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1. 发明专利

TWI604894B 淋灑頭、電漿處理裝置、以及電漿處理方法有权
简体标题：淋洒头、等离子处理设备、以及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI604894B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103110810
申请日：2014-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 風間晃一 , KAZAMA, KOICHI , 宇田秀一郎 , UDA, SHUICHIRO , 山田哲史 , YAMADA, SATOSHI , 渕上慎司 , FUCHIGAMI, SHINJI
IPC分类号： B05B1/30 , B05B1/34 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45514 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45574

2. 发明专利

TW201509539A 淋灑頭、電漿處理裝置、以及電漿處理方法审中-公开
简体标题：淋洒头、等离子处理设备、以及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201509539A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103110810
申请日：2014-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 風間晃一 , KAZAMA, KOICHI , 宇田秀一郎 , UDA, SHUICHIRO , 山田哲史 , YAMADA, SATOSHI , 渕上慎司 , FUCHIGAMI, SHINJI
IPC分类号： B05B1/30 , B05B1/34 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45514 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45574
摘要：提供一種電漿處理裝置用淋灑頭，可降低從連接於同一氣體擴散室之複數氣體噴射口所噴射之氣體之流量差，降低對不同複數氣體供給路徑輸入氣體後至從對應之區域之氣體噴射口噴射氣體為止之時間之差異。一實施形態之淋灑頭，係於複數區域個別設置複數氣體噴射口，對該個別之複數區域從個別之氣體供給路徑來供給處理氣體。各氣體供給路徑從上游至下游之間包含三個氣體擴散室。
简体摘要：提供一种等离子处理设备用淋洒头，可降低从连接于同一气体扩散室之复数气体喷射口所喷射之气体之流量差，降低对不同复数气体供给路径输入气体后至从对应之区域之气体喷射口喷射气体为止之时间之差异。一实施形态之淋洒头，系于复数区域个别设置复数气体喷射口，对该个别之复数区域从个别之气体供给路径来供给处理气体。各气体供给路径从上游至下游之间包含三个气体扩散室。

3. 发明专利

TW518690B 電漿處理裝置及其電極板、電極支撐體、遮蔽環有权
简体标题：等离子处理设备及其电极板、电极支撑体、屏蔽环
公开(公告)号：TW518690B
公开(公告)日：2003-01-21
申请号：TW090122916
申请日：2001-09-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小笠原正宏 , 加藤和也 , 永岩利文 , 今福光祐 , 風間晃一
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01L21/3065
摘要：對被處理基板W進行電漿處理之電漿處理裝置1中，與下部電極之接受器5相對之上部電極21係具有電極支撐體22及電極板23，且在兩者之邊界部之電極支撐體22側中央部上，供給之高頻電力之頻率數中產生共振，且欲在內部產生與電極板23正交之電場而設決定其尺寸之空洞62。進而，包圍電極板23之遮蔽環係與該電極板具有下面約略呈同一面之形狀，且為不易受電漿侵蝕之材質。因此，電漿之分布均等、經過時間變化所致之劣化減少、且可進行精密加工。
简体摘要：对被处理基板W进行等离子处理之等离子处理设备1中，与下部电极之接受器5相对之上部电极21系具有电极支撑体22及电极板23，且在两者之边界部之电极支撑体22侧中央部上，供给之高频电力之频率数中产生共振，且欲在内部产生与电极板23正交之电场而设决定其尺寸之空洞62。进而，包围电极板23之屏蔽环系与该电极板具有下面约略呈同一面之形状，且为不易受等离子侵蚀之材质。因此，等离子之分布均等、经过时间变化所致之劣化减少、且可进行精密加工。

4. 外观设计

TW430531S 半導體製造用處理室之內壁保護體失效
简体标题：半导体制造用处理室之内壁保护体
公开(公告)号：TW430531S
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：TW087307802
申请日：1998-10-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：風間晃一
摘要：本創作係有關於一種「半導體製造用處理室之內壁保護體」之新式樣設計。
如圖所示，本創作主要係用以配設於沿著半導體晶圓之蝕刻裝置之處理室(處理容器)之內壁，如顯示使用狀態之截面參考圖所示，令高頻電源連接於配設於該處理容器內上部電極及下部電極之一以上時，此等電極間可形成電漿，而藉裝設本物品則可防止處理容器之內壁因電漿而受損。於右側視圖及立體圖所見以十字狀排列表示之五個小圓形模樣部份為透氣孔。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容;理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“半导体制造用处理室之内壁保护体”之新式样设计。如图所示，本创作主要系用以配设于沿着半导体晶圆之蚀刻设备之处理室(处理容器)之内壁，如显示使用状态之截面参考图所示，令高频电源连接于配设于该处理容器内上部电极及下部电极之一以上时，此等电极间可形成等离子，而藉装设本物品则可防止处理容器之内壁因等离子而受损。于右侧视图及三維图所见以十字状排列表示之五个小圆形模样部份为透气孔。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容;理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

5. 发明专利

TWI225110B 艙室內壁保護元件及電漿處理裝置 DEVICE FOR PROTECTING INNER WALLS OF A CHAMBER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：舱室内壁保护组件及等离子处理设备 DEVICE FOR PROTECTING INNER WALLS OF A CHAMBER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI225110B
公开(公告)日：2004-12-11
申请号：TW088106713
申请日：1999-04-27
申请人：東海炭素股份有限公司 TOKAI CARBON CO., LTD. , 東京電子股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：灰野和義 KAZUYOSHI HAINO , 風間晃一
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： H01J37/32477
摘要：提供一種特定化玻璃狀碳材之材質性狀而堪長時間安定使用之電漿處理裝置之艙室內壁保護元件，及配置該保護元件之電漿處理裝置。其包括一種保護電漿處理裝置之艙室內壁之中空狀保護元件，其係由具有體積比阻抗為1×10-2Ω．cm以下及熱傳導率為5W/m．K以上之特性的玻璃狀碳材，形成為一體型構造之艙室內壁保護元件。而該保護元件之厚度為4mm以上，其內面之平均面粗糙度(Ra)為2.0μm以下則較佳。而電漿裝置之構成為將具有前述材質性狀之艙室內壁保護元件沿電漿處理裝置之艙室內壁部配置，而將艙室內壁部與保護元件導電，同時將艙室接地者。
简体摘要：提供一种特定化玻璃状碳材之材质性状而堪长时间安定使用之等离子处理设备之舱室内壁保护组件，及配置该保护组件之等离子处理设备。其包括一种保护等离子处理设备之舱室内壁之中空状保护组件，其系由具有体积比阻抗为1×10-2Ω．cm以下及热传导率为5W/m．K以上之特性的玻璃状碳材，形成为一体型构造之舱室内壁保护组件。而该保护组件之厚度为4mm以上，其内面之平均面粗糙度(Ra)为2.0μm以下则较佳。而等离子设备之构成为将具有前述材质性状之舱室内壁保护组件沿等离子处理设备之舱室内壁部配置，而将舱室内壁部与保护组件导电，同时将舱室接地者。

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