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1. 发明专利

TWI351431B ＣＭＰ用研磨液 SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) PROCESS 有权
公开(公告)号：TWI351431B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW096124321
申请日：2007-07-04
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：野部茂 , 篠田隆 , 櫻田剛史 , 田中孝明 , 大森義和 , 木村忠廣 , 深澤正人
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明提供一種CMP用研磨液，其為一種包括磨粒和棘及縫隙研磨抑制劑的CMP用研磨液，其中棘及縫隙研磨抑制劑為選自聚羧酸、聚羧酸衍生物及含羧酸共聚物中的至少1種。藉此，可提供一種CMP用研磨液，抑制配線部附近的絕緣膜被過度研磨的棘現象、縫隙現象，使被研磨面的平坦性高。
简体摘要：本发明提供一种CMP用研磨液，其为一种包括磨粒和棘及缝隙研磨抑制剂的CMP用研磨液，其中棘及缝隙研磨抑制剂为选自聚羧酸、聚羧酸衍生物及含羧酸共聚物中的至少1种。借此，可提供一种CMP用研磨液，抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的棘现象、缝隙现象，使被研磨面的平坦性高。

2. 发明专利

TW200948942A ＣＭＰ用研磨液以及研磨方法 POLISHING AGENT FOR CMP AND POLISHING METHOD 审中-公开
公开(公告)号：TW200948942A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098112676
申请日：2009-04-16
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：篠田隆 , 田中孝明 , 金丸真美子 , 天野倉仁
IPC分类号： C09K , H01L , B24B
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：一種分散穩定性良好，對層間絕緣膜的研磨速度為高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本發明的CMP用研磨液以及研磨方法中，當設想調配成CMP研磨步驟的使用狀態且包含介質及分散於上述介質中的矽酸膠粒子的CMP用研磨液時，較好的是包含2.0wt%～8.0wt％的符合下述三個條件中之全部的矽酸膠粒子：（1）由使用掃描式電子顯微鏡對任意的20個粒子進行觀察所獲得的圖像所得的雙軸平均一次粒徑（Rl）為35nm～55nm;（2）用利用BET法所測定的上述矽酸膠粒子的比表面積（S1），除以具有與上述（l）中所求得的Rl相同的粒徑的圓球體的比表面積計算值（S0）所得的值小於等於1.20；以及（3）於CMP用研磨液中，使用動態光散射方式粒度分佈計所測定的上述矽酸膠粒子的二次粒徑（RS）、與上述（1）中所求得的R1的比Rs/R1小於等於1.30。
简体摘要：一种分散稳定性良好，对层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明的CMP用研磨液以及研磨方法中，当设想调配成CMP研磨步骤的使用状态且包含介质及分散于上述介质中的硅酸胶粒子的CMP用研磨液时，较好的是包含2.0wt%～8.0wt％的符合下述三个条件中之全部的硅酸胶粒子：（1）由使用扫描式电子显微镜对任意的20个粒子进行观察所获得的图像所得的双轴平均一次粒径（Rl）为35nm～55nm;（2）用利用BET法所测定的上述硅酸胶粒子的比表面积（S1），除以具有与上述（l）中所求得的Rl相同的粒径的圆球体的比表面积计算值（S0）所得的值小于等于1.20；以及（3）于CMP用研磨液中，使用动态光散射方式粒度分布计所测定的上述硅酸胶粒子的二次粒径（RS）、与上述（1）中所求得的R1的比Rs/R1小于等于1.30。

3. 发明专利

TW201350567A 研磨液及使用此研磨液的基板的研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201350567A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102127016
申请日：2011-12-23
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：太田宗宏 , OOTA, MUNEHIRO , 田中孝明 , TANAKA, TAKAAKI , 瀧澤壽夫 , TAKIZAWA, TOSHIO , 吉川茂 , YOSHIKAWA, SHIGERU , 松本貴彬 , MATSUMOTO, TAKAAKI , 吉川貴浩 , YOSHIKAWA, TAKAHIRO , 篠田隆 , SHINODA, TAKASHI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要：提供一種研磨液，其包含氧化鈰粒子、有機酸A、具有羧酸基或羧酸鹽基的高分子化合物B及水，有機酸A具有選自由-COOM基、-Ph-OM基、-SO3M基及-PO3M2基所組成群中的至少一種基，有機酸A的pKa小於9，有機酸A的含量相對於研磨液總質量為0.001質量%~1質量%，高分子化合物B的含量相對於研磨液總質量為0.01質量%~0.50質量%，pH值為4.0以上7.0以下。
简体摘要：提供一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B及水，有机酸A具有选自由-COOM基、-Ph-OM基、-SO3M基及-PO3M2基所组成群中的至少一种基，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001质量%~1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01质量%~0.50质量%，pH值为4.0以上7.0以下。

4. 发明专利

TW201527509A ＣＭＰ用硏磨液以及硏磨方法审中-公开
简体标题：ＣＭＰ用研磨液以及研磨方法
公开(公告)号：TW201527509A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW104110901
申请日：2009-04-16
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：篠田隆 , SHINODA, TAKASHI , 田中孝明 , TANAKA, TAKAAKI , 金丸真美子 , KANAMARU, MAMIKO , 天野倉仁 , AMANOKURA, JIN
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B1/00
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：一種CMP用研磨液以及研磨方法，當調配成CMP研磨步驟使用狀態且包含介質及分散於上述介質中的矽酸膠粒子的CMP用研磨液時，包含2.0wt%~8.0wt%的符合下述全部三個條件的矽酸膠粒子：(1)雙軸平均一次粒徑(R1)為35nm~55nm；(2)上述矽酸膠粒子的比表面積(S1)，除以具有與上述(1)中所求得的R1相同的粒徑的圓球體的比表面積計算值(S0)所得的值小於等於1.20；以及(3)上述矽酸膠粒子的二次粒徑(Rs)、與上述(1)中所求得的R1的比Rs/R1小於等於1.30。
简体摘要：一种CMP用研磨液以及研磨方法，当调配成CMP研磨步骤使用状态且包含介质及分散于上述介质中的硅酸胶粒子的CMP用研磨液时，包含2.0wt%~8.0wt%的符合下述全部三个条件的硅酸胶粒子：(1)双轴平均一次粒径(R1)为35nm~55nm；(2)上述硅酸胶粒子的比表面积(S1)，除以具有与上述(1)中所求得的R1相同的粒径的圆球体的比表面积计算值(S0)所得的值小于等于1.20；以及(3)上述硅酸胶粒子的二次粒径(Rs)、与上述(1)中所求得的R1的比Rs/R1小于等于1.30。

5. 发明专利

TWI350564B ＣＭＰ用研磨液以及研磨方法 POLISING SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) AND POLISHING METHOD 失效
公开(公告)号：TWI350564B
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW096114417
申请日：2007-04-24
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：篠田隆 , 野部茂 , 田中孝明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7684 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要：本發明的目的在於提供一種可降低侵蝕的CMP用研磨液，並且提供一種在製造微細化、薄膜化、尺寸精度優良、可靠性較高、成本低的半導體裝置等的過程中所使用的研磨方法。本發明的CMP用研磨液適用於在第1化學機械研磨步驟後，於第2化學機械研磨步驟中使用。本發明的CMP用研磨液之特徵在於，研磨量(A)與研磨量(B)之差((B)－(A))小於等於650　。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可降低侵蚀的CMP用研磨液，并且提供一种在制造微细化、薄膜化、尺寸精度优良、可靠性较高、成本低的半导体设备等的过程中所使用的研磨方法。本发明的CMP用研磨液适用于在第1化学机械研磨步骤后，于第2化学机械研磨步骤中使用。本发明的CMP用研磨液之特征在于，研磨量(A)与研磨量(B)之差((B)－(A))小于等于650　。

6. 发明专利

TWI419218B 金屬膜用研磨液以及研磨方法有权
简体标题：金属膜用研磨液以及研磨方法
公开(公告)号：TWI419218B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097125220
申请日：2008-07-04
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中孝明 , TANAKA, TAKAAKI , 深澤正人 , FUKASAWA, MASATO , 野部茂 , NOBE, SHIGERU , 櫻田剛史 , SAKURADA, TAKAFUMI , 篠田隆 , SHINODA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819

7. 发明专利

TW201229222A 研磨液及使用此研磨液的基板的研磨方法 GRINDING FLUID AND GRINDING METHOD FOR SUBSTRATE USING THE GRINDING FLUID 审中-公开
公开(公告)号：TW201229222A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100148169
申请日：2011-12-23
申请人：日立化成工業股份有限公司
发明人：太田宗宏 , 田中孝明 , 瀧澤壽夫 , 吉川茂 , 松本貴彬 , 吉川貴浩 , 篠田隆
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要：提供一種研磨液，其包含氧化鈰粒子、有機酸A、具有羧酸基或羧酸鹽基的高分子化合物B及水，有機酸A具有選自由-COOM基、-Ph-OM基、-SO3M基及-PO3M2基所組成群中的至少一種基，有機酸A的pKa小於9，有機酸A的含量相對於研磨液總質量為0.001質量%～1質量%，高分子化合物B的含量相對於研磨液總質量為0.01質量%～0.50質量%，pH值為4.0以上7.0以下。
简体摘要：提供一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B及水，有机酸A具有选自由-COOM基、-Ph-OM基、-SO3M基及-PO3M2基所组成群中的至少一种基，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001质量%～1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01质量%～0.50质量%，pH值为4.0以上7.0以下。

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