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1. 发明专利

TW402808B 半導體記憶裝置失效
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW402808B
公开(公告)日：2000-08-21
申请号：TW086116551
申请日：1997-11-06
申请人：日立製作所股份有限公司 , 日立超愛爾.愛斯.愛工程股份有限公司
发明人：宮武伸一 , 加瀨重和 , 中村正行 , 長谷川雅俊 , 谷一彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C11/22
摘要：本發明係關於半導體記憶裝置，主要是關於利用於在記憶用電容器使用高電介質或強電介質之大記憶容量之動態型RAM（隨機存取記憶體）有效之技術者。於具有由位址選擇用MOSFET及資訊記憶用電容器形成，由中間電位形成之板極電壓被供給在上述資訊記憶用電容器之共通電極而形成之記憶體單元之半導體記憶裝置，上述板極電壓到達接近中間電位之規定之電位時，利用電壓檢出電路或計時電路間接的檢測出，在上述規定電位以下時，禁止上述字元線之選擇動作或使互補位元線預充電狀態地為上述中間電位，上述板極電壓在規定之電位到達上述規定電位後，解除上述動作可以做記憶體存取。
简体摘要：本发明系关于半导体记忆设备，主要是关于利用于在记忆用电容器使用高电介质或强电介质之大记忆容量之动态型RAM（随机存取内存）有效之技术者。于具有由位址选择用MOSFET及信息记忆用电容器形成，由中间电位形成之板极电压被供给在上述信息记忆用电容器之共通电极而形成之内存单元之半导体记忆设备，上述板极电压到达接近中间电位之规定之电位时，利用电压检出电路或计时电路间接的检测出，在上述规定电位以下时，禁止上述字符线之选择动作或使互补比特线预充电状态地为上述中间电位，上述板极电压在规定之电位到达上述规定电位后，解除上述动作可以做内存存取。

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