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1. 发明专利

TW200915575A 顯示裝置及其製造方法 DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法 DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200915575A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097118918
申请日：2008-05-22
申请人：日立顯示器股份有限公司 HITACHI DISPLAYS, LTD.
发明人：境武志 , 宮澤敏夫 , 海東拓生 , 三宅秀和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78678
摘要：本發明係可讓使用多晶半導體之底閘極型TFT元件的電阻性漏洩電流減少。本發明之半導體裝置係具有TFT元件,其係在絕緣基板表面依序積層有閘極電極、閘極絕緣膜、半導體層、源極電極及汲極電極,且前述半導體層係包含多晶半導體所構成之能動層、及分別介在前述能動層與前述源極電極之間、及前述能動層與前述汲極電極之間之接觸層;前述源極電極及前述汲極電極係分別具有:第一面,其係與前述能動層的前述閘極絕緣膜之界面的背面對向、及第二面,其係與前述能動層的蝕刻端面對向;而前述接觸層係介在前述源極電極及前記汲極電極的前述第一面與前述能動層之間、及前述源極電極及前記汲極電極的前述第二面與前述能動層之間之所有區域。
简体摘要：本发明系可让使用多晶半导体之底闸极型TFT组件的电阻性漏泄电流减少。本发明之半导体设备系具有TFT组件,其系在绝缘基板表面依序积层有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体层、源极电极及汲极电极,且前述半导体层系包含多晶半导体所构成之能动层、及分别介在前述能动层与前述源极电极之间、及前述能动层与前述汲极电极之间之接触层;前述源极电极及前述汲极电极系分别具有:第一面,其系与前述能动层的前述闸极绝缘膜之界面的背面对向、及第二面,其系与前述能动层的蚀刻端面对向;而前述接触层系介在前述源极电极及前记汲极电极的前述第一面与前述能动层之间、及前述源极电极及前记汲极电极的前述第二面与前述能动层之间之所有区域。

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