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1. 发明专利

TWI561934B 包含含有聚醚構造之樹脂的微影術用阻劑底層膜形成組成物有权
简体标题：包含含有聚醚构造之树脂的微影术用阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI561934B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100137328
申请日：2011-10-14
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：奧山博明 , OKUYAMA, HIROAKI , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 加藤雅一 , KATO, MASAKAZU , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/12
CPC分类号： G03F7/11 , C08G65/4006 , C08G65/4012 , C08G2650/40 , C08L71/00 , C09D171/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/2059 , G03F7/32 , H01L21/308 , H01L21/3086 , Y10T428/31942

2. 发明专利

TWI554835B 含有含羥基之咔唑酚醛樹脂的光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有含羟基之咔唑酚醛树脂的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI554835B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100145325
申请日：2011-12-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 奧山博明 , OKUYAMA, HIROAKI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 加藤雅一 , KATO, MASAKAZU
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271

3. 发明专利

TWI500645B 咔唑酚醛清漆樹脂有权
简体标题：咔唑酚醛清漆树脂
公开(公告)号：TWI500645B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099119938
申请日：2010-06-18
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：齊藤大悟 , SAITO, DAIGO , 奧山博明 , OKUYAMA, HIROAKI , 武藏秀樹 , MUSASHI, HIDEKI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： C08G16/02 , C08G16/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G12/26 , C08G16/02 , C08G61/12 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08G2261/344 , C08L61/26 , C08L79/02 , C08L79/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271

4. 发明专利

TW201142516A 含富勒烯衍生物之抗蝕下層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING FULLERENE DERIVATIVE 审中-公开
简体标题：含富勒烯衍生物之抗蚀下层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING FULLERENE DERIVATIVE
公开(公告)号：TW201142516A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100106406
申请日：2011-02-25
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：新城徹也 , 橋本圭祐 , 奧山博明 , 境田康志 , 加藤雅一
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11
摘要：本發明提供一種可形成具有高蝕刻耐性(乾蝕刻速度小)，同時溶劑耐性優異之抗蝕下層膜之組成物。本發明提供一種抗蝕下層膜形成組成物，其含有對於一分子富勒烯，加成1至6分子之以下述式(1)表示之丙二酸二酯而成之富勒烯衍生物、具有至少兩個環氧基或環氧丙烷環之(oxetane ring)化合物、及溶劑：
(式中，R各獨立表示碳原子數1~10之烷基)。
简体摘要：本发明提供一种可形成具有高蚀刻耐性(干蚀刻速度小)，同时溶剂耐性优异之抗蚀下层膜之组成物。本发明提供一种抗蚀下层膜形成组成物，其含有对于一分子富勒烯，加成1至6分子之以下述式(1)表示之丙二酸二酯而成之富勒烯衍生物、具有至少两个环氧基或环氧丙烷环之(oxetane ring)化合物、及溶剂： (式中，R各独立表示碳原子数1~10之烷基)。

5. 发明专利

TW201224665A 包含含有聚醚構造之樹脂的微影術用阻劑底層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING POLYETHER STRUCTURE-CONTAINING RESIN 审中-公开
简体标题：包含含有聚醚构造之树脂的微影术用阻剂底层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY COMPRISING POLYETHER STRUCTURE-CONTAINING RESIN
公开(公告)号：TW201224665A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100137328
申请日：2011-10-14
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：奧山博明 , 染谷安信 , 加藤雅一 , 新城徹也 , 橋本圭祐
IPC分类号： G03F , C08G
CPC分类号： G03F7/11 , C08G65/4006 , C08G65/4012 , C08G2650/40 , C08L71/00 , C09D171/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/2059 , G03F7/32 , H01L21/308 , H01L21/3086 , Y10T428/31942
摘要：本發明之課題係提供具有耐熱性、且具有硬式遮罩特性之用以形成阻劑底層膜之阻劑底層膜形成組成物。其解決手段為一種微影術用阻劑底層膜形成組成物,其係含有包含以下述式(1)表示之單位構造、

(式(1)中、Ar1表示包含碳數6至50之伸芳基或雜環基之有機基。)、以下述式(2)表示之單位構造、

(惟式(2)中,Ar2、Ar3、及Ar4分別表示包含碳數6至50之伸芳基或雜環基的有機基、T表示羰基或磺醯基。)、或該等之單位構造之組合的聚合物。上述之含有Ar1及Ar2之伸芳基的有機基為含有茀構造之有機基。
简体摘要：本发明之课题系提供具有耐热性、且具有硬式遮罩特性之用以形成阻剂底层膜之阻剂底层膜形成组成物。其解决手段为一种微影术用阻剂底层膜形成组成物,其系含有包含以下述式(1)表示之单位构造、 (式(1)中、Ar1表示包含碳数6至50之伸芳基或杂环基之有机基。)、以下述式(2)表示之单位构造、 (惟式(2)中,Ar2、Ar3、及Ar4分别表示包含碳数6至50之伸芳基或杂环基的有机基、T表示羰基或磺酰基。)、或该等之单位构造之组合的聚合物。上述之含有Ar1及Ar2之伸芳基的有机基为含有茀构造之有机基。

6. 发明专利

TW201120075A 咔唑酚醛清漆樹脂 CARBAZOLE NOVOLAK RESIN 审中-公开
简体标题：咔唑酚醛清漆树脂 CARBAZOLE NOVOLAK RESIN
公开(公告)号：TW201120075A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099119938
申请日：2010-06-18
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：齊藤大悟 , 奧山博明 , 武藏秀樹 , 新城徹也 , 橋本圭祐
IPC分类号： C08G , G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G12/26 , C08G16/02 , C08G61/12 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08G2261/344 , C08L61/26 , C08L79/02 , C08L79/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要：本發明之課題係提供,為了使用於製造半導體裝置之微影蝕刻步驟而備有耐熱性的光阻底層膜,及使用於電子裝置而備有透明性之高折射率膜。解決方法為,含有下述式(1):

所表示的單位構造之聚合物。含有下述式(2)及/或式(3):

所表示的單位構造之聚合物。含有式(1)中,R1、R2、R3及R5各自為氫原子,R4為苯基或基所表示的單位構造之聚合物。含有式(2)及/或式(3)中,R1、R2、R3、R5、R6、R7及R8各自為氫原子,R4為苯基或基所表示的單位構造之聚合物。含有上述聚合物之光阻底層膜形成組成物及自其形成的光阻底層膜。含有上述聚合物之高折射率膜形成組成物及自其形成的高折射率膜。
简体摘要：本发明之课题系提供,为了使用于制造半导体设备之微影蚀刻步骤而备有耐热性的光阻底层膜,及使用于电子设备而备有透明性之高折射率膜。解决方法为,含有下述式(1): 所表示的单位构造之聚合物。含有下述式(2)及/或式(3): 所表示的单位构造之聚合物。含有式(1)中,R1、R2、R3及R5各自为氢原子,R4为苯基或基所表示的单位构造之聚合物。含有式(2)及/或式(3)中,R1、R2、R3、R5、R6、R7及R8各自为氢原子,R4为苯基或基所表示的单位构造之聚合物。含有上述聚合物之光阻底层膜形成组成物及自其形成的光阻底层膜。含有上述聚合物之高折射率膜形成组成物及自其形成的高折射率膜。

7. 发明专利

TW201241569A 含有含羥基之咔唑酚醛樹脂的光阻下層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING HYDROXY GROUP-CONTAINING CARBAZOLE NOVOLAK RESIN 审中-公开
简体标题：含有含羟基之咔唑酚醛树脂的光阻下层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING HYDROXY GROUP-CONTAINING CARBAZOLE NOVOLAK RESIN
公开(公告)号：TW201241569A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100145325
申请日：2011-12-08
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：新城徹也 , 奧山博明 , 橋本圭祐 , 染谷安信 , 柄澤涼 , 加藤雅一
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要：本發明之課題為提供一種具備半導體裝置製造之微影術製程所用之耐熱性的光阻下層膜形成組成物。其解決手段為一種光阻下層膜形成組成物，其係包含下述式(1)所表示之單位構造及式(2)所表示之單位構造，且包含以莫耳比為3~97：97~3之比例含有式(1)所表示之單位構造與式(2)所表示之單位構造的聚合物，
本發明亦提供一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於半導體基板上藉由光阻下層膜形成組成物而形成下層膜之步驟，於其上形成硬遮罩之步驟，更於其上形成光阻膜之步驟，藉由光或電子線之照射與顯像而形成經圖型化之光阻膜之步驟，依據經圖型化之光阻膜而蝕刻硬遮罩之步驟，依據經圖型化之硬遮罩而蝕刻該下層膜之步驟、及依據經圖型化之下層膜而加工半導體基板之步驟。
简体摘要：本发明之课题为提供一种具备半导体设备制造之微影术制程所用之耐热性的光阻下层膜形成组成物。其解决手段为一种光阻下层膜形成组成物，其系包含下述式(1)所表示之单位构造及式(2)所表示之单位构造，且包含以莫耳比为3~97：97~3之比例含有式(1)所表示之单位构造与式(2)所表示之单位构造的聚合物，本发明亦提供一种半导体设备之制造方法，其系包含：于半导体基板上借由光阻下层膜形成组成物而形成下层膜之步骤，于其上形成硬遮罩之步骤，更于其上形成光阻膜之步骤，借由光或电子线之照射与显像而形成经图型化之光阻膜之步骤，依据经图型化之光阻膜而蚀刻硬遮罩之步骤，依据经图型化之硬遮罩而蚀刻该下层膜之步骤、及依据经图型化之下层膜而加工半导体基板之步骤。

8. 发明专利

TW201211109A 含有含聚醯亞胺構造之樹脂的微影蝕刻用光阻下層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY CONTAINING RESIN HAVING POLYIMIDE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：含有含聚酰亚胺构造之树脂的微影蚀刻用光阻下层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY CONTAINING RESIN HAVING POLYIMIDE STRUCTURE
公开(公告)号：TW201211109A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100113895
申请日：2011-04-21
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：奧山博明 , 橋本圭祐 , 加藤雅一 , 新城徹也
IPC分类号： C08G , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/091 , C08G73/10
摘要： [摘要]本發明為提供一種具有耐熱性，且具有硬遮罩特性之形成光阻下層膜所使用之光阻下層膜形成組成物。[解決手段]本發明提供含有含下述式(1)：
(其中，R1表示具有茀結構之4價之有機基，R2表示可具有茀結構之2價之有機基)所表示之單位結構、式(2)：
(其中，R1表示具有茀結構之4價之有機基，R2表示可具有茀結構之2價之有機基)所表示之單位結構，或該些單位結構之組合的聚合物之光阻下層膜形成組成物。R2為表示具有茀結構之2價之有機基光阻下層膜形成組成物。
简体摘要： [摘要]本发明为提供一种具有耐热性，且具有硬遮罩特性之形成光阻下层膜所使用之光阻下层膜形成组成物。[解决手段]本发明提供含有含下述式(1)： (其中，R1表示具有茀结构之4价之有机基，R2表示可具有茀结构之2价之有机基)所表示之单位结构、式(2)： (其中，R1表示具有茀结构之4价之有机基，R2表示可具有茀结构之2价之有机基)所表示之单位结构，或该些单位结构之组合的聚合物之光阻下层膜形成组成物。R2为表示具有茀结构之2价之有机基光阻下层膜形成组成物。

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