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1. 发明专利

TWI668197B 氧化物靶材及其製造方法有权
简体标题：氧化物靶材及其制造方法
公开(公告)号：TWI668197B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107111813
申请日：2018-04-03
申请人：日商日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：上坂修治郎 , UESAKA, SHUUJIROH , 内山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 熊谷友正 , KUMAGAI, TOMOMASA , 玉田悠 , TAMADA, YUU
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34

2. 发明专利

TW201500570A 氧化物半導體靶材、氧化物半導體膜及其製造方法、與薄膜電晶體审中-公开
简体标题：氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、与薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201500570A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103113401
申请日：2014-04-11
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 福島英子 , FUKUSHIMA, HIDEKO
IPC分类号： C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：本發明旨在提供一種氧化物半導體靶材，由下列氧化物燒結體所構成：包含鋅、錫、氧、及相對於氧化物燒結體全質量，含有比為0.005質量％～0.2質量％之鋁，相對於該氧化物燒結體全質量之矽之含有比未滿0.03質量％。
简体摘要：本发明旨在提供一种氧化物半导体靶材，由下列氧化物烧结体所构成：包含锌、锡、氧、及相对于氧化物烧结体全质量，含有比为0.005质量％～0.2质量％之铝，相对于该氧化物烧结体全质量之硅之含有比未满0.03质量％。

3. 发明专利

TWI640098B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI640098B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106102357
申请日：2017-01-23
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 藤崎寿美子 , FUJISAKI, SUMIKO , 森塚翼 , MORITSUKA, TSUBASA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L51/50

4. 发明专利

TW201803130A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201803130A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106102357
申请日：2017-01-23
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 藤崎寿美子 , FUJISAKI, SUMIKO , 森塚翼 , MORITSUKA, TSUBASA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L51/50
摘要：本發明提高半導體裝置(薄膜電晶體)之特性。將半導體裝置以如下方式構成：具有形成於基板SUB上之閘極電極GE、於其上介隔閘極絕緣膜GI形成之第1金屬氧化物半導體膜MO1、形成於其上之第2金屬氧化物半導體膜MO2、及形成於其上之源極、汲極電極SD。並且，使第1金屬氧化物半導體膜MO1之端部較第2金屬氧化物半導體膜MO2之端部後退。根據此種構成，能夠確保下層之第1金屬氧化物半導體膜MO1與源極、汲極電極SD之距離。藉此，能夠防止源極、汲極電極SD與下層之第1金屬氧化物半導體膜MO1之短路，能夠提高電晶體特性。
简体摘要：本发明提高半导体设备(薄膜晶体管)之特性。将半导体设备以如下方式构成：具有形成于基板SUB上之闸极电极GE、于其上介隔闸极绝缘膜GI形成之第1金属氧化物半导体膜MO1、形成于其上之第2金属氧化物半导体膜MO2、及形成于其上之源极、汲极电极SD。并且，使第1金属氧化物半导体膜MO1之端部较第2金属氧化物半导体膜MO2之端部后退。根据此种构成，能够确保下层之第1金属氧化物半导体膜MO1与源极、汲极电极SD之距离。借此，能够防止源极、汲极电极SD与下层之第1金属氧化物半导体膜MO1之短路，能够提高晶体管特性。

5. 发明专利

TW201601215A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201601215A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104120731
申请日：2015-06-26
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 谷口文 , TANIGUCHI, TAKAFUMI , 矢部秀 , YAKABE, HIDETAKA
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要：本發明係一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置，其課題為在蝕刻加工將鋅作為主成分之氧化物半導體時，加以蝕刻氧化物半導體表面層，而招致過大的側蝕刻。解決手段為經由可選擇性僅蝕刻存在於氧化物半導體表面之氧化鋅相的前處理液，而於事前處理氧化物半導體表面之時，抑制形成於光致抗蝕劑與氧化物半導體界面之空隙，進而抑制氧化物半導體蝕刻加工後之側蝕刻量。
简体摘要：本发明系一种半导体设备之制造方法及半导体设备，其课题为在蚀刻加工将锌作为主成分之氧化物半导体时，加以蚀刻氧化物半导体表面层，而招致过大的侧蚀刻。解决手段为经由可选择性仅蚀刻存在于氧化物半导体表面之氧化锌相的前处理液，而于事前处理氧化物半导体表面之时，抑制形成于光致抗蚀剂与氧化物半导体界面之空隙，进而抑制氧化物半导体蚀刻加工后之侧蚀刻量。

6. 发明专利

TWI601840B 氧化物半導體靶材、氧化物半導體膜及其製造方法、與薄膜電晶體有权
简体标题：氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、与薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI601840B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103113401
申请日：2014-04-11
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 福島英子 , FUKUSHIMA, HIDEKO
IPC分类号： C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

7. 发明专利

TWI569325B 半導體裝置之製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI569325B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104120731
申请日：2015-06-26
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 谷口文 , TANIGUCHI, TAKAFUMI , 矢部秀 , YAKABE, HIDETAKA
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786

8. 发明专利

TWI532189B 氧化物半導體標靶及氧化物半導體材料以及使用此等之半導體裝置有权
简体标题：氧化物半导体标靶及氧化物半导体材料以及使用此等之半导体设备
公开(公告)号：TWI532189B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102128099
申请日：2013-08-06
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：若菜裕紀 , WAKANA, HIRONORI , 內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 福島英子 , FUKUSHIMA, HIDEKO
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/3244

9. 发明专利

TW201424006A 氧化物半導體標靶及氧化物半導體材料以及使用此等之半導體裝置审中-公开
简体标题：氧化物半导体标靶及氧化物半导体材料以及使用此等之半导体设备
公开(公告)号：TW201424006A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102128099
申请日：2013-08-06
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：若菜裕紀 , WAKANA, HIRONORI , 內山博幸 , UCHIYAMA, HIROYUKI , 福島英子 , FUKUSHIMA, HIDEKO
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/3244
摘要：本發明之課題，係提供一種氧化物半導體材料、使用該氧化物材料之濺鍍標靶、TFT之保護膜、及使用該等之氧化物半導體裝置，在不會發生難以實現通道蝕刻構造之選擇比小的課題、及保護膜形成時發生於膜中之缺氧的課題下，達成臨限電壓(Vth)之安定性(以PBS與NBIS，使臨限電壓偏移量ΔVth=±3V以內)、及OLED顯示裝置之動作所必要之5cm2/Vs以上的移動度。本發明之解決手段，係於以Zn-Sn-O為主要成份之半導體材料，以在各為0.07~3.8原子%、0.5~4.7原子%、0.32~6.4原子%之範圍內，添加5d過渡金屬氧化物之W、Ta、Hf之其中任一種或2種以上來燒結氧化物半導體材料之氧化物半導體標靶、使用該標靶所形成之半導體通道層及TFT保護膜用之氧化物半導體材料及具有該等之半導體裝置。
简体摘要：本发明之课题，系提供一种氧化物半导体材料、使用该氧化物材料之溅镀标靶、TFT之保护膜、及使用该等之氧化物半导体设备，在不会发生难以实现信道蚀刻构造之选择比小的课题、及保护膜形成时发生于膜中之缺氧的课题下，达成临限电压(Vth)之安定性(以PBS与NBIS，使临限电压偏移量ΔVth=±3V以内)、及OLED显示设备之动作所必要之5cm2/Vs以上的移动度。本发明之解决手段，系于以Zn-Sn-O为主要成份之半导体材料，以在各为0.07~3.8原子%、0.5~4.7原子%、0.32~6.4原子%之范围内，添加5d过渡金属氧化物之W、Ta、Hf之其中任一种或2种以上来烧结氧化物半导体材料之氧化物半导体标靶、使用该标靶所形成之半导体信道层及TFT保护膜用之氧化物半导体材料及具有该等之半导体设备。

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