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1. 发明专利

TW201841324A 內連線結構及其形成方法审中-公开
简体标题：内连接结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201841324A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107101964
申请日：2018-01-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蔡洙杜 , CHAE, SOO DOO , 史密斯傑佛瑞 , SMITH, JEFFREY , 盧森克赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 克拉克羅伯特D , CLARK, ROBERT D. , 尤凱鴻 , YU, KAI-HUNG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
摘要：提供一種半導體裝置。半導體裝置可包含形成在介電材料內的複數內連線開口。文中所揭露的內連線開口可具有溝槽開口、通孔開口、或雙鑲嵌開口。第一金屬可順形地填充於內連線開口中且與介電材料直接接觸。半導體裝置亦可具有填充於內連線開口中的第二金屬。第二金屬可形成於第一金屬上方且被第一金屬所封裝而形成內連線開口內的內連線結構。半導體裝置更可包含形成於介電材料內的複數導電層，複數導電層可位於內連線結構的底部處且可與內連線結構直接接觸。
简体摘要：提供一种半导体设备。半导体设备可包含形成在介电材料内的复数内连接开口。文中所揭露的内连接开口可具有沟槽开口、通孔开口、或双镶嵌开口。第一金属可顺形地填充于内连接开口中且与介电材料直接接触。半导体设备亦可具有填充于内连接开口中的第二金属。第二金属可形成于第一金属上方且被第一金属所封装而形成内连接开口内的内连接结构。半导体设备更可包含形成于介电材料内的复数导电层，复数导电层可位于内连接结构的底部处且可与内连接结构直接接触。

2. 发明专利

TW201841215A 使用選擇性二氧化矽沉積以形成自我對準接觸窗的方法审中-公开
简体标题：使用选择性二氧化硅沉积以形成自我对准接触窗的方法
公开(公告)号：TW201841215A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105503
申请日：2018-02-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：泰伯利坎達巴拉 N , TAPILY, KANDABARA N. , 韓相哲 , HAN, SANGCHEOL , 蔡洙杜 , CHAE, SOO DOO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要：在各種實施例中，描述利用選擇性SiO2沉積以形成自我對準接觸窗之基板處理方法。該方法包含：提供一平坦化基板，該平坦化基板包含一介電層表面及一含金屬表面；以一含金屬催化層覆蓋該介電層表面；及使該平坦化基板暴露至包含一矽烷醇氣體之一處理氣體一時間期間，以選擇性地沉積一SiO2層在該介電層表面上之該含金屬催化層上。根據一實施例，該方法更包含：沉積一蝕刻停止層在該SiO2層上及在該含金屬表面上；沉積一層間介電層在該平坦化基板上；在該層間介電層中蝕刻一凹陷特徵部及停止在該含金屬表面上之該蝕刻停止層上；及以一金屬填充該凹陷特徵部。
简体摘要：在各种实施例中，描述利用选择性SiO2沉积以形成自我对准接触窗之基板处理方法。该方法包含：提供一平坦化基板，该平坦化基板包含一介电层表面及一含金属表面；以一含金属催化层覆盖该介电层表面；及使该平坦化基板暴露至包含一硅烷醇气体之一处理气体一时间期间，以选择性地沉积一SiO2层在该介电层表面上之该含金属催化层上。根据一实施例，该方法更包含：沉积一蚀刻停止层在该SiO2层上及在该含金属表面上；沉积一层间介电层在该平坦化基板上；在该层间介电层中蚀刻一凹陷特征部及停止在该含金属表面上之该蚀刻停止层上；及以一金属填充该凹陷特征部。

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