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    • 4. 发明专利
    • 載置台及電漿處理裝置
    • 载置台及等离子处理设备
    • TW201444020A
    • 2014-11-16
    • TW103106079
    • 2014-02-24
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 富岡武敏TOMIOKA, TAKETOSHI後平拓GOHIRA, TAKU真壁曉之MAKABE, TOSHIYUKI
    • H01L21/683H01J37/20H01J37/32
    • 本發明旨在提供一種載置台及電漿處理裝置,可抑制被處理體之中央部區域與端部區域中溫度不均一。其中載置台包含:基座部,於內部形成冷媒用流路;及靜電吸盤,設於基座部上,具有載置被處理體之載置面,靜電吸附被處理體。基座部包含:第1上表面,設置靜電吸盤;環狀之第2上表面,設於較該第1上表面更外方低於該第1上表面之位置,設置聚焦環;及側面,於第1上表面與第2上表面之間沿鉛直方向延伸。流路包含中央流路及周緣流路。中央流路於第1上表面之下方延伸。周緣流路於第2上表面之下方延伸,且包含於第1上表面之下方沿側面朝設有第1上表面之方向延伸之部分。於載置面,呈點狀設有接觸被處理體之背面之複數之凸部,載置面之端部區域之複數之凸部與被處理體之背面接觸之面積每單位面積之大小,大於載置面之中央部區域之複數之凸部與被處理體之背面接觸之面積每單位面積之大小。
    • 本发明旨在提供一种载置台及等离子处理设备,可抑制被处理体之中央部区域与端部区域中温度不均一。其中载置台包含:基座部,于内部形成冷媒用流路;及静电吸盘,设于基座部上,具有载置被处理体之载置面,静电吸附被处理体。基座部包含:第1上表面,设置静电吸盘;环状之第2上表面,设于较该第1上表面更外方低于该第1上表面之位置,设置聚焦环;及侧面,于第1上表面与第2上表面之间沿铅直方向延伸。流路包含中央流路及周缘流路。中央流路于第1上表面之下方延伸。周缘流路于第2上表面之下方延伸,且包含于第1上表面之下方沿侧面朝设有第1上表面之方向延伸之部分。于载置面,呈点状设有接触被处理体之背面之复数之凸部,载置面之端部区域之复数之凸部与被处理体之背面接触之面积每单位面积之大小,大于载置面之中央部区域之复数之凸部与被处理体之背面接触之面积每单位面积之大小。