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1. 发明专利

TW201334058A 穿孔製作機台及穿孔製作方法审中-公开
简体标题：穿孔制作机台及穿孔制作方法
公开(公告)号：TW201334058A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104233
申请日：2012-02-09
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：鄭斌宏 , CHENG, BIN HONG , 王盟仁 , WANG, MENG JEN , 王永輝 , WANG, YUNG HUI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
摘要：一種穿孔製作機台及穿孔製作方法。穿孔製作機台用以於基板中形成穿孔。製作機台包括載具、光感測器及電漿產生器。載具用以承載基板。光感測器內埋於載具中。電漿產生器用以產生一電漿朝向基板，以於基板中形成穿孔，其中穿孔的位置對應光感測器，以於基板形成穿孔的過程中同時偵測穿孔形成狀況，且，穿孔製作機台可於偵測到穿孔形成後停止電漿之產生。
简体摘要：一种穿孔制作机台及穿孔制作方法。穿孔制作机台用以于基板中形成穿孔。制作机台包括载具、光传感器及等离子产生器。载具用以承载基板。光传感器内埋于载具中。等离子产生器用以产生一等离子朝向基板，以于基板中形成穿孔，其中穿孔的位置对应光传感器，以于基板形成穿孔的过程中同时侦测穿孔形成状况，且，穿孔制作机台可于侦测到穿孔形成后停止等离子之产生。

3. 发明专利

TWI387019B 在基材上形成穿導孔之方法有权
简体标题：在基材上形成穿导孔之方法
公开(公告)号：TWI387019B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW096128415
申请日：2007-08-02
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：王盟仁 , WANG, MENG JEN
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76898

4. 发明专利

TWI368952B 具有微機電系統之半導體封裝結構之製造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS 有权
简体标题：具有微机电系统之半导体封装结构之制造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS
公开(公告)号：TWI368952B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW096103628
申请日：2007-02-01
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：王盟仁 , 楊學安
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B2201/047 , B81C2203/0127 , H01L2924/16235
摘要：本發明係關於一種具有微機電系統之半導體封裝結構之製造方法，其係將複數個微機電系統設置於一基板之複數個基板單元上，利用一蓋板之複數個蓋體密封相對之該等微機電系統。接著，移除該蓋板之一本體，再切割該基板，以形成複數個半導體封裝結構。藉此，不需在該蓋板及該基板預先圖案化形成對位之標記，即可移除該本體及切割該基板，故本發明之封裝步驟更簡化。另外，該蓋板不限定為一透明材質，故應用更為廣泛。再者，該本體可利用簡單之研磨方法即可移除，故可降低生產成本。
简体摘要：本发明系关于一种具有微机电系统之半导体封装结构之制造方法，其系将复数个微机电系统设置于一基板之复数个基板单元上，利用一盖板之复数个盖体密封相对之该等微机电系统。接着，移除该盖板之一本体，再切割该基板，以形成复数个半导体封装结构。借此，不需在该盖板及该基板预先图案化形成对位之标记，即可移除该本体及切割该基板，故本发明之封装步骤更简化。另外，该盖板不限定为一透明材质，故应用更为广泛。再者，该本体可利用简单之研磨方法即可移除，故可降低生产成本。

5. 发明专利

TWI365528B 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI365528B
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW097124100
申请日：2008-06-27
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：王盟仁 , 陳建宇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要：一種半導體結構及其製造方法。半導體結構之製造方法包括：提供一矽質基材；蝕刻矽質基材，以形成環形孔及矽質柱狀體，環形孔環繞矽質柱狀體；設置感光材料於環形孔內，其中感光材料具有絕緣性；移除矽質柱狀體，以使環形孔形成圓形孔，且感光材料係設置於圓形孔之孔壁；以及設置導電材料於圓形孔內，導電材料之外側表面係被感光材料環繞。
简体摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构之制造方法包括：提供一硅质基材；蚀刻硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，环形孔环绕硅质柱状体；设置感光材料于环形孔内，其中感光材料具有绝缘性；移除硅质柱状体，以使环形孔形成圆形孔，且感光材料系设置于圆形孔之孔壁；以及设置导电材料于圆形孔内，导电材料之外侧表面系被感光材料环绕。

6. 发明专利

TW201123319A 可堆疊式封裝結構之製造方法 METHOD FOR MAKING A STACKABLE PACKAGE 审中-公开
简体标题：可堆栈式封装结构之制造方法 METHOD FOR MAKING A STACKABLE PACKAGE
公开(公告)号：TW201123319A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098146111
申请日：2009-12-31
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：余國寵 , 王盟仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/221 , H01L2224/2518 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種可堆疊式封裝結構之製造方法。該製造方法包括以下步驟：(a)提供一第一載體；(b)設置至少一晶片於該第一載體上；(c)形成一封膠體以包覆該晶片；(d)移除該第一載體；(e)形成一第一重佈層及至少一第一凸塊；(f)提供一第二載體；(g)設置於該第二載體；(h)移除部分該晶片及部分該封膠體；(i)形成一第二重佈層；及(j)移除該第二載體。藉此，該第二重佈層使該可堆疊式封裝結構在應用上有較多彈性。
简体摘要：本发明系关于一种可堆栈式封装结构之制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供一第一载体；(b)设置至少一芯片于该第一载体上；(c)形成一封胶体以包覆该芯片；(d)移除该第一载体；(e)形成一第一重布层及至少一第一凸块；(f)提供一第二载体；(g)设置于该第二载体；(h)移除部分该芯片及部分该封胶体；(i)形成一第二重布层；及(j)移除该第二载体。借此，该第二重布层使该可堆栈式封装结构在应用上有较多弹性。

7. 发明专利

TW201001618A 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201001618A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097124100
申请日：2008-06-27
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：王盟仁 , 陳建宇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要：一種半導體結構及其製造方法。半導體結構之製造方法包括：提供一矽質基材；蝕刻矽質基材，以形成環形孔及矽質柱狀體，環形孔環繞矽質柱狀體；設置感光材料於環形孔內，其中感光材料具有絕緣性；移除矽質柱狀體，以使環形孔形成圓形孔，且感光材料係設置於圓形孔之孔壁；以及設置導電材料於圓形孔內，導電材料之外側表面係被感光材料環繞。
简体摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构之制造方法包括：提供一硅质基材；蚀刻硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，环形孔环绕硅质柱状体；设置感光材料于环形孔内，其中感光材料具有绝缘性；移除硅质柱状体，以使环形孔形成圆形孔，且感光材料系设置于圆形孔之孔壁；以及设置导电材料于圆形孔内，导电材料之外侧表面系被感光材料环绕。

8. 发明专利

TWI317991B 導線架上覆晶半導體封裝結構 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH FLIP CHIP ON LEADFRAME 有权
简体标题：导线架上覆晶半导体封装结构 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH FLIP CHIP ON LEADFRAME
公开(公告)号：TWI317991B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW092136315
申请日：2003-12-19
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：劉千 , 王學德 , 王盟仁 , 邱己豪 , 黃泰源
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/13099 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種導線架上覆晶半導體封裝結構，其係包含有複數個引腳、至少一晶片及一封膠體，該些引腳之上表面內端係為凸塊接合區，該些引腳之下表面外端係形成有複數個外接區，該些引腳係形成有至少一阻銲凹陷部，該阻銲凹陷部係鄰接該些凸塊接合區，其係可供該封膠體填充，該阻銲凹陷部係具有倒「Ω」形截面為佳，以阻止該覆晶晶片之凸塊過度潤溼擴散至該些引腳之其它部位，並以該封膠體係填充於該阻銲凹陷部，以達到穩固該些引腳之內端。 A semiconductor package with flip chip on leadframe comprises a plurality of leads, at least a chip and a molding compound. The leads have a plurality of bump-bonding regions on upper surfaces at inner ends thereof and have a plurality of outer connecting regions on lower surfaces at outer ends thereof. At least a solder-resist concave portion is formed on upper surfaces of the leads adjacent to the flip-chip bonding regions for filling in the molding compound. The solder-resist concave portion preferably has an upside-down "Ω"-shaped profile for preventing other portions of the leads from being over-wetted and spread by bumps of the chip. Because that the solder-resist concave portion is filled with the molding compound, the inner ends of the leads are fixed well.
简体摘要：一种导线架上覆晶半导体封装结构，其系包含有复数个引脚、至少一芯片及一封胶体，该些引脚之上表面内端系为凸块接合区，该些引脚之下表面外端系形成有复数个外置区，该些引脚系形成有至少一阻焊凹陷部，该阻焊凹陷部系邻接该些凸块接合区，其系可供该封胶体填充，该阻焊凹陷部系具有倒“Ω”形截面为佳，以阻止该覆晶芯片之凸块过度润湿扩散至该些引脚之其它部位，并以该封胶体系填充于该阻焊凹陷部，以达到稳固该些引脚之内端。 A semiconductor package with flip chip on leadframe comprises a plurality of leads, at least a chip and a molding compound. The leads have a plurality of bump-bonding regions on upper surfaces at inner ends thereof and have a plurality of outer connecting regions on lower surfaces at outer ends thereof. At least a solder-resist concave portion is formed on upper surfaces of the leads adjacent to the flip-chip bonding regions for filling in the molding compound. The solder-resist concave portion preferably has an upside-down "Ω"-shaped profile for preventing other portions of the leads from being over-wetted and spread by bumps of the chip. Because that the solder-resist concave portion is filled with the molding compound, the inner ends of the leads are fixed well.

10. 发明专利

TWI437940B 在基材上形成穿導孔之方法及具有穿導孔之基材有权
简体标题：在基材上形成穿导孔之方法及具有穿导孔之基材
公开(公告)号：TWI437940B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098146109
申请日：2009-12-31
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：王盟仁 , WANG, MENG JEN , 楊國賓 , YANG, KUO PIN
IPC分类号： H05K3/42
CPC分类号： H05K3/445 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H05K3/061 , H05K2203/0323 , H05K2203/1476 , H01L2924/00

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