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1. 发明专利

TWI411021B 自會聚底部電極環有权
简体标题：自会聚底部电极环
公开(公告)号：TWI411021B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW098127879
申请日：2009-08-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商務機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：布雷杜斯克馬修 , BREITWISCH, MATTHEW J. , 林仲漢 , LAM, CHUNG HON , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/24

2. 发明专利

TW201234529A 形成PCRAM自對準位元線方法及自對準深蝕刻方法 METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED BIT LINE FOR PCRAM AND A SELF-ALIGNED ETCH BACK PROCESS 审中-公开
简体标题：形成PCRAM自对准比特线方法及自对准深蚀刻方法 METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED BIT LINE FOR PCRAM AND A SELF-ALIGNED ETCH BACK PROCESS
公开(公告)号：TW201234529A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100120729
申请日：2011-06-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商務機器公司
发明人：布雷杜斯克馬修 , 陳介方 , 陳士弘 , 喬瑟夫艾瑞克 , 林仲漢 , 洛法羅麥可 , 龍翔瀾 , 史拉特艾珍卓 , 楊敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要：一種形成與相變材料對齊的位線之方法,其包括於下電極之部分形成犧牲材料的基座以及形成相鄰於犧牲材料之至少一介電材料,其中至少一介電材料具有一上表面,其實質地與犧牲材料基座的上表面共面。對至少一介電材料以及下電極具選擇性地移除犧牲材料之基座以對下電極的露出表面提供開口。於下電極的露出表面上形成相變材料,並且將開口以導電填充材料填充。亦提供自對準回蝕程序。
简体摘要：一种形成与相变材料对齐的位线之方法,其包括于下电极之部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料之至少一介电材料,其中至少一介电材料具有一上表面,其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料之基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料,并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀进程。

3. 发明专利

TW201108307A 自會聚底部電極環 SELF-CONVERGING BOTTOM ELECTRODE RING 审中-公开
简体标题：自会聚底部电极环 SELF-CONVERGING BOTTOM ELECTRODE RING
公开(公告)号：TW201108307A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098127879
申请日：2009-08-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商務機器公司
发明人：布雷杜斯克馬修 , 林仲漢 , 龍翔瀾
IPC分类号： H01L
摘要：一種包括自會聚底部電極環的方法及記憶體胞元。該方法包括在基材上形成階段間隔件、頂部絕緣層、中介絕緣層以及底部絕緣層。該方法包括在該頂部絕緣層和該中介絕緣層內形成階段間隔件。該階段間隔件的尺寸容易控制。該方法也包括在具有階段間隔件的底部絕緣層中形成通道以做為遮罩。該方法包括在通道內形成包括該通道內的杯型外部導電層的底部電極環以及在該杯型外部導電層內形成內部絕緣層。該方法包括在該底部電極環上形成相變化層以及在該底部電極環上形成頂部電極。
简体摘要：一种包括自会聚底部电极环的方法及内存胞元。该方法包括在基材上形成阶段间隔件、顶部绝缘层、中介绝缘层以及底部绝缘层。该方法包括在该顶部绝缘层和该中介绝缘层内形成阶段间隔件。该阶段间隔件的尺寸容易控制。该方法也包括在具有阶段间隔件的底部绝缘层中形成信道以做为遮罩。该方法包括在信道内形成包括该信道内的杯型外部导电层的底部电极环以及在该杯型外部导电层内形成内部绝缘层。该方法包括在该底部电极环上形成相变化层以及在该底部电极环上形成顶部电极。

5. 发明专利

TWI455382B 包含二極體記憶體單元的積體電路有权
简体标题：包含二极管内存单元的集成电路
公开(公告)号：TWI455382B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098101630
申请日：2009-01-16
申请人：國際商務機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , 旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 奇夢達北美公司 , QIMONDA NORTH AMERICA CORPORATION
发明人：林仲漢 , LAM, CHUNG-HON , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 拉詹德南畢平 , RAJENDRAN, BIPIN , 楊明 , YANG, MIN , 湯瑪斯D 漢普 , HAPP, THOMAS D.
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/24 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72

6. 发明专利

TWI490861B 高耐用度相變記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：高耐用度相变内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI490861B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101119156
申请日：2012-05-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商務機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：杜姵瑩 , DU, PEI YING , 吳昭誼 , WU, CHAO I , 李明修 , LEE, MING HSIU , 金尚范 , KIM, SANGBUM , 林仲漢 , LAM, CHUNG H.
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0021

7. 发明专利

TW201301286A 高耐用度相變記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：高耐用度相变内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201301286A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119156
申请日：2012-05-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商務機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：杜姵瑩 , DU, PEI YING , 吳昭誼 , WU, CHAO I , 李明修 , LEE, MING HSIU , 金尚范 , KIM, SANGBUM , 林仲漢 , LAM, CHUNG H.
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0021
摘要：本文所描述的相變基礎記憶體裝置及用於操作這類裝置的方法克服了設定或重置失效模式且導致了增進的耐用度、可靠度及資料儲存表現。高電流修復操作響應於相變記憶體單元的設定或重置失效而進行。較高電流修復操作可提供足夠的能量以反轉在相變材料中可在重複的設定及重置操作後發生的組成改變。藉由反轉這些組成改變，本文所描述的技術可恢復經歷過設定或重置失效的記憶體單元，藉此延長記憶體單元的耐用度。如此一來，將提供具有高循環耐用度的相變基礎記憶體裝置及用於操作這類裝置的方法。
简体摘要：本文所描述的相变基础内存设备及用于操作这类设备的方法克服了设置或重置失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据存储表现。高电流修复操作响应于相变内存单元的设置或重置失效而进行。较高电流修复操作可提供足够的能量以反转在相变材料中可在重复的设置及重置操作后发生的组成改变。借由反转这些组成改变，本文所描述的技术可恢复经历过设置或重置失效的内存单元，借此延长内存单元的耐用度。如此一来，将提供具有高循环耐用度的相变基础内存设备及用于操作这类设备的方法。

9. 发明专利

TW201225363A 電流相對於由電極定義的軸橫向流動的相變化唯讀記憶體 CRAM WITH CURRENT FLOWING LATERALLY RELATIVE TO AXIS DEFINED BY ELECTRODES 审中-公开
简体标题：电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化唯读内存 CRAM WITH CURRENT FLOWING LATERALLY RELATIVE TO AXIS DEFINED BY ELECTRODES
公开(公告)号：TW201225363A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100133050
申请日：2011-09-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要：一種改善的相變化記憶體裝置具有相變化結構。相變化結構包括介於電極之接觸表面與介電結構之間的薄部分。舉例來說,薄部分的最大厚度小於電極之接觸表面的最大寬度。於另一範例中,相變化結構圍繞介電結構。幾種變化例改善了相變化結構與電極之間的接觸。
简体摘要：一种改善的相变化内存设备具有相变化结构。相变化结构包括介于电极之接触表面与介电结构之间的薄部分。举例来说,薄部分的最大厚度小于电极之接触表面的最大宽度。于另一范例中,相变化结构围绕介电结构。几种变化例改善了相变化结构与电极之间的接触。

10. 发明专利

TW201042759A 具垂直通道存取電晶體的相變記憶胞 PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING VERTICAL CHANNEL ACCESS TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：具垂直信道存取晶体管的相变记忆胞 PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING VERTICAL CHANNEL ACCESS TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201042759A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW098132762
申请日：2009-09-28
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0004 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要：一種記憶體裝置及其製造方法。此裝置包括具有第一與第二區域的基底。第一區域包括第一場效應電晶體。第一場效應電晶體包括：基底內的被水平通道區隔開的第一與第二摻雜區；閘極，位於水平通道區上；第一介電層，覆蓋閘極。第二區域包括第二場效應電晶體。第二場效應電晶體包括：第一端，穿過第一介電層而延伸以接觸基底；第二端，位於第一端上且具有頂面；垂直通道區，將第一端與第二端隔開。第二場效應電晶體還包括位於第一介電層上且鄰近垂直通道區的閘極。閘極具有與第二端的頂面共面的頂面。第二介電層將閘極與垂直通道區隔開。
简体摘要：一种内存设备及其制造方法。此设备包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括：基底内的被水平信道区隔开的第一与第二掺杂区；闸极，位于水平信道区上；第一介电层，覆盖闸极。第二区域包括第二场效应晶体管。第二场效应晶体管包括：第一端，穿过第一介电层而延伸以接触基底；第二端，位于第一端上且具有顶面；垂直信道区，将第一端与第二端隔开。第二场效应晶体管还包括位于第一介电层上且邻近垂直信道区的闸极。闸极具有与第二端的顶面共面的顶面。第二介电层将闸极与垂直信道区隔开。

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