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    • 5. 发明专利
      TWI318991B 絕緣材料、薄膜、電路基板及此等之製造方法 有权
    • 絕緣材料、薄膜、電路基板及此等之製造方法
    • 绝缘材料、薄膜、电路基板及此等之制造方法
    • TWI318991B
    • 2010-01-01
    • TW093113980
    • 2004-05-18
    • 日立化成工業股份有限公司
    • 神代恭 , 平田善毅 , 高根澤伸 , 島田靖 , 大塚和久 , 栗谷弘之 , 山本和德
    • C08K , H01B , H05K , B32B
    • H05K1/162 , H01B3/30 , H05K2201/0209 , H05K2201/0266 , Y10T428/25 , Y10T428/269 , Y10T428/31678
    • 本發明之目的在提供，粒徑分布中呈示不同粒徑範圍之二尖峰的電容率50以上之填料，與絕緣性樹脂複合化之電容率10以上的絕緣材料；含必要成分1)選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉀、鈦酸鎂、鈦酸鉛、二氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、鋯酸鉛所成群之一種以上填料，2)絕緣性樹脂，及3)含羧基之分散劑的電容率10以上之絕緣材料；或者，以電容率50以上之填料，用以分散填料之分散劑及絕緣樹脂為必要成分之絕緣材料：其係於120℃、20小時之條件下，用耐壓容器以水進行萃取絕緣材料硬化物，所得萃取液之pH在6以上之絕緣材料。 【創作特點】 本發明之第一實施樣態係有關於，粒度分布中在不同粒徑範圍呈二尖峰之電容率50以上的填料，經與絕緣樹脂複合化的電容率10以上之絕緣材料。
      本發明之第二實施樣態係有關於，含必要成分1)選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉀、鈦酸鎂、鈦酸鉛、二氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、鋯酸鉛所成群之一種以上填料，2)絕緣樹脂，以及3)含羧酸之分散劑的電容率10以上之絕緣材料。
      本發明之第三實施樣態係有關於，以電容率50以上之填料，用以分散填料之分散劑，以及絕緣樹脂為必要成分，將絕緣材料硬化物以120℃、20小時之條件，用耐壓容器以水萃取，所得萃取液之pH在6以上的絕緣材料。
      第一實施樣態中，電容率50以上之填料係以，於累積率50%含有粒徑不同之二種填料為佳。電容率50以上之填料，係以含有累積率50%的粒徑不同之二種填料而累積率50%的粒徑在1至3微米為更佳。更佳者為，二種填料係含有，於累積率50%粒徑在1至5微米之電容率50以上的填料，及累積率50%的粒徑0.01至1微米之電容率50以上的填料。又更佳者為，含有全部填料的50重量%以上之累積率50%的粒徑1至5微米之填料，其餘係累積率50%的粒徑0.01至1微米之填料。
      第二實施樣態中，含羧基之分散劑係以含羧基之聚合物為較佳。
      第一至三之實施樣態中，電容率50以上的填料之含有率以占絕緣材料100體積份之30至90體積份為佳。
      第一及第三實施樣態中，填料係以選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉀、鈦酸鎂、鈦酸鉛、二氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣及鋯酸鉛所成群之一種以上為佳。
      第一至三實施樣態中，絕緣樹脂係以含重量平均分子量1萬以上，能成膜之高分子量成分，及熱硬化性成分為佳。高分子量成分以於絕緣樹脂中含5至95重量%為佳。較佳之高分子量成分係選自苯氧樹脂類、聚醯胺醯亞胺樹脂類、聚丙烯腈樹脂類、聚苯醚樹脂類及聚丙烯腈丁二烯樹脂類之一種以上的成分。熱硬化性成分較佳者為，含環氧樹脂及其硬化劑酚樹脂。
      依第一至三實施樣態之絕緣材料可塗敷於金屬箔上作為可熱壓黏合之薄膜，此時經塗敷之絕緣材料亦可係經半硬化。又，亦可將絕緣材料塗敷於塑膠膜上作為可熱壓黏合之薄膜，亦可使經塗敷之絕緣材料半硬化。又再，亦可製成於絕緣材料之兩面設導電層之薄膜，此時絕緣材料亦可係經硬化。
      又，亦可使依第一或第二實施樣態之絕緣材料成為3至100微米之絕緣層或熱硬化絕緣層，製成具有該層之電路基板。亦可使依第三實施樣態之絕緣材料成為3至100微米，較佳者為10至100微米之絕緣層或熱硬化絕緣層，製成具備該層之電路基板。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，將上述絕緣材料塗敷於電路上，作為絕緣層的電路基板之製造方法。該製造方法亦可含熱硬化過程。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，於上述附有金屬箔之絕緣材料的無金屬箔之樹脂面，經熱壓合以新金屬箔黏合，製造兩面附有金屬箔的絕緣材料之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，將上述附有金屬箔之絕緣材料，經熱壓合黏合於形成有所欲電路圖型之電路基板上，作為絕緣層，製造電路基板之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，自上述薄膜去除塑膠載膜，於絕緣材料之兩面以金屬箔貼合經熱壓合製造薄膜之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，自上述薄膜去除塑膠載膜，於絕緣材料之兩面以形成有電路圖型之電路基板配合，經熱壓合作為絕緣層製造電路基板之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，自上述薄膜去除塑膠載膜，於絕緣材料之一面以形成有電路圖型之電路基板貼合，另一面以導電性金屬箔貼合，經熱壓合黏合製造電路基板之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，自上述薄膜去除塑膠載膜，於形成所欲電路圖型之電路基板上熱壓合黏合，或將上述薄膜熱壓合黏合於形成有所欲電路圖型之電路基板上後去除塑膠載膜，於絕緣材料上作導電性鍍層，導電性材料之濺鍍或導電性塗料之塗敷以形成導體製造電路基板之方法。
      又再，本發明之實施樣態係有關於，在形成於電路基板上之薄膜上，作導電性鍍層，導電性材料之濺鍍或導電性塗料之塗敷，以形成導體，製造電路基板之方法。
      根據第一實施樣態，因組合二種填料，填料可高充填率化，絕緣材料可高電容率化。因可使用小粒徑之填料，高電容率絕緣材料可薄型化。又，可提供高電容率化及取用性優之絕緣淸漆，及使用該絕緣淸漆之多層印刷電路板。
      根據第二實施樣態，可以提供高電容率化及取用性優之絕緣淸漆，及使用該絕緣淸漆的多層印刷電路板。
      根據第三實施樣態，可以提供高電容率化及可靠性優之絕緣淸漆，及使用該絕緣淸漆的多層印刷電路板。而在此所謂可靠性係指絕緣材料之絕緣劣化的指標。通常，用於電路板之絕緣材料，為免實際使用時發生絕緣劣化，事先作絕緣可靠性評估。此係例如將材料設置於85℃、85% RH之高溫高濕層中，施加所欲之電壓以加速試驗進行評估。以該加速試驗，即可於短時間預測實際使用時之絕緣劣化。
      本說明書係有關於日本專利申請特願2003-140704號(申請日期2003年5月19日)、特願2003-140714號(申請日期2003年5月19日)及特願2003-162001號(申請日期2003年6月6日)所含之主題者，茲參考該等全體組合於本說明書中。
    • 本发明之目的在提供，粒径分布中呈示不同粒径范围之二尖峰的电容率50以上之填料，与绝缘性树脂复合化之电容率10以上的绝缘材料；含必要成分1)选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸钾、钛酸镁、钛酸铅、二氧化钛、锆酸钡、锆酸钙、锆酸铅所成群之一种以上填料，2)绝缘性树脂，及3)含羧基之分散剂的电容率10以上之绝缘材料；或者，以电容率50以上之填料，用以分散填料之分散剂及绝缘树脂为必要成分之绝缘材料：其系于120℃、20小时之条件下，用耐压容器以水进行萃取绝缘材料硬化物，所得萃取液之pH在6以上之绝缘材料。 【创作特点】 本发明之第一实施样态系有关于，粒度分布中在不同粒径范围呈二尖峰之电容率50以上的填料，经与绝缘树脂复合化的电容率10以上之绝缘材料。 本发明之第二实施样态系有关于，含必要成分1)选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸钾、钛酸镁、钛酸铅、二氧化钛、锆酸钡、锆酸钙、锆酸铅所成群之一种以上填料，2)绝缘树脂，以及3)含羧酸之分散剂的电容率10以上之绝缘材料。 本发明之第三实施样态系有关于，以电容率50以上之填料，用以分散填料之分散剂，以及绝缘树脂为必要成分，将绝缘材料硬化物以120℃、20小时之条件，用耐压容器以水萃取，所得萃取液之pH在6以上的绝缘材料。 第一实施样态中，电容率50以上之填料系以，于累积率50%含有粒径不同之二种填料为佳。电容率50以上之填料，系以含有累积率50%的粒径不同之二种填料而累积率50%的粒径在1至3微米为更佳。更佳者为，二种填料系含有，于累积率50%粒径在1至5微米之电容率50以上的填料，及累积率50%的粒径0.01至1微米之电容率50以上的填料。又更佳者为，含有全部填料的50重量%以上之累积率50%的粒径1至5微米之填料，其余系累积率50%的粒径0.01至1微米之填料。 第二实施样态中，含羧基之分散剂系以含羧基之聚合物为较佳。 第一至三之实施样态中，电容率50以上的填料之含有率以占绝缘材料100体积份之30至90体积份为佳。 第一及第三实施样态中，填料系以选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸钾、钛酸镁、钛酸铅、二氧化钛、锆酸钡、锆酸钙及锆酸铅所成群之一种以上为佳。 第一至三实施样态中，绝缘树脂系以含重量平均分子量1万以上，能成膜之高分子量成分，及热硬化性成分为佳。高分子量成分以于绝缘树脂中含5至95重量%为佳。较佳之高分子量成分系选自苯氧树脂类、聚酰胺酰亚胺树脂类、聚丙烯腈树脂类、聚苯醚树脂类及聚丙烯腈丁二烯树脂类之一种以上的成分。热硬化性成分较佳者为，含环氧树脂及其硬化剂酚树脂。 依第一至三实施样态之绝缘材料可涂敷于金属箔上作为可热压黏合之薄膜，此时经涂敷之绝缘材料亦可系经半硬化。又，亦可将绝缘材料涂敷于塑胶膜上作为可热压黏合之薄膜，亦可使经涂敷之绝缘材料半硬化。又再，亦可制成于绝缘材料之两面设导电层之薄膜，此时绝缘材料亦可系经硬化。 又，亦可使依第一或第二实施样态之绝缘材料成为3至100微米之绝缘层或热硬化绝缘层，制成具有该层之电路基板。亦可使依第三实施样态之绝缘材料成为3至100微米，较佳者为10至100微米之绝缘层或热硬化绝缘层，制成具备该层之电路基板。 又再，本发明之实施样态系有关于，将上述绝缘材料涂敷于电路上，作为绝缘层的电路基板之制造方法。该制造方法亦可含热硬化过程。 又再，本发明之实施样态系有关于，于上述附有金属箔之绝缘材料的无金属箔之树脂面，经热压合以新金属箔黏合，制造两面附有金属箔的绝缘材料之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，将上述附有金属箔之绝缘材料，经热压合黏合于形成有所欲电路图型之电路基板上，作为绝缘层，制造电路基板之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，自上述薄膜去除塑胶载膜，于绝缘材料之两面以金属箔贴合经热压合制造薄膜之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，自上述薄膜去除塑胶载膜，于绝缘材料之两面以形成有电路图型之电路基板配合，经热压合作为绝缘层制造电路基板之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，自上述薄膜去除塑胶载膜，于绝缘材料之一面以形成有电路图型之电路基板贴合，另一面以导电性金属箔贴合，经热压合黏合制造电路基板之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，自上述薄膜去除塑胶载膜，于形成所欲电路图型之电路基板上热压合黏合，或将上述薄膜热压合黏合于形成有所欲电路图型之电路基板上后去除塑胶载膜，于绝缘材料上作导电性镀层，导电性材料之溅镀或导电性涂料之涂敷以形成导体制造电路基板之方法。 又再，本发明之实施样态系有关于，在形成于电路基板上之薄膜上，作导电性镀层，导电性材料之溅镀或导电性涂料之涂敷，以形成导体，制造电路基板之方法。 根据第一实施样态，因组合二种填料，填料可高充填率化，绝缘材料可高电容率化。因可使用小粒径之填料，高电容率绝缘材料可薄型化。又，可提供高电容率化及取用性优之绝缘淸漆，及使用该绝缘淸漆之多层印刷电路板。 根据第二实施样态，可以提供高电容率化及取用性优之绝缘淸漆，及使用该绝缘淸漆的多层印刷电路板。 根据第三实施样态，可以提供高电容率化及可靠性优之绝缘淸漆，及使用该绝缘淸漆的多层印刷电路板。而在此所谓可靠性系指绝缘材料之绝缘劣化的指针。通常，用于电路板之绝缘材料，为免实际使用时发生绝缘劣化，事先作绝缘可靠性评估。此系例如将材料设置于85℃、85% RH之高温高湿层中，施加所欲之电压以加速试验进行评估。以该加速试验，即可于短时间预测实际使用时之绝缘劣化。 本说明书系有关于日本专利申请特愿2003-140704号(申请日期2003年5月19日)、特愿2003-140714号(申请日期2003年5月19日)及特愿2003-162001号(申请日期2003年6月6日)所含之主题者，兹参考该等全体组合于本说明书中。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 8. 发明专利
      TW425423B 接著劑,接著劑膜及接著劑塗膜之金屬箔 失效
    • 接著劑,接著劑膜及接著劑塗膜之金屬箔
    • 接着剂,接着剂膜及接着剂涂膜之金属箔
    • TW425423B
    • 2001-03-11
    • TW085103901
    • 1996-04-02
    • 日立化成工業股份有限公司
    • 田禎一 , 山本和德 , 島田靖 , 神代恭
    • C09J
    • B32B15/08 , B32B7/12 , C08L2666/02 , C09J163/00 , H05K3/386 , Y10S525/93 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529
    • 一種接著劑，包括（ｌ）全部１００重量份之一具有少於５，000重量平均分子量之環氧樹脂和供環氧樹脂之硬化劑，（２）１０至４０重量份之高分子量組份，其與環氧樹脂相溶且具有不少於３０，000之重量平均分子量，（３）３０至１00重量份之高分子量組份，其不與環氧樹脂相溶且具有不少於３０，000之重量平均分子量，及（４）０.１至５重量份之熱化加速劑，接著劑具有優良之防潮性，耐熱性，在高溫下之接著強度，輻射性，絕緣可靠性，阻裂性及可撓性，且因其合適之流動性，亦具有優良之接著性及填充電路隙縫的能力。
    • 一种接着剂，包括（ｌ）全部１００重量份之一具有少于５，000重量平均分子量之环氧树脂和供环氧树脂之硬化剂，（２）１０至４０重量份之高分子量组份，其与环氧树脂相溶且具有不少于３０，000之重量平均分子量，（３）３０至１00重量份之高分子量组份，其不与环氧树脂相溶且具有不少于３０，000之重量平均分子量，及（４）０.１至５重量份之热化加速剂，接着剂具有优良之防潮性，耐热性，在高温下之接着强度，辐射性，绝缘可靠性，阻裂性及可挠性，且因其合适之流动性，亦具有优良之接着性及填充电路隙缝的能力。
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