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1. 发明专利

TW201330305A 帶有鈍化膜的半導體基板及其製造方法、以及太陽電池元件及其製造方法审中-公开
简体标题：带有钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳电池组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201330305A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101150799
申请日：2012-12-28
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02167 , C08K5/56 , C09D101/28 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種帶有鈍化膜的半導體基板的製造方法，其包括：在半導體基板上形成電極的步驟；在上述半導體基板的形成有上述電極的面上，施用包含有機鋁化合物的半導體基板鈍化膜形成用組成物，而形成組成物層的步驟；以及對上述組成物層進行加熱處理，而形成鈍化膜的步驟。
简体摘要：本发明提供一种带有钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的步骤；在上述半导体基板的形成有上述电极的面上，施用包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组成物，而形成组成物层的步骤；以及对上述组成物层进行加热处理，而形成钝化膜的步骤。

2. 发明专利

TW201331283A 鈍化膜形成用組成物、帶有鈍化膜的半導體基板及其製造方法、以及太陽電池元件及其製造方法审中-公开
简体标题：钝化膜形成用组成物、带有钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳电池组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201331283A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101150801
申请日：2012-12-28
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO
IPC分类号： C08K5/56 , C08L1/00 , H01L21/316 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種包含下述通式(I)所示的有機鋁化合物及樹脂的鈍化膜形成用組成物。式中，R1分別獨立地表示碳數1~8的烷基。n表示0~3的整數。X2及X3分別獨立地表示氧原子或亞甲基。R2、R3及R4分別獨立地表示氫原子或碳數1~8的烷基：
简体摘要：本发明提供一种包含下述通式(I)所示的有机铝化合物及树脂的钝化膜形成用组成物。式中，R1分别独立地表示碳数1~8的烷基。n表示0~3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基：

3. 发明专利

TW201334198A 半導體基板用鈍化膜形成用材料、具有半導體基板用鈍化膜的半導體基板的製造方法、太陽電池元件及太陽電池元件的製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板用钝化膜形成用材料、具有半导体基板用钝化膜的半导体基板的制造方法、太阳电池组件及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TW201334198A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101150797
申请日：2012-12-28
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L23/295 , C08G2261/1426 , C08G2261/1452 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/3444 , C08G2261/91 , C08L65/00 , C08L65/02 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種含有具有酸性基的化合物的半導體基板用鈍化膜形成用材料。根據本發明，可利用簡便的方法形成具有優異鈍化效果的半導體基板用鈍化膜。
简体摘要：本发明提供一种含有具有酸性基的化合物的半导体基板用钝化膜形成用材料。根据本发明，可利用简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。

4. 发明专利

TW201920213A 矽倍半氧烷化合物的製造方法审中-公开
简体标题：硅倍半氧烷化合物的制造方法
公开(公告)号：TW201920213A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130023
申请日：2018-08-28
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：田中徹 , TANAKA, TOORU , 海野雅史 , UNNO, MASAFUMI
IPC分类号： C07F7/21
摘要：本發明提供一種矽倍半氧烷化合物的製造方法，其包括使下述通式（I）所表示的化合物、與下述通式（II）所表示的化合物進行反應的步驟，且製造下述通式（III）所表示的矽倍半氧烷化合物。下述通式（I）～通式（III）中，R1及R2分別獨立地表示氫、碳數1～8的烷基、碳數6～14的芳基、胺基烷基、含有胺基的基、含有腈基的基、含有乙烯基的基、含有(甲基)丙烯醯基的基、含有氯基的基、含有溴基的基、或包含三氟化硼錯合物化胺基的官能基，R3～R10分別獨立地表示碳數1～8的烷基、或碳數6～14的芳基，M表示選自由氫、鋰、鈉、及鉀所組成的群組中的至少一種元素。
简体摘要：本发明提供一种硅倍半氧烷化合物的制造方法，其包括使下述通式（I）所表示的化合物、与下述通式（II）所表示的化合物进行反应的步骤，且制造下述通式（III）所表示的硅倍半氧烷化合物。下述通式（I）～通式（III）中，R1及R2分别独立地表示氢、碳数1～8的烷基、碳数6～14的芳基、胺基烷基、含有胺基的基、含有腈基的基、含有乙烯基的基、含有(甲基)丙烯酰基的基、含有氯基的基、含有溴基的基、或包含三氟化硼错合物化胺基的官能基，R3～R10分别独立地表示碳数1～8的烷基、或碳数6～14的芳基，M表示选自由氢、锂、钠、及钾所组成的群组中的至少一种元素。

5. 发明专利

TW201411862A 太陽電池元件及其製造方法及太陽電池模組审中-公开
简体标题：太阳电池组件及其制造方法及太阳电池模块
公开(公告)号：TW201411862A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102126000
申请日：2013-07-19
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種太陽電池元件，其含有：半導體基板，具有受光面及與上述受光面相反側的背面，且於上述背面具有含有p型雜質的p型擴散區域及含有n型雜質的n型擴散區域；鈍化層，設置於上述半導體基板的背面的一部分或全部的區域，含有選自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所組成的組群中的一種以上；第一金屬電極，設置於上述p型擴散區域的至少一部分；以及第二金屬電極，設置於上述n型擴散區域的至少一部分。
简体摘要：本发明提供一种太阳电池组件，其含有：半导体基板，具有受光面及与上述受光面相反侧的背面，且于上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域；钝化层，设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域，含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所组成的组群中的一种以上；第一金属电极，设置于上述p型扩散区域的至少一部分；以及第二金属电极，设置于上述n型扩散区域的至少一部分。

6. 发明专利

TW201409731A 太陽電池元件及其製造方法及太陽電池模組审中-公开
简体标题：太阳电池组件及其制造方法及太阳电池模块
公开(公告)号：TW201409731A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102125999
申请日：2013-07-19
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種太陽電池元件，其具有：半導體基板，具有受光面及與上述受光面為相反側的背面；第一雜質擴散區域，配置於上述受光面的一部分上，且擴散有雜質；第二雜質擴散區域，配置於上述受光面上，且雜質濃度低於第一雜質擴散區域；受光面電極，配置於上述第一雜質擴散區域的至少一部分上；背面電極，配置於上述背面上；以及鈍化層，配置於上述受光面及背面的至少一個面上，且含有選自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所組成的組群中的一種以上。
简体摘要：本发明提供一种太阳电池组件，其具有：半导体基板，具有受光面及与上述受光面为相反侧的背面；第一杂质扩散区域，配置于上述受光面的一部分上，且扩散有杂质；第二杂质扩散区域，配置于上述受光面上，且杂质浓度低于第一杂质扩散区域；受光面电极，配置于上述第一杂质扩散区域的至少一部分上；背面电极，配置于上述背面上；以及钝化层，配置于上述受光面及背面的至少一个面上，且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所组成的组群中的一种以上。

7. 发明专利

TW201408676A 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法及太陽電池审中-公开
简体标题：钝化层形成用组成物、带有钝化层的半导体基板、带有钝化层的半导体基板的制造方法、太阳电池组件、太阳电池组件的制造方法及太阳电池
公开(公告)号：TW201408676A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102126034
申请日：2013-07-19
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： C07F5/00 , C07F7/00 , C07F9/00 , C07F5/06 , H01L31/0248 , H01L31/04 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種鈍化層形成用組成物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物與選自由脂肪酸醯胺、聚烯烴二醇化合物及有機填料所組成的組群中的至少一種。M含有選自由Nb、Ta、V、Y及Hf所組成的組群中的至少一種金屬元素。R1分別獨立地表示碳數1~8的烷基或碳數6~14的芳基。m表示1~5的整數。
简体摘要：本发明提供一种钝化层形成用组成物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物与选自由脂肪酸酰胺、聚烯烃二醇化合物及有机填料所组成的组群中的至少一种。M含有选自由Nb、Ta、V、Y及Hf所组成的组群中的至少一种金属元素。R1分别独立地表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基。m表示1~5的整数。

8. 发明专利

TW201406768A 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板及其製造方法、以及太陽電池元件及其製造方法审中-公开
简体标题：钝化层形成用组成物、带有钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳电池组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201406768A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102125996
申请日：2013-07-19
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： C07F5/00 , C07F7/00 , C07F7/18 , H01B1/12 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02167 , C08G77/58 , C08K5/05 , C08L83/02 , C09D183/02 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種鈍化層形成用組成物，其含有：通式(I)所表示的烷醇鹽的至少一種，選自由鈦化合物、鋯化合物及烷醇矽所組成的組群中的至少一種化合物，溶劑以及樹脂。M(OR1)m (I) 通式(I)中，M含有選自由Nb、Ta、V、Y及Hf所組成的組群中的至少一種金屬元素。R1表示碳數1~8的烷基或碳數6~14的芳基。m表示1~5的整數。
简体摘要：本发明提供一种钝化层形成用组成物，其含有：通式(I)所表示的烷醇盐的至少一种，选自由钛化合物、锆化合物及烷醇硅所组成的组群中的至少一种化合物，溶剂以及树脂。M(OR1)m (I) 通式(I)中，M含有选自由Nb、Ta、V、Y及Hf所组成的组群中的至少一种金属元素。R1表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基。m表示1~5的整数。

9. 发明专利

TWI605052B 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板之製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池有权
简体标题：钝化层形成用组成物、带有钝化层的半导体基板、带有钝化层的半导体基板之制造方法、太阳电池组件、太阳电池组件的制造方法以及太阳电池
公开(公告)号：TWI605052B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102125041
申请日：2013-07-12
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：田中徹 , TANAKA, TOORU , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI
IPC分类号： C07F5/06 , C07C35/08 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , C23C18/1216 , H01L31/022425 , H01L31/1868 , Y02E10/547

10. 发明专利

TWI599064B 鈍化膜、塗佈型材料、太陽電池元件及帶有鈍化膜的矽基板有权
简体标题：钝化膜、涂布型材料、太阳电池组件及带有钝化膜的硅基板
公开(公告)号：TWI599064B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102125997
申请日：2013-07-19
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

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