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2. 发明专利

TW201132720A 導電性糊及金屬薄膜 ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE AND METAL THIN FILM 审中-公开
简体标题：导电性煳及金属薄膜 ELECTRICALLY CONDUCTIVE PASTE AND METAL THIN FILM
公开(公告)号：TW201132720A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW100100461
申请日：2011-01-06
申请人：東洋紡績股份有限公司
发明人：小木浩二 , 鮎澤佳孝 , 近藤孝司 , 木津本博俊 , 八塚剛志
IPC分类号： C09D , H01B , B32B , H05K
CPC分类号： H05K1/095 , H01B1/22 , H05K2201/0145
摘要：本發明提供一種導電性糊，其能夠使導電性糊之分散安定性與使用此導電性糊所形成的金屬薄膜積層體之金屬薄膜層的低體積電阻係數(高導電性、低電阻)、及對於基材之高緊貼性並存。一種導電性糊，其係含有金屬微粒(A)、分枝型聚酯(B)與有機溶劑(C)的導電性糊，該金屬微粒(A)之平均粒徑為1×10 -3 μm以上且5×10 -1 μm以下，該分枝型聚酯(B)係具有起因於3官能以上之多元羧酸化合物與/或3官能以上之多元醇化合物的分枝點，該分枝型聚酯(B)之酸價為30當量/10 6 g以上且200當量/10 6 g以下，該分枝型聚酯(B)係含有將間苯二甲酸殘基、鄰苯二甲酸殘基與環己二甲酸殘基之中的一種以上，與利用碳數1至4之直鏈烷基而取代鍵結於碳數3至5之直鏈烷二醇的碳原子上之至少一個氫原子的化合物作為共聚合成分，於使構成該分枝型聚酯(B)之全部多元羧酸化合物殘基與全部多元醇化合物殘基的合計成為200莫耳％時，間苯二甲酸殘基、鄰苯二甲酸殘基與環己二甲酸殘基之合計為70莫耳％以上，利用碳數1至4之直鏈烷基而取代鍵結於碳數3至5之直鏈烷二醇的碳原子上之至少一個氫原子的化合物之殘基的合計為20莫耳％以上，該分枝型聚酯(B)之玻璃轉移溫度為低於40℃，相對於該分枝型聚酯(B)100重量份，該金屬微粒(A)為600至1500重量份。
简体摘要：本发明提供一种导电性煳，其能够使导电性煳之分散安定性与使用此导电性煳所形成的金属薄膜积层体之金属薄膜层的低体积电阻系数(高导电性、低电阻)、及对于基材之高紧贴性并存。一种导电性煳，其系含有金属微粒(A)、分枝型聚酯(B)与有机溶剂(C)的导电性煳，该金属微粒(A)之平均粒径为1×10 -3 μm以上且5×10 -1 μm以下，该分枝型聚酯(B)系具有起因于3官能以上之多元羧酸化合物与/或3官能以上之多元醇化合物的分枝点，该分枝型聚酯(B)之酸价为30当量/10 6 g以上且200当量/10 6 g以下，该分枝型聚酯(B)系含有将间苯二甲酸残基、邻苯二甲酸残基与环己二甲酸残基之中的一种以上，与利用碳数1至4之直链烷基而取代键结于碳数3至5之直链烷二醇的碳原子上之至少一个氢原子的化合物作为共聚合成分，于使构成该分枝型聚酯(B)之全部多元羧酸化合物残基与全部多元醇化合物残基的合计成为200莫耳％时，间苯二甲酸残基、邻苯二甲酸残基与环己二甲酸残基之合计为70莫耳％以上，利用碳数1至4之直链烷基而取代键结于碳数3至5之直链烷二醇的碳原子上之至少一个氢原子的化合物之残基的合计为20莫耳％以上，该分枝型聚酯(B)之玻璃转移温度为低于40℃，相对于该分枝型聚酯(B)100重量份，该金属微粒(A)为600至1500重量份。

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