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1. 发明专利

TWI533395B 電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI533395B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW100111004
申请日：2011-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI , 水上俊介 , MIZUKAMI, SHUNSUKE , 大谷龍二 , OHTANI, RYUJI , 樋口公博 , HIGUCHI, KIMIHIRO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41

2. 发明专利

TWI685013B 滑環、支撐機構及電漿處理裝置有权
简体标题：滑环、支撑机构及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI685013B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105111966
申请日：2016-04-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TW201738957A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201738957A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106111955
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：本發明旨在使構成電漿處理裝置之支持構造體的零件易於維修。電漿處理裝置包含有提供腔室之腔室本體、在腔室本體內支持被加工物之支持構造體、及構造成在腔室本體內使支持構造體繞著與鉛直方向直交之方向延伸的第1軸線旋轉之第1驅動裝置。支持構造體具有具保持被加工物之靜電吸盤並設成可繞著直交於第1軸線之第2軸線旋轉的保持部、設於保持部之下側的容器、及構造成使保持部繞第2軸線旋轉之第2驅動裝置。容器具有筒狀容器本體、及用以關閉容器本體之下側開口的底蓋。底蓋可從容器本體卸除。
简体摘要：本发明旨在使构成等离子处理设备之支持构造体的零件易于维修。等离子处理设备包含有提供腔室之腔室本体、在腔室本体内支持被加工物之支持构造体、及构造成在腔室本体内使支持构造体绕着与铅直方向直交之方向延伸的第1轴线旋转之第1驱动设备。支持构造体具有具保持被加工物之静电吸盘并设成可绕着直交于第1轴线之第2轴线旋转的保持部、设于保持部之下侧的容器、及构造成使保持部绕第2轴线旋转之第2驱动设备。容器具有筒状容器本体、及用以关闭容器本体之下侧开口的底盖。底盖可从容器本体卸除。

4. 发明专利

TW201207987A 電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201207987A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100111004
申请日：2011-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山本高志 , 水上俊介 , 大谷龍二 , 樋口公博
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
摘要：提供可防止半導體晶圓等基板與下部電極之基材或其周邊構造物之間之放電之產生,可提升良品率,提升生產性的電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法。該電漿處理裝置係具備:處理腔室;下部電極,設於處理腔室內,具有由被施加高頻電力之導電性金屬構成之基材,兼作為載置被處理基板之載置台;上部電極,設於處理腔室內,和下部電極呈對向配置;及聚焦環,於下部電極上,以包圍被處理基板周圍的方式被設置;其中在下部電極之基材與聚焦環之間配設有,介由電流控制元件進行電連接,對應於電位差而產生直流電流的電氣連接機構。
简体摘要：提供可防止半导体晶圆等基板与下部电极之基材或其周边构造物之间之放电之产生,可提升良品率,提升生产性的等离子处理设备及半导体设备之制造方法。该等离子处理设备系具备:处理腔室;下部电极,设于处理腔室内,具有由被施加高频电力之导电性金属构成之基材,兼作为载置被处理基板之载置台;上部电极,设于处理腔室内,和下部电极呈对向配置;及聚焦环,于下部电极上,以包围被处理基板周围的方式被设置;其中在下部电极之基材与聚焦环之间配设有,介由电流控件进行电连接,对应于电位差而产生直流电流的电气连接机构。

5. 发明专利

TW201207933A 電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及半导体设备之制造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201207933A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100115776
申请日：2011-05-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山本高志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/6833 , H01L21/68742
摘要：本發明係關於一種電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法。本發明提供一可防止半導體晶圓等之基板、與下部電極之基材或其周邊之構造物間產生放電之情況、可圖求提升良率而提升生產性之電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法。電漿處理裝置,具備:處理腔室、下部電極、上部電極、及支撐被處理基板之複數的升降銷;升降銷具備銷本體部及蓋部,該蓋部設於該銷本體部之頂部,並具有較銷本體部之外徑更大的外徑;下部電極具備:具有銷本體收容部及蓋收容部,並於內部配設該升降銷之升降銷用透孔;該銷本體收容部,具有較該蓋部之外徑更小的內徑以收容銷本體部;該蓋收容部,設於該銷本體收容部之上部以收容蓋部;於升降銷下降之狀態,形成蓋部收容於蓋收容部內,並以蓋部閉塞銷本體收容部之上部之狀
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理设备及半导体设备之制造方法。本发明提供一可防止半导体晶圆等之基板、与下部电极之基材或其周边之构造物间产生放电之情况、可图求提升良率而提升生产性之等离子处理设备及半导体设备之制造方法。等离子处理设备,具备:处理腔室、下部电极、上部电极、及支撑被处理基板之复数的升降销;升降销具备销本体部及盖部,该盖部设于该销本体部之顶部,并具有较销本体部之外径更大的外径;下部电极具备:具有销本体收容部及盖收容部,并于内部配设该升降销之升降销用透孔;该销本体收容部,具有较该盖部之外径更小的内径以收容销本体部;该盖收容部,设于该销本体收容部之上部以收容盖部;于升降销下降之状态,形成盖部收容于盖收容部内,并以盖部闭塞销本体收容部之上部之状

6. 发明专利

TW201802932A 電漿處理裝置之維修方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备之维修方法
公开(公告)号：TW201802932A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111956
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：本發明之課題係易維修構成電漿處理裝置之支持構造體的零件。電漿處理裝置包含有支持被加工物之支持構造體、及構造成使支持構造體繞著與鉛直方向直交之方向延伸的第1軸線旋轉之第1驅動裝置。支持構造體具有具靜電吸盤之保持部、及設於保持部之下側的容器。容器具有筒狀容器本體、及用以關閉容器本體之下側開口並構造成可對容器本體卸除之底蓋。維修方法係包含下列步驟之方法，該等步驟為：使支持構造體繞第1軸線旋轉成相對於靜電吸盤，底蓋位於上方；將底蓋從容器本體卸除；及維修設於容器本體內之零件。
简体摘要：本发明之课题系易维修构成等离子处理设备之支持构造体的零件。等离子处理设备包含有支持被加工物之支持构造体、及构造成使支持构造体绕着与铅直方向直交之方向延伸的第1轴线旋转之第1驱动设备。支持构造体具有具静电吸盘之保持部、及设于保持部之下侧的容器。容器具有筒状容器本体、及用以关闭容器本体之下侧开口并构造成可对容器本体卸除之底盖。维修方法系包含下列步骤之方法，该等步骤为：使支持构造体绕第1轴线旋转成相对于静电吸盘，底盖位于上方；将底盖从容器本体卸除；及维修设于容器本体内之零件。

7. 发明专利

TW201703100A 滑環、支撐機構及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：滑环、支撑机构及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201703100A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111966
申请日：2016-04-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/683 , H01L21/6833 , H01L43/12 , H01R39/28 , H01R39/381
摘要：本發明之課題在於降低接觸式滑環之接觸電阻。一實施形態之滑環具備有：導電性之旋轉件，可繞旋轉軸線進行旋轉；導電性之固定件，係和旋轉件以同軸方式設置；導電性之球體，係配置於旋轉件與固定件之間，形成旋轉件與固定件之間的電性通道；以及導電性之線圈彈簧，係設置於旋轉件以及固定件當中的一者與球體之間，相對於旋轉軸線在周向上延伸，並接觸於旋轉件以及固定件當中的一者與球體。
简体摘要：本发明之课题在于降低接触式滑环之接触电阻。一实施形态之滑环具备有：导电性之旋转件，可绕旋转轴线进行旋转；导电性之固定件，系和旋转件以同轴方式设置；导电性之球体，系配置于旋转件与固定件之间，形成旋转件与固定件之间的电性信道；以及导电性之线圈弹簧，系设置于旋转件以及固定件当中的一者与球体之间，相对于旋转轴线在周向上延伸，并接触于旋转件以及固定件当中的一者与球体。

8. 发明专利

TWI523099B 電漿處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI523099B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100115776
申请日：2011-05-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/6833 , H01L21/68742

9. 发明专利

TWI442501B 靜電吸盤及其製造方法有权
简体标题：静电吸盘及其制造方法
公开(公告)号：TWI442501B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW098110146
申请日：2009-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：肥田剛 , HIDA, TSUYOSHI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23

10. 发明专利

TW200949980A 靜電吸盤及其製造方法审中-公开
简体标题：静电吸盘及其制造方法
公开(公告)号：TW200949980A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110146
申请日：2009-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：肥田剛 , 山本高志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23
摘要： [課題]提供一種靜電吸盤係在具有由導電體層及將其包夾的絕緣體層所構成之層積構造的靜電吸盤周圍所形成的陶瓷熔射膜與基材的密接性佳，而且即使在處理時對熔射膜作用外部撞擊力，熔射膜亦不易破損。[解決手段]本發明之靜電吸盤，係包含被夾在絕緣體層之金屬層之層積構造的靜電吸盤，其藉由絕緣性熔射膜來被覆形成在前述金屬層周緣露出部分的凹部。該靜電吸盤的熔射膜最好被覆至少露出於前述凹部之內側的前述金屬層，而且以不會由前述凹部突出的方式予以被覆。藉此，可防止來自金屬層的漏電、或金屬層的腐蝕，並且即使在處理時對熔射膜作用外部撞擊力，亦可防止熔射膜破損。
简体摘要： [课题]提供一种静电吸盘系在具有由导电体层及将其包夹的绝缘体层所构成之层积构造的静电吸盘周围所形成的陶瓷熔射膜与基材的密接性佳，而且即使在处理时对熔射膜作用外部撞击力，熔射膜亦不易破损。[解决手段]本发明之静电吸盘，系包含被夹在绝缘体层之金属层之层积构造的静电吸盘，其借由绝缘性熔射膜来被覆形成在前述金属层周缘露出部分的凹部。该静电吸盘的熔射膜最好被覆至少露出于前述凹部之内侧的前述金属层，而且以不会由前述凹部突出的方式予以被覆。借此，可防止来自金属层的漏电、或金属层的腐蚀，并且即使在处理时对熔射膜作用外部撞击力，亦可防止熔射膜破损。

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