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1. 外观设计

TWD104744S 半導體製造裝置用製程反應室之內壁保護體 INNER WALL SHIELD OF A PROCESS CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING MACHINES 失效
简体标题：半导体制造设备用制程反应室之内壁保护体 INNER WALL SHIELD OF A PROCESS CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING MACHINES
公开(公告)号：TWD104744S
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092301919
申请日：2003-04-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
设计人：釜石貴之 , 島村明典 , 森雅人
摘要：【物品用途】
本創作係一種有關半導體製造裝置用製程反應室之內壁保護體之新式樣設計，通常被使用在半導體製造裝置中之製程反應室。
【創作特點】
從各視圖觀之，最主要之特徵為：本創作係成環狀形體，其上方開口微弧形內縮，而底部之圓形開口，則比上方之開口小，且於本體之周邊，交錯開設數個不同大小、寬窄之橫長形槽孔，及一大一小兩個圓形孔；整體觀之，出色又獨特，是一種具有新穎性與創作性，且富於視覺美感之設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种有关半导体制造设备用制程反应室之内壁保护体之新式样设计，通常被使用在半导体制造设备中之制程反应室。【创作特点】从各视图观之，最主要之特征为：本创作系成环状形体，其上方开口微弧形内缩，而底部之圆形开口，则比上方之开口小，且于本体之周边，交错开设数个不同大小、宽窄之横长形槽孔，及一大一小两个圆形孔；整体观之，出色又独特，是一种具有新颖性与创作性，且富于视觉美感之设计。

2. 发明专利

TWI415182B 基板處理裝置、化學式氧化物除去（ＣＯＲ）處理模組及基板抬高裝置有权
简体标题：基板处理设备、化学式氧化物除去（ＣＯＲ）处理模块及基板抬高设备
公开(公告)号：TWI415182B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW095133872
申请日：2006-09-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：釜石貴之 , KAMAISHI, TAKAYUKI , 小森榮一 , KOMORI, EIICHI
IPC分类号： H01L21/306

3. 发明专利

TW201810414A 氧化膜去除方法、去除裝置、接點形成方法、接點形成系統及記憶媒體审中-公开
简体标题：氧化膜去除方法、去除设备、接点形成方法、接点形成系统及记忆媒体
公开(公告)号：TW201810414A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116241
申请日：2017-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 , KOBAYASHI, TAKASHI , 村上誠志 , MURAKAMI, SEISHI , 佐久間隆 , SAKUMA, TAKASHI , 富田正彥 , TOMITA, MASAHIKO , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 清水昭貴 , SHIMIZU, AKITAKA , 釜石貴之 , KAMAISHI, TAKAYUKI , 津田榮之輔 , TSUDA, EINOSUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67207
摘要：本發明之課題為在去除形成於圖案底部的矽部分之含矽氧化膜時，可抑制CD損失。其解決手段係提供一種氧化膜去除方法，係在具有形成有特定圖案之絕緣膜，且具有形成於圖案底部的矽部分之含矽氧化膜之被處理基板中，將含矽氧化膜加以去除之氧化膜去除方法，具有以下工序：於包含有絕緣膜的圖案之整面，藉由使用碳原料氣體之ALD來成膜碳系保護膜之工序；藉由異向性電漿處理來選擇性地去除絕緣膜上面與圖案底部的該碳系保護膜之工序；藉由蝕刻來去除形成於圖案底部的該含矽氧化膜之工序；以及去除碳系保護膜的殘留部分之工序。
简体摘要：本发明之课题为在去除形成于图案底部的硅部分之含硅氧化膜时，可抑制CD损失。其解决手段系提供一种氧化膜去除方法，系在具有形成有特定图案之绝缘膜，且具有形成于图案底部的硅部分之含硅氧化膜之被处理基板中，将含硅氧化膜加以去除之氧化膜去除方法，具有以下工序：于包含有绝缘膜的图案之整面，借由使用碳原料气体之ALD来成膜碳系保护膜之工序；借由异向性等离子处理来选择性地去除绝缘膜上面与图案底部的该碳系保护膜之工序；借由蚀刻来去除形成于图案底部的该含硅氧化膜之工序；以及去除碳系保护膜的残留部分之工序。

4. 发明专利

TW201128708A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201128708A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099127439
申请日：2010-08-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小松智仁 , 釜石貴之 , 山崎良二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/68792
摘要：熱處理裝置(100)，係具備有：處理容器(1)，係收容晶圓W；和基板支持部(4)，係在處理容器(1)內而將晶圓W水平地作支持；和燈管單元(3)，係被設置在處理容器(1)之上方，燈管單元(3)，係具備有：基底構件(40)；和複數之燈管(45)，係在基底構件(40)之下面，將前端朝向下方地作設置；和環狀的複數之反射器(41、42、43)，係在基底構件(40)之下面處，以同心狀且突出於下方的方式來作設置；和冷卻頭(47)，係將冷媒供給至反射器(41、42、43)之內部，複數之燈管(45)的至少一部份，係沿著反射器(41、42、43)而被作設置，在反射器(41、42、43)之內部，係被形成有沿著其之配置方向而由環狀之空間所成的冷媒流路(68)。
简体摘要：热处理设备(100)，系具备有：处理容器(1)，系收容晶圆W；和基板支持部(4)，系在处理容器(1)内而将晶圆W水平地作支持；和灯管单元(3)，系被设置在处理容器(1)之上方，灯管单元(3)，系具备有：基底构件(40)；和复数之灯管(45)，系在基底构件(40)之下面，将前端朝向下方地作设置；和环状的复数之反射器(41、42、43)，系在基底构件(40)之下面处，以同心状且突出于下方的方式来作设置；和冷却头(47)，系将冷媒供给至反射器(41、42、43)之内部，复数之灯管(45)的至少一部份，系沿着反射器(41、42、43)而被作设置，在反射器(41、42、43)之内部，系被形成有沿着其之配置方向而由环状之空间所成的冷媒流路(68)。

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