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1. 发明专利

TWI593127B 高光電轉換效率多接面太陽能電池有权
简体标题：高光电转换效率多接面太阳能电池
公开(公告)号：TWI593127B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103117537
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50

2. 实用新型

TWM496233U 多接面太陽能電池之抗反射多層結構有权
简体标题：多接面太阳能电池之抗反射多层结构
公开(公告)号：TWM496233U
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW103208736
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50

3. 发明专利

TW201545363A 高光電轉換效率多接面太陽能電池审中-公开
简体标题：高光电转换效率多接面太阳能电池
公开(公告)号：TW201545363A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117537
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種高光電轉換效率多接面太陽能電池，包含一基板，位於該多接面太陽能電池之底層，以鍺材料製成；一第一p-n接面，位於該基板之上，以Si1-xGex的材料製成；一第一緩衝層，位於該第一p-n接面之上，以GaAs1-yPy的材料製成，其中0y0.09；一第一穿隧接面，位於該第一緩衝層之上；一第二p-n接面，位於該第一穿隧接面之上；一第二穿隧接面，位於該第二p-n接面之上；以及一第三p-n接面，位於該第二穿隧接面之上，藉以構成高光電轉換效率多接面太陽能電池，本發明透過適當地堆疊磊晶材料使太陽能電池的整體能隙更平滑，此外太陽能電池上更形成有複數抗反射層，藉此增加抗反射頻譜範圍而增加電流輸出，使光電轉換效率得以有效提升。
简体摘要：一种高光电转换效率多接面太阳能电池，包含一基板，位于该多接面太阳能电池之底层，以锗材料制成；一第一p-n接面，位于该基板之上，以Si1-xGex的材料制成；一第一缓冲层，位于该第一p-n接面之上，以GaAs1-yPy的材料制成，其中0y0.09；一第一穿隧接面，位于该第一缓冲层之上；一第二p-n接面，位于该第一穿隧接面之上；一第二穿隧接面，位于该第二p-n接面之上；以及一第三p-n接面，位于该第二穿隧接面之上，借以构成高光电转换效率多接面太阳能电池，本发明透过适当地堆栈磊晶材料使太阳能电池的整体能隙更平滑，此外太阳能电池上更形成有复数抗反射层，借此增加抗反射频谱范围而增加电流输出，使光电转换效率得以有效提升。

4. 发明专利

TWI575765B 多接面太陽能電池之抗反射頻譜增加結構有权
简体标题：多接面太阳能电池之抗反射频谱增加结构
公开(公告)号：TWI575765B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103117539
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52

5. 实用新型

TWM496234U 高光電轉換效率多接面太陽能電池有权
简体标题：高光电转换效率多接面太阳能电池
公开(公告)号：TWM496234U
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW103208737
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50

6. 发明专利

TW201810696A 具有抗反射頻譜增加結構的光電元件审中-公开
简体标题：具有抗反射频谱增加结构的光电组件
公开(公告)号：TW201810696A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105124353
申请日：2016-08-01
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 陳昇暉 , 戴維文 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/04 , H01L31/054 , G02B1/11
摘要：一種具有抗反射頻譜增加結構的光電元件，至少包含複數抗反射層，其中複數抗反射層形成於光電元件之一面上，複數抗反射層形至少包含第一抗反射層、第二抗反射層及第三抗反射層，分別為氟化鎂層、氧化鈮層及薄膜，其中第二反射層之折射率介於第一抗反射層與第三抗反射層之間，藉由加入折射率介於氟化鎂層和氧化鈮層之薄膜結構，以增加光電元件的抗反射頻譜範圍，因此當使用在不同特性的光電元件時，能有效提升光電轉換效率或發光效率。
简体摘要：一种具有抗反射频谱增加结构的光电组件，至少包含复数抗反射层，其中复数抗反射层形成于光电组件之一面上，复数抗反射层形至少包含第一抗反射层、第二抗反射层及第三抗反射层，分别为氟化镁层、氧化铌层及薄膜，其中第二反射层之折射率介于第一抗反射层与第三抗反射层之间，借由加入折射率介于氟化镁层和氧化铌层之薄膜结构，以增加光电组件的抗反射频谱范围，因此当使用在不同特性的光电组件时，能有效提升光电转换效率或发光效率。

7. 发明专利

TWI615988B 具有抗反射頻譜增加結構的光電元件有权
简体标题：具有抗反射频谱增加结构的光电组件
公开(公告)号：TWI615988B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105124353
申请日：2016-08-01
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 陳昇暉 , 戴維文 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/04 , H01L31/054 , G02B1/11

8. 发明专利

TW201545364A 多接面太陽能電池之抗反射多層結構审中-公开
简体标题：多接面太阳能电池之抗反射多层结构
公开(公告)号：TW201545364A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117539
申请日：2014-05-19
申请人：晶泰國際科技股份有限公司
发明人：林瑞陽 , LIN, RAY YOUNG , 張正陽 , 張登翔
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52
摘要：一種多接面太陽能電池之抗反射多層結構，至少包含複數抗反射層，其中複數抗反射層形成於一多接面太陽能電池之表面上，複數抗反射層形至少包含一第一抗反射層、一第二抗反射層及一第三抗反射層，其中該第一抗反射層為一氟化鎂層，該第三抗反射層為一硫化鋅層，其中該第二抗反射層為一薄膜，其中該第二反射層之折射率介於該第一抗反射層與該第三抗反射層之間，藉由加入折射率介於氟化鎂層和硫化鋅層之薄膜結構，以增加多接面太陽能電池的抗反射頻譜範圍，特別是在短波長範圍，進而提升多接面太陽能電池的總電流輸出，此外利用高能隙的適當材料組合及厚度選擇，使開路電壓得以有效提高，而大幅提升光電轉換效率。
简体摘要：一种多接面太阳能电池之抗反射多层结构，至少包含复数抗反射层，其中复数抗反射层形成于一多接面太阳能电池之表面上，复数抗反射层形至少包含一第一抗反射层、一第二抗反射层及一第三抗反射层，其中该第一抗反射层为一氟化镁层，该第三抗反射层为一硫化锌层，其中该第二抗反射层为一薄膜，其中该第二反射层之折射率介于该第一抗反射层与该第三抗反射层之间，借由加入折射率介于氟化镁层和硫化锌层之薄膜结构，以增加多接面太阳能电池的抗反射频谱范围，特别是在短波长范围，进而提升多接面太阳能电池的总电流输出，此外利用高能隙的适当材料组合及厚度选择，使开路电压得以有效提高，而大幅提升光电转换效率。

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