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1. 发明专利

TWI508066B 記憶體控制器及其信號產生方法有权
简体标题：内存控制器及其信号产生方法
公开(公告)号：TWI508066B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102115489
申请日：2013-04-30
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：吳宗翰 , WU, ZONG HAN , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING , 賴信丞 , LAI, HSIN CHENG
IPC分类号： G11C11/4063
CPC分类号： G11C11/40611 , G06F13/1689 , G11C7/10 , G11C8/18

2. 发明专利

TWI438779B 通用記憶體輸入輸出產生裝置及方法有权
简体标题：通用内存输入输出产生设备及方法
公开(公告)号：TWI438779B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098141159
申请日：2009-12-02
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：史德立 , SMITH, STERLING , 劉先鳳 , LIU, HSIAN FENG , 田爾文 , TYAN, EER WEN , 陳俊嘉 , CHEN, CHUN CHIA , 葉明杰 , YEH, MING CHIEH , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING , 陳宥霖 , CHEN, YU LIN
IPC分类号： G11C7/10 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5068

3. 发明专利

TW201333503A 運用於高速輸出入埠上的內建自測試電路审中-公开
简体标题：运用于高速输出入端口上的内置自测试电路
公开(公告)号：TW201333503A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101103305
申请日：2012-02-01
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：陳宥霖 , CHEN, YU LIN , 劉先鳳 , LIU, HSIAN FENG , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING
IPC分类号： G01R31/3181
CPC分类号： G11C29/12 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C29/023 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/14
摘要：一種運用於高速輸出入埠上的內建自測試電路，包括：偵測單元，具有第一輸入端接收串列輸出信號，第二輸入端接收串列致能信號，與輸出端產生偵測信號；旗標單元，接收偵測信號，產生旗標信號；選擇單元，接收串列輸出信號、串列致能信號與旗標信號。當重置信號於第一準位時，選擇單元將串列輸出信號與串列致能信號傳遞至輸出入埠；當重置信號於第二準位時，串列輸出信號與串列致能信號之間具有一預定關係。
简体摘要：一种运用于高速输出入端口上的内置自测试电路，包括：侦测单元，具有第一输入端接收串行输出信号，第二输入端接收串行致能信号，与输出端产生侦测信号；旗标单元，接收侦测信号，产生旗标信号；选择单元，接收串行输出信号、串行致能信号与旗标信号。当重置信号于第一准位时，选择单元将串行输出信号与串行致能信号传递至输出入端口；当重置信号于第二准位时，串行输出信号与串行致能信号之间具有一预定关系。

4. 发明专利

TWI569278B 記憶體測試資料產生電路與方法有权
简体标题：内存测试数据产生电路与方法
公开(公告)号：TWI569278B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104113505
申请日：2015-04-28
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：張琦昕 , CHANG, QI XIN , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING
IPC分类号： G11C29/04
CPC分类号： G11C29/38 , G11C29/36 , G11C2029/3602

5. 发明专利

TWI508087B 記憶體信號的動態相位追蹤方法及其相關控制電路有权
简体标题：内存信号的动态相位追踪方法及其相关控制电路
公开(公告)号：TWI508087B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102123480
申请日：2013-07-01
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：張雍 , CHANG, YUNG , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING
IPC分类号： G11C29/12 , G11C19/30
CPC分类号： G11C29/022 , G11C29/023 , G11C29/028

6. 发明专利

TW201510970A 運用於影像顯示的時序控制器及其控制方法审中-公开
简体标题：运用于影像显示的时序控制器及其控制方法
公开(公告)号：TW201510970A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102131860
申请日：2013-09-04
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：張琦昕 , CHANG, QIXIN , 陳建國 , CHEN, JIAN KAO , 張雍 , CHANG, YUNG , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/36
CPC分类号： G09G3/2092 , G06T1/60 , G09G3/3611 , G09G2320/0252 , G09G2340/16 , G09G2370/08 , G09G2370/14
摘要：一種運用於面板顯示系統的時序控制器，包括：影像信號接收器，接收影像信號；過驅電路，接收影像信號接收器輸出的影像信號，並根據影像信號中連續的第一圖框資料與第二圖框資料來產生轉換影像信號；影像信號傳輸器，接收過驅電路輸出的轉換影像信號並傳遞至顯示面板；記憶體；記憶體介面單元，接收過驅電路輸出的第一圖框資料並暫存於記憶體，當過驅電路接收影像信號中的第二圖框資料時，記憶體介面單元讀取記憶體中的第一圖框資料並傳遞至過驅電路。當決定一記憶體校正週期時，記憶體介面單元複數次調整一取樣時脈的一延遲相位，並據以取樣記憶體產生的一讀取信號，而獲得複數個比較結果；以及，根據該些比較結果產生一較佳延遲相位。
简体摘要：一种运用于皮肤显示系统的时序控制器，包括：影像信号接收器，接收影像信号；过驱电路，接收影像信号接收器输出的影像信号，并根据影像信号中连续的第一图框数据与第二图框数据来产生转换影像信号；影像信号传输器，接收过驱电路输出的转换影像信号并传递至显示皮肤；内存；内存界面单元，接收过驱电路输出的第一图框数据并暂存于内存，当过驱电路接收影像信号中的第二图框数据时，内存界面单元读取内存中的第一图框数据并传递至过驱电路。当决定一内存校正周期时，内存界面单元复数次调整一采样时脉的一延迟相位，并据以采样内存产生的一读取信号，而获得复数个比较结果；以及，根据该些比较结果产生一较佳延迟相位。

7. 发明专利

TW201439761A 記憶體控制器及其記憶體位址產生方法审中-公开
简体标题：内存控制器及其内存位址产生方法
公开(公告)号：TW201439761A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102111928
申请日：2013-04-02
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 張雍 , CHANG, YUNG
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G11C8/18 , G11C8/06 , G11C8/10
摘要：一種記憶體控制器，連接至倍數資料速率動態隨機存取記憶體與存取單元，記憶體控制器包括：處理單元，接收存取單元所產生之系統位址；以及一映射單元，位於處理單元內，用以將系統位址轉換為記憶體位址並傳遞至倍數資料速率動態隨機存取記憶體；其中，倍數資料速率動態隨機存取記憶體的一突發存取長度為L且L=2x時，記憶體位址中由最低位元開始的第(x+1)個位元係屬於一區塊群位址，且L與x為正整數。
简体摘要：一种内存控制器，连接至倍数数据速率动态随机存取内存与存取单元，内存控制器包括：处理单元，接收存取单元所产生之系统位址；以及一映射单元，位于处理单元内，用以将系统位址转换为内存位址并传递至倍数数据速率动态随机存取内存；其中，倍数数据速率动态随机存取内存的一突发存取长度为L且L=2x时，内存位址中由最低比特开始的第(x+1)个比特系属于一区块群位址，且L与x为正整数。

8. 发明专利

TWI564905B 記憶體自我測試裝置與方法有权
简体标题：内存自我测试设备与方法
公开(公告)号：TWI564905B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104106618
申请日：2015-03-03
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 羅翊豪 , LO, YI HAO
IPC分类号： G11C29/54 , G11C29/08
CPC分类号： G11C29/16 , G06F11/2094 , G06F11/27 , G11C29/025 , G11C29/52 , G11C2029/0401

9. 发明专利

TW201633324A 記憶體自我測試裝置與方法审中-公开
简体标题：内存自我测试设备与方法
公开(公告)号：TW201633324A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104106618
申请日：2015-03-03
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 羅翊豪 , LO, YI HAO
IPC分类号： G11C29/54 , G11C29/08
CPC分类号： G11C29/16 , G06F11/2094 , G06F11/27 , G11C29/025 , G11C29/52 , G11C2029/0401
摘要：記憶體自我測試裝置，用來測試複數記憶體控制單元，包含：一測試控制單元，耦接該些記憶體控制單元，用來產生複數存取要求訊號及複數資料；一通道控制單元，耦接該測試控制單元與該些記憶體控制單元，用來判斷複數回饋訊號之領先回饋訊號；以及一資料控制單元，耦接該測試控制單元與該些記憶體控制單元，用來儲存該些資料，並依據複數讀寫訊號將該些資料傳送至該些記憶體控制單元，該些回饋訊號及該些讀寫訊號係該些記憶體控制單元依據該些存取要求訊號產生。該測試控制單元依據該領先回饋訊號產生該些資料。
简体摘要：内存自我测试设备，用来测试复数内存控制单元，包含：一测试控制单元，耦接该些内存控制单元，用来产生复数存取要求信号及复数数据；一信道控制单元，耦接该测试控制单元与该些内存控制单元，用来判断复数回馈信号之领先回馈信号；以及一数据控制单元，耦接该测试控制单元与该些内存控制单元，用来存储该些数据，并依据复数读写信号将该些数据发送至该些内存控制单元，该些回馈信号及该些读写信号系该些内存控制单元依据该些存取要求信号产生。该测试控制单元依据该领先回馈信号产生该些数据。

10. 发明专利

TWI524181B 記憶體管理裝置及記憶體管理方法有权
简体标题：内存管理设备及内存管理方法
公开(公告)号：TWI524181B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103135347
申请日：2014-10-13
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：張雍 , CHANG, YUNG , 林政南 , LIN, CHEN NAN , 陳忠敬 , CHEN, CHUNG CHING
IPC分类号： G06F12/02 , G06F7/22
CPC分类号： G06F13/1689

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