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1. 发明专利

TW201802223A 研磨劑以及使用該研磨劑的基板研磨方法审中-公开
简体标题：研磨剂以及使用该研磨剂的基板研磨方法
公开(公告)号：TW201802223A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106134040
申请日：2009-04-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：星陽介 , HOSHI,YOUSUKE , 龍崎大介 , RYUZAKI,DAISUKE , 小山直之 , KOYAMA,NAOYUKI , 野部茂 , NOBE,SHIGERU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
摘要：一種研磨劑，其含有水、四價的金屬氫氧化物粒子及添加劑，並且，該添加劑包含陽離子性的聚合物及多糖類中的至少一種。本發明的研磨劑於對絕緣膜進行平坦化的CMP技術中，可高速且研磨刮痕較少地對絕緣膜進行研磨，而且本發明的研磨劑對氧化矽膜與擋止膜具有高研磨速度比。另外，本發明是一種保管該研磨劑時的研磨劑套組、以及使用該研磨劑的基板研磨方法。
简体摘要：一种研磨剂，其含有水、四价的金属氢氧化物粒子及添加剂，并且，该添加剂包含阳离子性的聚合物及多糖类中的至少一种。本发明的研磨剂于对绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可高速且研磨刮痕较少地对绝缘膜进行研磨，而且本发明的研磨剂对氧化硅膜与挡止膜具有高研磨速度比。另外，本发明是一种保管该研磨剂时的研磨剂套组、以及使用该研磨剂的基板研磨方法。

2. 发明专利

TW201226546A 漿料、研磨液組、研磨液、基板的研磨方法及基板 SLURRY, POLISHING FLUID SET, POLISHING FLUID, POLISHING METHOD OF SUBSTRATE AND SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：浆料、研磨液组、研磨液、基板的研磨方法及基板 SLURRY, POLISHING FLUID SET, POLISHING FLUID, POLISHING METHOD OF SUBSTRATE AND SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201226546A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100142634
申请日：2011-11-22
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：岩野友洋 , 成田武憲 , 龍崎大介
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K13/12 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要：本實施形態的研磨液含有研磨粒、添加劑及水，研磨粒滿足下述條件（a）或者（b）的至少一種。（a）在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400nm的光的吸光度為1.50以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500nm的光的透光率為50%/cm以上。（b）在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長290nm的光的吸光度為1.000以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500nm的光的透光率為50%/cm以上。
简体摘要：本实施形态的研磨液含有研磨粒、添加剂及水，研磨粒满足下述条件（a）或者（b）的至少一种。（a）在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长400nm的光的吸光度为1.50以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500nm的光的透光率为50%/cm以上。（b）在将研磨粒的含量调整为0.0065质量%的水分散液中对波长290nm的光的吸光度为1.000以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500nm的光的透光率为50%/cm以上。

3. 发明专利

TW201323591A 漿料、研磨液組、研磨液、基板的研磨方法及基板审中-公开
简体标题：浆料、研磨液组、研磨液、基板的研磨方法及基板
公开(公告)号：TW201323591A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW102107716
申请日：2011-11-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：岩野友洋 , IWANO, TOMOHIRO , 成田武憲 , NARITA, TAKENORI , 龍崎大介 , RYUZAKI, DAISUKE
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K13/12 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要：本實施形態的研磨液含有研磨粒、添加劑及水，研磨粒滿足下述條件(a)或者(b)的至少一種。(a)在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上。(b)在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上。
简体摘要：本实施形态的研磨液含有研磨粒、添加剂及水，研磨粒满足下述条件(a)或者(b)的至少一种。(a)在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长400 nm的光的吸光度为1.50以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500 nm的光的透光率为50%/cm以上。(b)在将研磨粒的含量调整为0.0065质量%的水分散液中对波长290 nm的光的吸光度为1.000以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500 nm的光的透光率为50%/cm以上。

4. 发明专利

TW201132749A 研漿、研磨液套組以及使用其之基板研磨方法 SLURRY, ABRASIVE SOLUTION SET, ABRASIVE SOLUTION AND SUBSTRATE POLISHING METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：研浆、研磨液套组以及使用其之基板研磨方法 SLURRY, ABRASIVE SOLUTION SET, ABRASIVE SOLUTION AND SUBSTRATE POLISHING METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW201132749A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW100103132
申请日：2011-01-27
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：岩野友洋 , 秋元啟孝 , 成田武憲 , 木村忠廣 , 龍崎大介
IPC分类号： C09K , C01F , B24B , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要：本發明的漿料含有研磨粒與水，研磨粒包含4價的氫氧化鈰粒子，且使將該研磨粒的含有量調整為1.0質量％的水分散液相對於波長為500nm的光的光透射率為50％/cm以上。本發明的研磨液含有研磨粒、添加劑、以及水，研磨粒包含4價的氫氧化鈰粒子，且使將該研磨粒的含有量調整為1.0質量％的水分散液相對於波長為500nm的光的光透射率為50％/cm以上。
简体摘要：本发明的浆料含有研磨粒与水，研磨粒包含4价的氢氧化铈粒子，且使将该研磨粒的含有量调整为1.0质量％的水分散液相对于波长为500nm的光的光透射率为50％/cm以上。本发明的研磨液含有研磨粒、添加剂、以及水，研磨粒包含4价的氢氧化铈粒子，且使将该研磨粒的含有量调整为1.0质量％的水分散液相对于波长为500nm的光的光透射率为50％/cm以上。

5. 发明专利

TW201105784A 研磨劑、研磨劑組以及基板研磨方法 POLISHING AGENT, POLISHING AGENT SET AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：研磨剂、研磨剂组以及基板研磨方法 POLISHING AGENT, POLISHING AGENT SET AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201105784A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099118389
申请日：2010-06-07
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：龍崎大介 , 星陽介 , 野部茂 , 榎本和宏
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/31053
摘要：本發明關於一種研磨劑,其包含水、研磨粒及添加劑,且上述研磨粒含有4價金屬氫氧化物粒子,上述添加劑中的至少一種成分為皂化度小於等於95莫耳百分比的聚乙烯醇。另外,本發明關於一種將該研磨劑分成包含粒子的漿料與包含添加劑的添加液而保管的研磨劑組、以及使用上述研磨劑對被研磨膜進行研磨的基板研磨方法。藉此提供在將STI絕緣膜、前金屬絕緣膜、層間絕緣膜等平坦化的CMP技術中,可高速且低研磨痕跡地對氧化矽膜等絕緣膜進行研磨,且具有上述絕緣膜與多晶矽膜的較高研磨速度比的研磨劑、研磨劑組以及基板研磨方法。
简体摘要：本发明关于一种研磨剂,其包含水、研磨粒及添加剂,且上述研磨粒含有4价金属氢氧化物粒子,上述添加剂中的至少一种成分为皂化度小于等于95莫耳百分比的聚乙烯醇。另外,本发明关于一种将该研磨剂分成包含粒子的浆料与包含添加剂的添加液而保管的研磨剂组、以及使用上述研磨剂对被研磨膜进行研磨的基板研磨方法。借此提供在将STI绝缘膜、前金属绝缘膜、层间绝缘膜等平坦化的CMP技术中,可高速且低研磨痕迹地对氧化硅膜等绝缘膜进行研磨,且具有上述绝缘膜与多晶硅膜的较高研磨速度比的研磨剂、研磨剂组以及基板研磨方法。

6. 发明专利

TW201612293A 研磨劑以及使用該研磨劑的基板研磨方法审中-公开
简体标题：研磨剂以及使用该研磨剂的基板研磨方法
公开(公告)号：TW201612293A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104143752
申请日：2009-04-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：星陽介 , HOSHI,YOUSUKE , 龍崎大介 , RYUZAKI,DAISUKE , 小山直之 , KOYAMA,NAOYUKI , 野部茂 , NOBE,SHIGERU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
摘要：一種研磨劑，其含有水、四價的金屬氫氧化物粒子及添加劑，並且，該添加劑包含陽離子性的聚合物及多糖類中的至少一種。本發明的研磨劑於對絕緣膜進行平坦化的CMP技術中，可高速且研磨刮痕較少地對絕緣膜進行研磨，而且本發明的研磨劑對氧化矽膜與擋止膜具有高研磨速度比。另外，本發明是一種保管該研磨劑時的研磨劑套組、以及使用該研磨劑的基板研磨方法。
简体摘要：一种研磨剂，其含有水、四价的金属氢氧化物粒子及添加剂，并且，该添加剂包含阳离子性的聚合物及多糖类中的至少一种。本发明的研磨剂于对绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可高速且研磨刮痕较少地对绝缘膜进行研磨，而且本发明的研磨剂对氧化硅膜与挡止膜具有高研磨速度比。另外，本发明是一种保管该研磨剂时的研磨剂套组、以及使用该研磨剂的基板研磨方法。

7. 发明专利

TW201116614A 研磨劑、濃縮１液式研磨劑、２液式研磨劑以及基板研磨方法 ABRASIVE AGENT, CONDENSED ONE-LIQUID TYPE ABRASIVE AGENT, TWO-LIQUID TYPE ABRASIVE AGENT AND POLISHING METHOD OF SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：研磨剂、浓缩１液式研磨剂、２液式研磨剂以及基板研磨方法 ABRASIVE AGENT, CONDENSED ONE-LIQUID TYPE ABRASIVE AGENT, TWO-LIQUID TYPE ABRASIVE AGENT AND POLISHING METHOD OF SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201116614A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099131828
申请日：2010-09-20
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：龍崎大介 , 成田武憲 , 星陽介 , 岩野友洋
IPC分类号： C09K , H01L , B24B
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/31053
摘要：本發明之研磨劑含有：4價金屬氫氧化物粒子；陽離子化聚乙烯醇；選自由胺醣、該胺醣之衍生物、具有胺醣之多糖類以及該多糖類之衍生物所組成之群組的至少一種糖類；水。本發明之基板研磨方法包括如下之步驟：於將形成有氧化矽膜（被研磨膜）1之矽基板2的該氧化矽膜1按壓於研磨定盤之研磨墊上的狀態下，一面將本發明之研磨劑供給至氧化矽膜1與研磨墊之間，一面使基板2與研磨定盤相對性移動而對氧化矽膜1進行研磨。
简体摘要：本发明之研磨剂含有：4价金属氢氧化物粒子；阳离子化聚乙烯醇；选自由胺糖、该胺糖之衍生物、具有胺糖之多糖类以及该多糖类之衍生物所组成之群组的至少一种糖类；水。本发明之基板研磨方法包括如下之步骤：于将形成有氧化硅膜（被研磨膜）1之硅基板2的该氧化硅膜1按压于研磨定盘之研磨垫上的状态下，一面将本发明之研磨剂供给至氧化硅膜1与研磨垫之间，一面使基板2与研磨定盘相对性移动而对氧化硅膜1进行研磨。

8. 发明专利

TWI322469B 有機矽氧烷膜及使用其之半導體裝置失效
简体标题：有机硅氧烷膜及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TWI322469B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW094119388
申请日：2005-06-10
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：龍崎大介 , 福田宏
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , Y10T428/31612
摘要：本發明係提供介電率極低之有機矽氧烷膜的介電率壽命為10年以上之材料設計指南。
其比介電率係為2.1以下之有機矽氧烷膜，相對於膜中的矽量，其碳量之元素比為0.10以上0.55以下。【創作特點】有鑑於上述多孔質有機矽氧烷膜的課題，本發明係以提供低介電率的多孔質有機矽氧烷膜的比介電率壽命為10年以上的材料設計指標為目的。又，以提供使用多孔質有機矽氧烷膜為層間絕緣膜之高性能、高信頼的半導體裝置及平面顯示裝置為目的。
上述課題之比介電率為2.1以下的有機矽氧烷膜，可由對矽量之碳量(以下為碳量/矽量)以元素比為0.1以上0.55以下所達成。以下以實驗事實為基礎說明其根據。
準備複數碳量/矽量為0.45~0.65，比介電率為2.1的有機矽氧烷膜，測定比介電率壽命。此處，碳量/矽量、比介電率、比介電率壽命依以下的測定方法測定。
〔碳量/矽量的測定方法〕為測定碳量/矽量的定量，以使用俄歇(Auger)電子分光(AES)分析為理想。傅立葉(Fourier)變換型紅外分光(FT－IR)久缺定量性不理想。本發明相關的有機矽氧烷膜的碳量/矽量，係將有機矽氧烷膜的清淨表面於AES分析裝置內以1μm徑光束測定時的碳元素濃度與矽元素濃度之比。具體的係於基板上僅形成膜厚200 nm±20 nm的有機矽氧烷膜之試料成型為約1 cm四方，將其導入AES分析裝置(Physical Elctronics公司PHI 670)。接著，於AES分析裝置內以氬分壓10 mPa，離子加速電壓1.5 kV的氬濺鍍條件將有機矽氧烷膜由表面蝕刻50 nm程度，露出清淨表面。其次，以加速電壓10 kV，電子束電流10 nA，電子束徑1μm的電子線測定碳元素濃度與矽元素濃度，算出碳量/矽量。於上述測定條件，厚度200 nm±20 nm的矽熱氧化膜的碳量/矽量為0.00，厚度200 nm±20 nm的單結晶碳化矽膜的碳量/矽量為1.00。使用如此預先已知元素組成的矽熱氧化膜或單結晶碳化膜，確實充分的校正AES分析裝置為理想。又，測定組裝於半導體裝置或平面顯示裝置等的裝置的有機矽氧烷膜的碳量/矽量時，由於有機矽氧烷膜未露出於裝置的最表面不能分析。此時，將裝置成型為1 cm四方後，研磨至有機矽氧烷膜露出於最表面。將該試料導入AES分析裝置後，依上述之同樣條件的氬濺鍍條件露出清淨表面，以上述同條件的電子線測定碳元素濃度與矽元素濃度。
〔比介電率的測定方法〕此處，本發明的有機矽氧烷膜的比介電率係指於140℃±5℃，濕度10%以下的氣體環境所測定之值，由鋁極與n型矽基板的電荷容量的測定求得。具體的，首先形成比介電率測定用有機矽氧烷膜。例如，於n型矽基板(電阻
简体摘要：本发明系提供介电率极低之有机硅氧烷膜的介电率寿命为10年以上之材料设计指南。其比介电率系为2.1以下之有机硅氧烷膜，相对于膜中的硅量，其碳量之元素比为0.10以上0.55以下。【创作特点】有鉴于上述多孔质有机硅氧烷膜的课题，本发明系以提供低介电率的多孔质有机硅氧烷膜的比介电率寿命为10年以上的材料设计指针为目的。又，以提供使用多孔质有机硅氧烷膜为层间绝缘膜之高性能、高信赖的半导体设备及平面显示设备为目的。上述课题之比介电率为2.1以下的有机硅氧烷膜，可由对硅量之碳量(以下为碳量/硅量)以元素比为0.1以上0.55以下所达成。以下以实验事实为基础说明其根据。准备复数碳量/硅量为0.45~0.65，比介电率为2.1的有机硅氧烷膜，测定比介电率寿命。此处，碳量/硅量、比介电率、比介电率寿命依以下的测定方法测定。〔碳量/硅量的测定方法〕为测定碳量/硅量的定量，以使用俄歇(Auger)电子分光(AES)分析为理想。傅里叶(Fourier)变换型红外分光(FT－IR)久缺定量性不理想。本发明相关的有机硅氧烷膜的碳量/硅量，系将有机硅氧烷膜的清净表面于AES分析设备内以1μm径光束测定时的碳元素浓度与硅元素浓度之比。具体的系于基板上仅形成膜厚200 nm±20 nm的有机硅氧烷膜之试料成型为约1 cm四方，将其导入AES分析设备(Physical Elctronics公司PHI 670)。接着，于AES分析设备内以氩分压10 mPa，离子加速电压1.5 kV的氩溅镀条件将有机硅氧烷膜由表面蚀刻50 nm程度，露出清净表面。其次，以加速电压10 kV，电子束电流10 nA，电子束径1μm的电子线测定碳元素浓度与硅元素浓度，算出碳量/硅量。于上述测定条件，厚度200 nm±20 nm的硅热氧化膜的碳量/硅量为0.00，厚度200 nm±20 nm的单结晶碳化硅膜的碳量/硅量为1.00。使用如此预先已知元素组成的硅热氧化膜或单结晶碳化膜，确实充分的校正AES分析设备为理想。又，测定组装于半导体设备或平面显示设备等的设备的有机硅氧烷膜的碳量/硅量时，由于有机硅氧烷膜未露出于设备的最表面不能分析。此时，将设备成型为1 cm四方后，研磨至有机硅氧烷膜露出于最表面。将该试料导入AES分析设备后，依上述之同样条件的氩溅镀条件露出清净表面，以上述同条件的电子线测定碳元素浓度与硅元素浓度。〔比介电率的测定方法〕此处，本发明的有机硅氧烷膜的比介电率系指于140℃±5℃，湿度10%以下的气体环境所测定之值，由铝极与n型硅基板的电荷容量的测定求得。具体的，首先形成比介电率测定用有机硅氧烷膜。例如，于n型硅基板(电阻<10Ω cm)上形成200 nm±20 nm的有机硅氧烷膜。接着，于该有机硅氧烷膜之上以真空蒸镀设备于真空蒸镀厚度约100 nm的直径2mm的圆形铝电极。由此，将有机硅氧烷膜配置于铝电极与n型硅基板之间形成MIS构造样品。其次，该MIS构造样品的电荷容量，使用连接介电质试验定位器(Aziland公司制：HP16451B)之LF阻抗分析器(Aziland公司制：HP4192A)的设备，以基板温度140℃，氮气排气的气体环境，频率10 kHz测定。然后将电荷容量的测定值代入下述式(1)有机硅氧烷膜的比介电率＝3.597×10 － 5 ×电荷容量(pF)×有机硅氧烷膜的厚度(nm)………(1)算出硅系被膜的比介电率。〔比介电率寿命的测定方法〕使用上述〔比介电率的测定方法〕所示之MIS构造样品。MIS构造样品的铝电极与n型硅基板使用pA计/DC电压电源器(Aziland公司制HP4140B)附加电场强度0.5~8.0 MV/cm的电场。持续附加电场持续测定比介电率，于某一时间比介电率上升后保持一定。测定于各电场强度之比电率上升的时间，以纵轴：其时间的常用对数、横轴：电场强度，作成曲线图。该曲线之电场强度0.2 MV/cm外插之值定义为比介电率寿命。使用以上的测定方法测定时，有机硅氧烷膜的碳量/硅量与实使用电场强度相关的比介电率寿命的关系如图1所示。即碳量/硅量越小比介电率寿命越长，碳量/硅量为0.55以下时的比介电率寿命为10年以上。又，碳量/硅量有下限，碳量/硅量小于0.1时产生吸湿的问题。由此理由，碳量/硅量以0.1以上0.55以下为理想，更理想为0.25以上0.55以下，0.40以上0.55以下最为理想。碳量/硅量为0.55，比介电率1.8至2.3的有机硅氧烷的实使用电场强度相关的比介电率上升率(比介电率寿命之比介电率上升之比例)如图2所示。即，比介电率为2.1以下时的比介电率上升率为超出10%，知比介电率上升之程度变大。比介电率上升率越超出10%者，例如45 nm的LSI必要之比介电率2.1的有机硅氧烷膜时，意味比介电率上升至2.3。即，由于与65 nm之LSI必要之比介电率相同，与级别后退的等价。一方面比介电率大于2.1时，由于比介率上升率小于10%，小于不成为比介电率的上升问题的程度。碳量/硅量为比介电率的寿命关系的原因，以图3为基础加以说明。图3，为有机硅氧烷膜的初期膜与比介电率上升后(比介电率寿命后即刻)的傅里叶变换型红外线分光光谱的比较。依图标，有机硅氧烷膜的有机基之甲基于介电率寿命后立即完全破坏。此系电场应力之破坏。即碳量/硅量越多，因电场应力之甲基破坏的确率变高，比介电率寿命变短。又，说明比介电率越小比介电率上升率越大的原因。由于比介电率越小有机氧烷膜中的电孔越多，于比介电率寿命甲基被破坏时吸湿量变多之故。由本发明所得之有机硅氧烷膜，可使用含有聚硅氧烷之原料涂布之步骤形成。其时，亦可于该原料液中追加感光剂，且并用光微影术步骤将该有机硅氧烷膜图型化。又，该有机硅氧烷膜可由使用等离子化学气相蒸镀或热化学气相蒸镀于基板上将膜堆积之步骤形成。如以上之说明，依本发明，有硅氧烷膜的比介电寿命可为10年以上，接着，可实现持有长期信赖性且比介电率极低之多孔质有机硅氧烷膜，又，使用该多孔质有机硅氧烷膜作为层绝缘膜，可实现高性能、高信赖的半导体设备及平面显示设备。

9. 发明专利

TWI673355B 研磨劑以及使用該研磨劑的基板研磨方法有权
简体标题：研磨剂以及使用该研磨剂的基板研磨方法
公开(公告)号：TWI673355B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106134040
申请日：2009-04-22
申请人：日商日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：星陽介 , HOSHI,YOUSUKE , 龍崎大介 , RYUZAKI,DAISUKE , 小山直之 , KOYAMA,NAOYUKI , 野部茂 , NOBE,SHIGERU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304

10. 发明专利

TW201323593A 漿料、硏磨液組、硏磨液、基板的硏磨方法及基板审中-公开
简体标题：浆料、研磨液组、研磨液、基板的研磨方法及基板
公开(公告)号：TW201323593A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW102107719
申请日：2011-11-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：岩野友洋 , IWANO, TOMOHIRO , 成田武憲 , NARITA, TAKENORI , 龍崎大介 , RYUZAKI, DAISUKE
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K13/12 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要：本實施形態的研磨液含有研磨粒、添加劑及水，研磨粒滿足下述條件(a)或者(b)的至少一種。(a)在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上。(b)在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上，並且在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上。
简体摘要：本实施形态的研磨液含有研磨粒、添加剂及水，研磨粒满足下述条件(a)或者(b)的至少一种。(a)在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长400 nm的光的吸光度为1.50以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500 nm的光的透光率为50%/cm以上。(b)在将研磨粒的含量调整为0.0065质量%的水分散液中对波长290 nm的光的吸光度为1.000以上，并且在将研磨粒的含量调整为1.0质量%的水分散液中对波长500 nm的光的透光率为50%/cm以上。

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