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热词
    • 1. 发明专利
    • 基板處理方法及基板處理裝置
    • 基板处理方法及基板处理设备
    • TW202004904A
    • 2020-01-16
    • TW108116670
    • 2019-05-15
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 望月隆MOCHIZUKI, TAKASHI藤里敏章FUJISATO, TOSHIAKI
    • H01L21/3065H01L21/30
    • 提供一種基板處理方法及基板處理裝置,係在進行基板載置台之溫度有所不同的複數處理時,可縮短基板載置台之升溫時間與降溫時間,以達到生產時間縮短化。 本揭露之基板處理方法係具有:第1處理工序,係將基板載置台溫控為第1溫度而處理基板;以及第2處理工序,係將該基板載置台溫控為較該第1溫度要高的第2溫度而處理該基板,在將該基板載置台從該第1溫度朝該第2溫度溫控時,讓維持該冷卻單元之設定溫度的第1流量之該冷媒從該冷卻單元流通於該冷媒流道,並使該加熱器作動,而在將該基板載置台從該第2溫度朝該第1溫度溫控時,則讓流量較該第1流量要多的第2流量之該冷媒從該冷卻單元流通於該冷媒流道,並使該加熱器作動,或是停止該加熱器之作動。
    • 提供一种基板处理方法及基板处理设备,系在进行基板载置台之温度有所不同的复数处理时,可缩短基板载置台之升温时间与降温时间,以达到生产时间缩短化。 本揭露之基板处理方法系具有:第1处理工序,系将基板载置台温控为第1温度而处理基板;以及第2处理工序,系将该基板载置台温控为较该第1温度要高的第2温度而处理该基板,在将该基板载置台从该第1温度朝该第2温度温控时,让维持该冷却单元之设置温度的第1流量之该冷媒从该冷却单元流通于该冷媒流道,并使该加热器作动,而在将该基板载置台从该第2温度朝该第1温度温控时,则让流量较该第1流量要多的第2流量之该冷媒从该冷却单元流通于该冷媒流道,并使该加热器作动,或是停止该加热器之作动。
    • 2. 发明专利
    • 成膜裝置及其所用之氣體吐出構件
    • 成膜设备及其所用之气体吐出构件
    • TW201817912A
    • 2018-05-16
    • TW106125699
    • 2017-07-31
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 岡部真也OKABE, SHINYA望月隆MOCHIZUKI, TAKASHI山崎英亮YAMASAKI, HIDEAKI平松永泰HIRAMATSU, NAGAYASU傳寶一樹DEMPOH, KAZUKI
    • C23C16/455C23C16/08H01L21/285
    • [課題] 提供一種如下述之技術:可在藉由電漿CVD進行成膜之際,調整基板外周部之膜厚而獲得所期望的膜厚面內均勻性。   [解決手段] 成膜裝置(100),係具有:處理容器(1),收容有晶圓(W):基座(2),在處理容器(1)內載置有晶圓:噴頭(10),與被載置於基座(2)的晶圓(W)相對向配置,將處理氣體朝向基座(2)上的晶圓(W)吐出:及高頻電源(41),在噴頭(10)與基座(2)之間生成電漿而激發處理氣體,藉由被電漿激發的處理氣體,在晶圓(W)上形成預定膜。噴頭(10),係具有與基座(2)相對向的氣體吐出面(17),在氣體吐出面(17),係形成有複數個氣體吐出孔(15),氣體吐出面(17)中之形成有複數個氣體吐出孔(15)的氣體吐出孔形成區域(18),係比氣體吐出面(17)之與晶圓(W)對應的區域小。
    • [课题] 提供一种如下述之技术:可在借由等离子CVD进行成膜之际,调整基板外周部之膜厚而获得所期望的膜厚面内均匀性。   [解决手段] 成膜设备(100),系具有:处理容器(1),收容有晶圆(W):基座(2),在处理容器(1)内载置有晶圆:喷头(10),与被载置于基座(2)的晶圆(W)相对向配置,将处理气体朝向基座(2)上的晶圆(W)吐出:及高频电源(41),在喷头(10)与基座(2)之间生成等离子而激发处理气体,借由被等离子激发的处理气体,在晶圆(W)上形成预定膜。喷头(10),系具有与基座(2)相对向的气体吐出面(17),在气体吐出面(17),系形成有复数个气体吐出孔(15),气体吐出面(17)中之形成有复数个气体吐出孔(15)的气体吐出孔形成区域(18),系比气体吐出面(17)之与晶圆(W)对应的区域小。