造方法失效
简体标题：芯片摘取设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW502342B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090118770
申请日：2001-08-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：中澤孝仁 , 黑澤哲也 , 沼田英夫 , 田久真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67276 , H01L21/67132 , H01L2221/68318
摘要：一種摘取裝置，係具備有壘起機構，搬運機構及控制器。上述壘起機構，係被構成由粘接膠帶中之粘接面的背面側，越過粘接膠帶以銷將各自之晶片推壓成壘起，並將晶片由粘接膠帶剝離。而上述搬運機構，係藉由上述壘起機構將晶片剝離時，以筒夾用以吸著晶片，使晶片由粘接膠帶被剝離為止用以維持吸著狀態，之後使筒夾上昇用以摘取晶片，並進行搬運到下次製程。上述控制器，係被構成藉由壘起機構之銷用以控制晶片之壘起動作，並用以控制上述銷之上昇時間及下降時間，由上昇變化到下降時使預定之時間滯留。
简体摘要：一种摘取设备，系具备有垒起机构，搬运机构及控制器。上述垒起机构，系被构成由粘接胶带中之粘接面的背面侧，越过粘接胶带以销将各自之芯片推压成垒起，并将芯片由粘接胶带剥离。而上述搬运机构，系借由上述垒起机构将芯片剥离时，以筒夹用以吸着芯片，使芯片由粘接胶带被剥离为止用以维持吸着状态，之后使筒夹上升用以摘取芯片，并进行搬运到下次制程。上述控制器，系被构成借由垒起机构之销用以控制芯片之垒起动作，并用以控制上述销之上升时间及下降时间，由上升变化到下降时使预定之时间滞留。

7. 发明专利

TWI453905B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI453905B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100119277
申请日：2011-06-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：白野貴士 , SHIRONO, TAKASHI , 松尾美惠 , MATSUO, MIE , 沼田英夫 , NUMATA, HIDEO , 谷田一真 , TANIDA, KAZUMASA , 松村剛 , MATSUMURA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/304
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464

8. 发明专利

TWI375054B 引線框架、使用引線框架之光耦合零件及光耦合零件之製造方法 LEAD FRAME, OPTICAL COUPLING PART USING LEAD FRAME, AND MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL COUPLING PART 失效
简体标题：引线框架、使用引线框架之光耦合零件及光耦合零件之制造方法 LEAD FRAME, OPTICAL COUPLING PART USING LEAD FRAME, AND MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL COUPLING PART
公开(公告)号：TWI375054B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW096106743
申请日：2007-02-27
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人：櫻井涉 , 齋藤和人 , 沼田英夫 , 田窪知章 , 古山英人 , 濱崎浩史
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/43 , G02B6/4202 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：當澆注形成模製體20之樹脂59且一引線框架30藉由插入模製附接於模製體20之一前端表面21時，設置於引線框架30之一引線圖案31兩外側上的保護引線32使樹脂59的流動減速且作用於引線圖案31上的力被減少，因此可防止引線圖案31之位置不正。故，所插入及模製的引線框架30可佈線在模製體20之前端表面21上，以容易地達成三維電佈線。
简体摘要：当浇注形成模制体20之树脂59且一引线框架30借由插入模制附接于模制体20之一前端表面21时，设置于引线框架30之一引线图案31两外侧上的保护引线32使树脂59的流动减速且作用于引线图案31上的力被减少，因此可防止引线图案31之位置不正。故，所插入及模制的引线框架30可布线在模制体20之前端表面21上，以容易地达成三维电布线。

9. 发明专利

TW201227815A 半導體製造裝置及半導體製造方法失效
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TW201227815A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100106725
申请日：2011-03-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：谷田一真 , 山口直子 , 本鄉悟史 , 田窪知章 , 沼田英夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23P19/00 , Y10T29/5313 , Y10T156/10 , Y10T156/1744
摘要：依據實施形態,將以接合面彼此對向之方式配置的第1基板與第2基板,從第2基板的接合面之對向面,以第1基板的接合面與前述第2基板的接合面接觸之方式加以加壓,並以於接合面之間設置間隙之方式利用構件加以限制,依據基於從接合面的對向面側攝像之畫像所求出之接合界面的時間變化,判定接合是否正常進行。
简体摘要：依据实施形态,将以接合面彼此对向之方式配置的第1基板与第2基板,从第2基板的接合面之对向面,以第1基板的接合面与前述第2基板的接合面接触之方式加以加压,并以于接合面之间设置间隙之方式利用构件加以限制,依据基于从接合面的对向面侧摄像之画像所求出之接合界面的时间变化,判定接合是否正常进行。

10. 发明专利

TW201214540A 半導體裝置之製造方法、半導體基板及相機模組审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、半导体基板及相机模块
公开(公告)号：TW201214540A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100130570
申请日：2011-08-25
申请人：東芝股份有限公司
发明人：谷田一真 , 關口正博 , 土肥雅之 , 松村剛 , 沼田英夫 , 大塚真理 , 山口直子 , 白野貴士 , 本鄉悟史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法，係於半導體基板之第1面形成活性層，於活性層上形成配線層，以覆蓋配線層之方式形成絕緣層。經由絕緣層接合半導體基板之第1面與支持基板，將接合於支持基板之半導體基板，保留從第2面側覆蓋活性層之特定厚度之前述半導體基板而薄片化。為使活性層露出，去除薄片化後之半導體基板之至少一部分區域。藉此，可防止本半導體裝置之攝像特性劣化、製造步驟中之良率下降。
简体摘要：本发明之实施形态之半导体设备之制造方法，系于半导体基板之第1面形成活性层，于活性层上形成配线层，以覆盖配线层之方式形成绝缘层。经由绝缘层接合半导体基板之第1面与支持基板，将接合于支持基板之半导体基板，保留从第2面侧覆盖活性层之特定厚度之前述半导体基板而薄片化。为使活性层露出，去除薄片化后之半导体基板之至少一部分区域。借此，可防止本半导体设备之摄像特性劣化、制造步骤中之良率下降。

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