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1. 发明专利

TW201919866A 抗反射膜及其製造方法、以及附抗反射層之偏光板审中-公开
简体标题：抗反射膜及其制造方法、以及附抗反射层之偏光板
公开(公告)号：TW201919866A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132012
申请日：2018-09-12
申请人：日商日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：宮本幸大 , MIYAMOTO, KODAI , 山﨑由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 金谷実 , KANATANI, MINORU , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE
IPC分类号： B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/34 , G02B5/30 , G02B1/11
摘要：本發明之抗反射膜(100)係於透明膜基材(1)之一主面具備包含折射率不同之複數層薄膜之抗反射層(5)。抗反射層包含與透明膜基材相接之底塗層(50)。底塗層之氬之含量為0.5原子%以下。底塗層(50)例如為氧化矽層。抗反射膜之透濕度較佳為1 g/m2·24 h以下。附抗反射層之偏光板(101)於偏光元件(8)上具備上述抗反射膜(100)。
简体摘要：本发明之抗反射膜(100)系于透明膜基材(1)之一主面具备包含折射率不同之复数层薄膜之抗反射层(5)。抗反射层包含与透明膜基材相接之底涂层(50)。底涂层之氩之含量为0.5原子%以下。底涂层(50)例如为氧化硅层。抗反射膜之透湿度较佳为1 g/m2·24 h以下。附抗反射层之偏光板(101)于偏光组件(8)上具备上述抗反射膜(100)。

2. 发明专利

TWI488751B 透明導電性薄膜之製造方法有权
简体标题：透明导电性薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI488751B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100123966
申请日：2011-07-06
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 菅原英男 , SUGAWARA, HIDEO
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/024 , C23C14/562 , C23C14/5806

3. 发明专利

TWI556268B 透明導電性膜有权
简体标题：透明导电性膜
公开(公告)号：TWI556268B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103136899
申请日：2011-12-27
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 村岡陽子 , MURAOKA, YOKO , 待永廣宣 , MACHINAGA, HIRONOBU , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 宮崎司 , MIYAZAKI, TSUKASA
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806

4. 发明专利

TWI494951B 透明導電性膜之製造方法有权
简体标题：透明导电性膜之制造方法
公开(公告)号：TWI494951B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101132837
申请日：2012-09-07
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14
CPC分类号： H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50

5. 发明专利

TWI545593B 透明導電性膜及其之製造方法有权
简体标题：透明导电性膜及其之制造方法
公开(公告)号：TWI545593B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101130155
申请日：2012-08-20
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 菅原英男 , SUGAWARA, HIDEO
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/024 , C23C14/35 , C23C14/5873 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/266

6. 发明专利

TW201505039A 透明導電性薄膜捲繞體审中-公开
简体标题：透明导电性薄膜卷绕体
公开(公告)号：TW201505039A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103134141
申请日：2011-07-06
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 菅原英男 , SUGAWARA, HIDEO , 待永廣宣 , MACHINAGA, HIRONOBU , 佐佐木惠梨 , SASAKI, ERI
IPC分类号： H01B5/14 , C01G15/00
CPC分类号： H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806
摘要：本發明之目的在於製造一種於透明薄膜基材上形成有結晶質銦系複合氧化物膜之長條狀透明導電性薄膜。本發明之製造方法包括：非晶質積層體形成步驟，其係藉由濺鍍法於上述長條狀透明薄膜基材上形成含有銦與四價金屬之銦系複合氧化物之非晶質膜；及結晶化步驟，其係將上述形成有非晶質膜之長條狀透明薄膜基材連續地搬送至加熱爐內，使上述非晶質膜結晶化。較佳為上述結晶化步驟中之加熱爐內之溫度為170℃~220℃。又，較佳為上述結晶化步驟中之薄膜長度之變化率為+2.5%以下。
简体摘要：本发明之目的在于制造一种于透明薄膜基材上形成有结晶质铟系复合氧化物膜之长条状透明导电性薄膜。本发明之制造方法包括：非晶质积层体形成步骤，其系借由溅镀法于上述长条状透明薄膜基材上形成含有铟与四价金属之铟系复合氧化物之非晶质膜；及结晶化步骤，其系将上述形成有非晶质膜之长条状透明薄膜基材连续地搬送至加热炉内，使上述非晶质膜结晶化。较佳为上述结晶化步骤中之加热炉内之温度为170℃~220℃。又，较佳为上述结晶化步骤中之薄膜长度之变化率为+2.5%以下。

7. 发明专利

TWI461305B 透明導電性膜及其製造方法有权
简体标题：透明导电性膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI461305B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100149008
申请日：2011-12-27
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 村岡陽子 , MURAOKA, YOKO , 待永廣宣 , MACHINAGA, HIRONOBU , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 宮崎司 , MIYAZAKI, TSUKASA
IPC分类号： B32B7/02 , H01B5/14
CPC分类号： H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806

8. 发明专利

TW201324542A 透明導電性膜之製造方法审中-公开
简体标题：透明导电性膜之制造方法
公开(公告)号：TW201324542A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101132837
申请日：2012-09-07
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14
CPC分类号： H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種可縮短用以使具有銦系複合氧化物之非晶質層結晶化之加熱時間的透明導電性膜之製造方法。本發明之透明導電性膜之製造方法包括：第1步驟，其係於厚度為10~50μm之膜基材之第1面積層由銦系複合氧化物所形成之非晶質層；第2步驟，其係於將積層有上述非晶質層之膜基材藉由捲出輥搬送並捲取於捲取輥之中途，將該膜基材加熱至160℃以上，使上述非晶質層結晶化而形成透明導電體層；及第3步驟，其係於上述膜基材之第2面形成黏著劑層。
简体摘要：本发明提供一种可缩短用以使具有铟系复合氧化物之非晶质层结晶化之加热时间的透明导电性膜之制造方法。本发明之透明导电性膜之制造方法包括：第1步骤，其系于厚度为10~50μm之膜基材之第1面积层由铟系复合氧化物所形成之非晶质层；第2步骤，其系于将积层有上述非晶质层之膜基材借由卷出辊搬送并卷取于卷取辊之中途，将该膜基材加热至160℃以上，使上述非晶质层结晶化而形成透明导电体层；及第3步骤，其系于上述膜基材之第2面形成黏着剂层。

9. 发明专利

TW201320109A 透明導電性膜及其之製造方法审中-公开
简体标题：透明导电性膜及其之制造方法
公开(公告)号：TW201320109A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101130155
申请日：2012-08-20
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 菅原英男 , SUGAWARA, HIDEO
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/024 , C23C14/35 , C23C14/5873 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/266
摘要：於本發明之在可撓性透明基材上具有結晶性之透明導電體層的透明導電性膜中，即便於透明導電體層經圖案化之情形時，亦可於組入觸控面板等中時，抑制由可視認圖案開口部與圖案形成部之邊界所導致之美觀性之降低。本發明之透明導電性膜係於可撓性透明基材之一面上形成包含結晶性導電性金屬氧化物之透明導電體層者，且可撓性透明基材之厚度為80 μm以下。本發明之透明導電性膜於140℃下加熱30分鐘時之尺寸變化率H1與將藉由自透明導電性膜蝕刻去除透明導電體層而成者於140℃下加熱30分鐘時之尺寸變化率H2的差H1-H2為-0.02%~0.043%。因此，可降低組入觸控面板等中時之圖案邊界上之階差，抑制美觀性之降低。
简体摘要：于本发明之在可挠性透明基材上具有结晶性之透明导电体层的透明导电性膜中，即便于透明导电体层经图案化之情形时，亦可于组入触摸皮肤等中时，抑制由可视认图案开口部与图案形成部之边界所导致之美观性之降低。本发明之透明导电性膜系于可挠性透明基材之一面上形成包含结晶性导电性金属氧化物之透明导电体层者，且可挠性透明基材之厚度为80 μm以下。本发明之透明导电性膜于140℃下加热30分钟时之尺寸变化率H1与将借由自透明导电性膜蚀刻去除透明导电体层而成者于140℃下加热30分钟时之尺寸变化率H2的差H1-H2为-0.02%~0.043%。因此，可降低组入触摸皮肤等中时之图案边界上之阶差，抑制美观性之降低。

10. 发明专利

TWI560725B 透明導電性薄膜捲繞體有权
简体标题：透明导电性薄膜卷绕体
公开(公告)号：TWI560725B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103134141
申请日：2011-07-06
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山崎由佳 , YAMAZAKI, YUKA , 梨木智剛 , NASHIKI, TOMOTAKE , 菅原英男 , SUGAWARA, HIDEO , 待永廣宣 , MACHINAGA, HIRONOBU , 佐佐木惠梨 , SASAKI, ERI
IPC分类号： H01B5/14 , C01G15/00
CPC分类号： H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806

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