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1. 发明专利

TWI621280B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI621280B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW104135309
申请日：2012-01-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳世益 , CHEN,SHIH-I
IPC分类号： H01L33/20

2. 发明专利

TWI612653B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI612653B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW106107535
申请日：2012-08-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊宗憲 , YANG,TSUNG-HSIEN , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15

3. 发明专利

TW201603260A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201603260A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104133593
申请日：2012-02-17
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 賴易堂 , LAI,YI-TANG
IPC分类号： H01L27/15
摘要：一種二維式陣列發光二極體元件，包含一透明基板，具有一第一表面；複數相鄰的發光單元，每一個發光單元包含複數側邊及一周長，配置在第一表面上；以及複數導電配線結構，電性連接上述複數相鄰的發光單元，配置在第一表面上；其中，每一發光單元的側邊與最近的發光單元間具有複數垂直距離，當上述複數垂直距離大於50μm時，發光單元的側邊與最近的發光單元不相近；其中，上述複數發光單元中每一發光單元與最近的發光單元不相近的側邊長度總和與發光單元的周長比大於50%。
简体摘要：一种二维式数组发光二极管组件，包含一透明基板，具有一第一表面；复数相邻的发光单元，每一个发光单元包含复数侧边及一周长，配置在第一表面上；以及复数导电配线结构，电性连接上述复数相邻的发光单元，配置在第一表面上；其中，每一发光单元的侧边与最近的发光单元间具有复数垂直距离，当上述复数垂直距离大于50μm时，发光单元的侧边与最近的发光单元不相近；其中，上述复数发光单元中每一发光单元与最近的发光单元不相近的侧边长度总和与发光单元的周长比大于50%。

4. 发明专利

TW201832356A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201832356A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107118536
申请日：2012-08-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊宗憲 , YANG,TSUNG-HSIEN , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15
摘要：本發明提供一發光二極體，包含：一第一發光二極體，包含：一第一區域，其包含一側壁；一第二區域；及一第一隔絕道，其包含一介於第一區域以及第二區域之間的電極絕緣層。發光二極體更包含一電極連接層覆蓋第一區域；一電性連接結構覆蓋第二區域；及一位於電性連接結構下的電性連接層，且電性連接層直接接觸電性連接結構，其中第一區域及第二區域各依序包含：一第一導電型半導體層、一活性層及一第二導電型半導體層，且電極連接層覆蓋第一區域的側壁。
简体摘要：本发明提供一发光二极管，包含：一第一发光二极管，包含：一第一区域，其包含一侧壁；一第二区域；及一第一隔绝道，其包含一介于第一区域以及第二区域之间的电极绝缘层。发光二极管更包含一电极连接层覆盖第一区域；一电性连接结构覆盖第二区域；及一位于电性连接结构下的电性连接层，且电性连接层直接接触电性连接结构，其中第一区域及第二区域各依序包含：一第一导电型半导体层、一活性层及一第二导电型半导体层，且电极连接层覆盖第一区域的侧壁。

5. 发明专利

TW201810640A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201810640A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106142792
申请日：2012-08-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊宗憲 , YANG,TSUNG-HSIEN , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15
摘要：本發明提供一發光二極體，包含：一第一發光二極體，包含：一第一區域，其包含一側壁；一第二區域；及一第一隔絕道，其包含一介於第一區域以及第二區域之間的電極絕緣層。發光二極體更包含一電極連接層覆蓋第一區域；一電性連接結構覆蓋第二區域；及一位於電性連接結構下的電性連接層，且電性連接層直接接觸電性連接結構，其中第一區域及第二區域各依序包含：一第一導電型半導體層、一活性層及一第二導電型半導體層，且電極連接層覆蓋第一區域的側壁。
简体摘要：本发明提供一发光二极管，包含：一第一发光二极管，包含：一第一区域，其包含一侧壁；一第二区域；及一第一隔绝道，其包含一介于第一区域以及第二区域之间的电极绝缘层。发光二极管更包含一电极连接层覆盖第一区域；一电性连接结构覆盖第二区域；及一位于电性连接结构下的电性连接层，且电性连接层直接接触电性连接结构，其中第一区域及第二区域各依序包含：一第一导电型半导体层、一活性层及一第二导电型半导体层，且电极连接层覆盖第一区域的侧壁。

6. 发明专利

TW201626556A 發光二極體陣列审中-公开
简体标题：发光二极管数组
公开(公告)号：TW201626556A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW105112950
申请日：2012-08-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊宗憲 , YANG,TSUNG-HSIEN , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15
摘要：本發明提供一發光二極體陣列，包含：一第一發光二極體，包含：一第一區域；一第二區域；一第一隔絕道位於第一區域與第二區域之間，且包含一電極絕緣層；及一電極連接層包覆第一區域；一第二發光二極體，包含：一半導體疊層；及一第二電性焊接墊位於此半導體疊層之上；及一第二隔絕道位於第一發光二極體與第二發光二極體之間，且包含一電性連接結構電性連接第一發光二極體與第二發光二極體。
简体摘要：本发明提供一发光二极管数组，包含：一第一发光二极管，包含：一第一区域；一第二区域；一第一隔绝道位于第一区域与第二区域之间，且包含一电极绝缘层；及一电极连接层包覆第一区域；一第二发光二极管，包含：一半导体叠层；及一第二电性焊接垫位于此半导体叠层之上；及一第二隔绝道位于第一发光二极管与第二发光二极管之间，且包含一电性连接结构电性连接第一发光二极管与第二发光二极管。

7. 发明专利

TWI581418B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI581418B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105112950
申请日：2012-08-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊宗憲 , YANG,TSUNG-HSIEN , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15

8. 发明专利

TW201709497A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201709497A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105142103
申请日：2012-02-17
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 賴易堂 , LAI,YI-TANG
IPC分类号： H01L27/15
摘要：一種發光二極體元件，包含一透明基板，具有一周邊區域及被該周邊區域所圍繞之一中心區域；數個發光二極體單元設於該透明基板之周邊區域上。
简体摘要：一种发光二极管组件，包含一透明基板，具有一周边区域及被该周边区域所围绕之一中心区域；数个发光二极管单元设于该透明基板之周边区域上。

9. 发明专利

TWI570904B 發光二極體元件有权
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TWI570904B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104133593
申请日：2012-02-17
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 賴易堂 , LAI,YI-TANG
IPC分类号： H01L27/15

10. 发明专利

TW201605069A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201605069A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104135309
申请日：2012-01-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳怡名 , CHEN,YI-MING , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳世益 , CHEN,SHIH-I
IPC分类号： H01L33/20
摘要：一發光裝置，包含：一基板；一透明導電層，設置於基板上；一半導體窗戶層，形成於透明導電層上且具有一平坦表面及複數個凹槽，其中每一凹槽具有一側壁表面；及一發光疊層，形成於半導體窗戶層上且包含一第一半導體層、一第二半導體層、一位於第一和第二半導體之間的活性層。此些凹槽中之至少其中一個之側壁表面相對於平坦表面傾斜，且平坦表面與透明導電層之間的接觸電阻係小於側壁表面與透明導電層之間的接觸電阻。
简体摘要：一发光设备，包含：一基板；一透明导电层，设置于基板上；一半导体窗户层，形成于透明导电层上且具有一平坦表面及复数个凹槽，其中每一凹槽具有一侧壁表面；及一发光叠层，形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。此些凹槽中之至少其中一个之侧壁表面相对于平坦表面倾斜，且平坦表面与透明导电层之间的接触电阻系小于侧壁表面与透明导电层之间的接触电阻。

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