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    • 4. 发明专利
    • 矽倍半氧烷化合物的製造方法
    • 硅倍半氧烷化合物的制造方法
    • TW201920213A
    • 2019-06-01
    • TW107130023
    • 2018-08-28
    • 日商日立化成股份有限公司HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
    • 田中徹TANAKA, TOORU海野雅史UNNO, MASAFUMI
    • C07F7/21
    • 本發明提供一種矽倍半氧烷化合物的製造方法,其包括使下述通式(I)所表示的化合物、與下述通式(II)所表示的化合物進行反應的步驟,且製造下述通式(III)所表示的矽倍半氧烷化合物。下述通式(I)~通式(III)中,R1及R2分別獨立地表示氫、碳數1~8的烷基、碳數6~14的芳基、胺基烷基、含有胺基的基、含有腈基的基、含有乙烯基的基、含有(甲基)丙烯醯基的基、含有氯基的基、含有溴基的基、或包含三氟化硼錯合物化胺基的官能基,R3~R10分別獨立地表示碳數1~8的烷基、或碳數6~14的芳基,M表示選自由氫、鋰、鈉、及鉀所組成的群組中的至少一種元素。
    • 本发明提供一种硅倍半氧烷化合物的制造方法,其包括使下述通式(I)所表示的化合物、与下述通式(II)所表示的化合物进行反应的步骤,且制造下述通式(III)所表示的硅倍半氧烷化合物。下述通式(I)~通式(III)中,R1及R2分别独立地表示氢、碳数1~8的烷基、碳数6~14的芳基、胺基烷基、含有胺基的基、含有腈基的基、含有乙烯基的基、含有(甲基)丙烯酰基的基、含有氯基的基、含有溴基的基、或包含三氟化硼错合物化胺基的官能基,R3~R10分别独立地表示碳数1~8的烷基、或碳数6~14的芳基,M表示选自由氢、锂、钠、及钾所组成的群组中的至少一种元素。