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1. 发明专利

TWI315349B 超高純度銅、其製造方法、以及超高純度銅構成之引線有权
简体标题：超高纯度铜、其制造方法、以及超高纯度铜构成之引线
公开(公告)号：TWI315349B
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW095117439
申请日：2006-05-17
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：新藤裕一朗 , 竹本幸一
IPC分类号： C22C , H01L , C25C
CPC分类号： C22B15/0084 , C22B15/0073 , C22B15/0089 , C22C9/00 , C25C1/12 , C25C7/06 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/456 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01208 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , Y02P10/236 , H01L2924/01008 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01205 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2224/45647 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01033 , H01L2924/01001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007
摘要：本發明係關於超高純度銅及其製造方法。該超高純度銅其硬度為40Hv以下、純度為8N以上(不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，且氣體成分之O、S、P各元素皆為1重量ppm以下。又，該製造方法係使用由硝酸銅溶液構成之電解液以二階段電解製造超高純度銅時，於硝酸銅溶液構成之電解液中添加鹽酸，且使電解液循環，將此循環之電解液暫時降至10℃以下，以過濾器去除雜質，並以二階段電解進行電解。本發明之目的在製得上述可適用於細線化(拉伸化)之銅材。亦即，有效率的製造純度8N(99.999999重量%)以上的超高純度銅，並提供所製得之超高純度銅以得到尤其是可細線化之半導體元件用引線。
简体摘要：本发明系关于超高纯度铜及其制造方法。该超高纯度铜其硬度为40Hv以下、纯度为8N以上(不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，且气体成分之O、S、P各元素皆为1重量ppm以下。又，该制造方法系使用由硝酸铜溶液构成之电解液以二阶段电解制造超高纯度铜时，于硝酸铜溶液构成之电解液中添加盐酸，且使电解液循环，将此循环之电解液暂时降至10℃以下，以过滤器去除杂质，并以二阶段电解进行电解。本发明之目的在制得上述可适用于细线化(拉伸化)之铜材。亦即，有效率的制造纯度8N(99.999999重量%)以上的超高纯度铜，并提供所制得之超高纯度铜以得到尤其是可细线化之半导体组件用引线。

2. 发明专利

TWI316557B 高純度氧化鋅粉末及其製造方法、高純度氧化鋅靶及高純度氧化鋅薄膜失效
简体标题：高纯度氧化锌粉末及其制造方法、高纯度氧化锌靶及高纯度氧化锌薄膜
公开(公告)号：TWI316557B
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW093128197
申请日：2004-09-17
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：新藤裕一朗 , 竹本幸一
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C01G9/003 , C01G9/04 , C01P2006/80 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種高純度氧化鋅粉末之製造方法，其特徵為，將含有鋅之碎屑等原料進行酸瀝濾或電解提煉，經溶劑萃取後以活性碳處理，藉以去除雜質，接著將此經去除雜質之溶液以鹼溶液中和得氫氧化鋅，再將此氫氧化鋅燒成而製得氧化鋅。並提供低成本且有效去除雜質(尤其C、Cl、S及Pb雜質)之高純度氧化鋅及其製造方法，進一步提供將高純度氧化鋅燒成所得之靶、及利用該高純度氧化鋅靶進行濺鍍所得之高純度氧化鋅薄膜。
简体摘要：本发明提供一种高纯度氧化锌粉末之制造方法，其特征为，将含有锌之碎屑等原料进行酸沥滤或电解提炼，经溶剂萃取后以活性碳处理，借以去除杂质，接着将此经去除杂质之溶液以碱溶液中和得氢氧化锌，再将此氢氧化锌烧成而制得氧化锌。并提供低成本且有效去除杂质(尤其C、Cl、S及Pb杂质)之高纯度氧化锌及其制造方法，进一步提供将高纯度氧化锌烧成所得之靶、及利用该高纯度氧化锌靶进行溅镀所得之高纯度氧化锌薄膜。

3. 发明专利

TW200940749A 從ＩＺＯ廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：从ＩＺＯ废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200940749A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW098103470
申请日：2009-02-04
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：新藤裕一朗 , 竹本幸一
IPC分类号： C25C , C22B
CPC分类号： C22B3/045 , C01G9/02 , C01G15/00 , C22B3/22 , C22B7/006 , C22B19/30 , C22B58/00 , C25B1/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
摘要：一種自IZO廢料回收有價金屬之方法，其特徵在於，陽極及陰極兩者使用IZO廢料，週期性地將極性加以反轉進行電解，藉此以氫氧化物的形態來回收銦及鋅；以及一種上述之自IZO廢料回收有價金屬之方法，其中，將上述藉由進行電解所得之銦及鋅的氫氧化物加以培燒，而以銦及鋅之氧化物的形態來進行回收。提供一種從銦-鋅氧化物(IZO)濺鍍靶或在製造時所產生之IZO端材等IZO廢料，有效率地回收銦及鋅的方法。
简体摘要：一种自IZO废料回收有价金属之方法，其特征在于，阳极及阴极两者使用IZO废料，周期性地将极性加以反转进行电解，借此以氢氧化物的形态来回收铟及锌；以及一种上述之自IZO废料回收有价金属之方法，其中，将上述借由进行电解所得之铟及锌的氢氧化物加以培烧，而以铟及锌之氧化物的形态来进行回收。提供一种从铟-锌氧化物(IZO)溅镀靶或在制造时所产生之IZO端材等IZO废料，有效率地回收铟及锌的方法。

4. 发明专利

TWI320433B 高純度錫或錫合金、以及高純度錫之製造方法有权
简体标题：高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法
公开(公告)号：TWI320433B
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：TW095122010
申请日：2006-06-20
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：新藤裕一朗 , 竹本幸一
IPC分类号： C25C , C22B
CPC分类号： C22B25/04 , C22B13/06 , C22B25/08 , C22C13/00 , C22F1/16 , C25C1/14 , C25F1/04 , H01L23/4827 , H01L2224/13111 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：一種高純度錫或錫合金，其特徵在於：U、Th個別含有量為5ppb以下，Pb、Bi個別含有量為1ppm以下，純度為5N以上(其中，不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)。一種高純度錫或錫合金，其特徵在於：具有鑄造組織之高純度錫的α射線計數為0.001cph/cm 2 以下。最近之半導體裝置，由於高密度化與高容量化，會因為半導體晶片附近之材料所釋放之α射線的影響，導致發生軟性錯誤之危險增多。特別是，對於與半導體裝置接近所使用之焊料或錫之高純度化要求殷切，並需要α射線少的材料，是以，本發明之課題在於獲得一種可適應前述情況之減低錫的α射線量之高純度錫或錫合金、以及高純度錫之製造方法。【創作特點】最近之半導體裝置，由於高密度化與高容量化，會因為半導體晶片附近之材料所釋放之α射線的影響，導致發生軟性錯誤之危險增多。特別是，對於與半導體裝置接近所使用之焊料或是錫之高純度化要求殷切，並需要α射線少的材料，故本發明之課題在於獲得一種可適應於前述要求之錫的α射線量降低之高純度錫或錫合金、以及高純度錫之製造方法。
為了解決上述問題，本發明之高純度錫或錫合金，可極力排除α射線對半導體晶片之影響；其特徵在於：純度為5N以上(其中，不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，其中放射性元素之U、Th個別含有量為5ppb以下，釋放放射線α粒子之Pb、Bi個別含有量為1ppm以下(又，於本發明所使用之%、ppm、ppb全部表示重量(wt))。
本發明之高純度錫或錫合金最終係以熔解、鑄造以及視情況進行之壓延、裁斷所製造者，其高純度錫之α射線計數以0.001cph/cm 2 以下為佳，本發明之高純度錫或錫合金可實現此。
於本發明中，尤其高純度錫之製造很重要，做為此高純度錫之製造方法，係將做為原料之錫以酸(例如硫酸)瀝取之後，將此瀝取液做為電解液，使得雜質之吸附材懸浮於該電解液，使用原料Sn陽極進行電解精製，藉此得到純度為5N以上(其中，不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，其中放射性元素之U、Th個別含有量為5ppb以下，釋放放射線α粒子之Pb、Bi個別含有量為1ppm以下之高純度錫。
由於Pb、Bi之電位皆與Sn接近，而有難以去除之問題，但藉由本發明之方法可實現有效率的去除。
於前述電解液所懸浮之吸附材，可使用氧化鈦、氧化鋁、氧化錫等氧化物、活性炭、碳等。
再者，以上述電解精製所得之高純度錫於250~500℃做熔解鑄造，且使此經鑄造之鑄錠經過6個月以上後之α射線計數為0.001cph/cm 2 以下。於Sn鑄造時，有氡之混入、針之蒸發，難以嚴密測定Sn中實際雜質或α射線量。是以，必須經過6個月以上達成安定化。
換言之，於本發明中，可說是藉由經過6個月以上使得α射線計數安定於0.001cph/cm 2 以下。
做為高純度錫合金之添加成分(合金成分)，可舉出銀、銅、鋅等，惟並不限定於此等元素。又，通常添加量係設定於0.1~20重量%，惟並不限定於此添加量。同樣地需要使用高純度之材料。
本發明之高純度錫或錫合金，其特徵在於，純度為5N以上(其中，不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，其中放射性元素之U、Th個別含有量為5ppb以下，釋放放射線α粒子之Pb、Bi個別含有量為1ppm以下，可極力排除α射線對半導體晶片所造成之影響。
此外，本發明之高純度錫或錫合金最終係以熔解鑄造所製造者，具有該錫之鑄造結構之高純度錫的α射線計數可控制在0.001cph/cm 2 以下，此為所具有之優異效果。藉此，可顯著減少半導體裝置因α射線之影響所造成之軟性錯誤的發生。
简体摘要：一种高纯度锡或锡合金，其特征在于：U、Th个别含有量为5ppb以下，Pb、Bi个别含有量为1ppm以下，纯度为5N以上(其中，不计O、C、N、H、S、P之气体成分)。一种高纯度锡或锡合金，其特征在于：具有铸造组织之高纯度锡的α射线计数为0.001cph/cm 2 以下。最近之半导体设备，由于高密度化与高容量化，会因为半导体芯片附近之材料所释放之α射线的影响，导致发生软性错误之危险增多。特别是，对于与半导体设备接近所使用之焊料或锡之高纯度化要求殷切，并需要α射线少的材料，是以，本发明之课题在于获得一种可适应前述情况之减低锡的α射线量之高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法。【创作特点】最近之半导体设备，由于高密度化与高容量化，会因为半导体芯片附近之材料所释放之α射线的影响，导致发生软性错误之危险增多。特别是，对于与半导体设备接近所使用之焊料或是锡之高纯度化要求殷切，并需要α射线少的材料，故本发明之课题在于获得一种可适应于前述要求之锡的α射线量降低之高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法。为了解决上述问题，本发明之高纯度锡或锡合金，可极力排除α射线对半导体芯片之影响；其特征在于：纯度为5N以上(其中，不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，其中放射性元素之U、Th个别含有量为5ppb以下，释放放射线α粒子之Pb、Bi个别含有量为1ppm以下(又，于本发明所使用之%、ppm、ppb全部表示重量(wt))。本发明之高纯度锡或锡合金最终系以熔解、铸造以及视情况进行之压延、裁断所制造者，其高纯度锡之α射线计数以0.001cph/cm 2 以下为佳，本发明之高纯度锡或锡合金可实现此。于本发明中，尤其高纯度锡之制造很重要，做为此高纯度锡之制造方法，系将做为原料之锡以酸(例如硫酸)沥取之后，将此沥取液做为电解液，使得杂质之吸附材悬浮于该电解液，使用原料Sn阳极进行电解精制，借此得到纯度为5N以上(其中，不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，其中放射性元素之U、Th个别含有量为5ppb以下，释放放射线α粒子之Pb、Bi个别含有量为1ppm以下之高纯度锡。由于Pb、Bi之电位皆与Sn接近，而有难以去除之问题，但借由本发明之方法可实现有效率的去除。于前述电解液所悬浮之吸附材，可使用氧化钛、氧化铝、氧化锡等氧化物、活性炭、碳等。再者，以上述电解精制所得之高纯度锡于250~500℃做熔解铸造，且使此经铸造之铸锭经过6个月以上后之α射线计数为0.001cph/cm 2 以下。于Sn铸造时，有氡之混入、针之蒸发，难以严密测定Sn中实际杂质或α射线量。是以，必须经过6个月以上达成安定化。换言之，于本发明中，可说是借由经过6个月以上使得α射线计数安定于0.001cph/cm 2 以下。做为高纯度锡合金之添加成分(合金成分)，可举出银、铜、锌等，惟并不限定于此等元素。又，通常添加量系设置于0.1~20重量%，惟并不限定于此添加量。同样地需要使用高纯度之材料。本发明之高纯度锡或锡合金，其特征在于，纯度为5N以上(其中，不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，其中放射性元素之U、Th个别含有量为5ppb以下，释放放射线α粒子之Pb、Bi个别含有量为1ppm以下，可极力排除α射线对半导体芯片所造成之影响。此外，本发明之高纯度锡或锡合金最终系以熔解铸造所制造者，具有该锡之铸造结构之高纯度锡的α射线计数可控制在0.001cph/cm 2 以下，此为所具有之优异效果。借此，可显着减少半导体设备因α射线之影响所造成之软性错误的发生。

5. 发明专利

TW200946691A 從ＩＺＯ廢料回收有價金屬之方法审中-公开
简体标题：从ＩＺＯ废料回收有价金属之方法
公开(公告)号：TW200946691A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098103469
申请日：2009-02-04
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：新藤裕一朗 , 竹本幸一
IPC分类号： C22B , C25C
CPC分类号： C22B58/00 , C01G9/02 , C01G15/00 , C22B3/045 , C22B3/22 , C22B7/006 , C22B19/30 , C25B1/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
摘要：一種自IZO廢料回收有價金屬之方法，其特徵在於，使用不溶性電極作為陽極或陰極，且成為各別之相對電極的另一方的陰極或陽極則使用IZO廢料，週期性地將極性加以反轉進行電解，以銦及鋅之氫氧化物的形態來對IZO廢料進行回收；以及一種上述之自IZO廢料回收有價金屬之方法，其中，將上述藉由進行電解所得之銦及鋅的氫氧化物加以培燒，而以銦及鋅之氧化物的形態來進行回收。提供一種從銦-鋅氧化物(IZO)濺鍍靶或在製造時所產生之IZO端材等IZO廢料，有效率地回收銦及鋅的方法。
简体摘要：一种自IZO废料回收有价金属之方法，其特征在于，使用不溶性电极作为阳极或阴极，且成为各别之相对电极的另一方的阴极或阳极则使用IZO废料，周期性地将极性加以反转进行电解，以铟及锌之氢氧化物的形态来对IZO废料进行回收；以及一种上述之自IZO废料回收有价金属之方法，其中，将上述借由进行电解所得之铟及锌的氢氧化物加以培烧，而以铟及锌之氧化物的形态来进行回收。提供一种从铟-锌氧化物(IZO)溅镀靶或在制造时所产生之IZO端材等IZO废料，有效率地回收铟及锌的方法。

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