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1. 发明专利

TW201903188A 薄膜之形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW201903188A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117839
申请日：2018-05-25
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC. , 美商萬國商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：畠中正信 , HATANAKA, MASANOBU , 小川洋平 , OGAWA, YOHEI , 李建昌 , LEE, KEON-CHANG , 加藤伸幸 , KATO, NOBUYUKI , 山田貴一 , YAMADA, TAKAKAZU , 羅森強 , ROZEN, JOHN
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L21/8234 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/423
摘要：本發明之薄膜之形成方法，其包含第一工序與第二工序；該第一工序，係將成膜對象的溫度設為200℃以上，並從第一狀態變成第二狀態；該第一狀態，係將成膜材料與載流氣體供給至該成膜對象，而使該成膜材料附著於該成膜對象；該第二狀態，係從第一狀態中將供給該成膜材料去除；第二工序，係將成膜對象的溫度設為200℃以上，並從第三狀態變成第四狀態；該第三狀態，係將氫氣與載流氣體供給至成膜對象，使成膜材料還原；該第四狀態，係從該第三狀態將供給氫氣去除。成膜材料係從Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl所構成之群組中選擇的任一者。交互重複第一工序與第二工序，可在成膜對象的表面上形成鋁原子的含有率在20原子%以上的碳化鋁膜。
简体摘要：本发明之薄膜之形成方法，其包含第一工序与第二工序；该第一工序，系将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态，系将成膜材料与载流气体供给至该成膜对象，而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态，系从第一状态中将供给该成膜材料去除；第二工序，系将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态，系将氢气与载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态，系从该第三状态将供给氢气去除。成膜材料系从Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl所构成之群组中选择的任一者。交互重复第一工序与第二工序，可在成膜对象的表面上形成铝原子的含有率在20原子%以上的碳化铝膜。

3. 发明专利

TW200307993A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW200307993A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 , 神保武人 , 增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒紅罡 , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

4. 发明专利

TW200401341A 薄膜製造裝置审中-公开
简体标题：薄膜制造设备
公开(公告)号：TW200401341A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092107402
申请日：2003-04-01
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 內田寬人 , 植松正紀 , 鄒紅罡
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/60
摘要：本發明之課題，在於提供能夠達成晶圓面內之分布均勻性的薄膜製造裝置。本發明之解決手段，在於將該裝置作成：於氣體混合室底面之周緣部設置混合氣體之供輸口24a，用以從氣體混合室24供輸混合氣體與噴淋頭25，而使混合氣體能從噴淋頭上面之周緣部朝向中心部流動的構造；又作成：設置用以排出成膜室3內之排氣的排氣口32於較成膜室側壁之成膜時載物台31之位置為下方部分之處，使成膜室內之排氣朝成膜室之側壁方向而由排氣口排出之構造。另以昇降自如的方式形成載物台31，並作成噴淋頭25與基板5間之距離為可調式者。
简体摘要：本发明之课题，在于提供能够达成晶圆面内之分布均匀性的薄膜制造设备。本发明之解决手段，在于将该设备作成：于气体混合室底面之周缘部设置混合气体之供输口24a，用以从气体混合室24供输混合气体与喷淋头25，而使混合气体能从喷淋头上面之周缘部朝向中心部流动的构造；又作成：设置用以排出成膜室3内之排气的排气口32于较成膜室侧壁之成膜时载物台31之位置为下方部分之处，使成膜室内之排气朝成膜室之侧壁方向而由排气口排出之构造。另以升降自如的方式形成载物台31，并作成喷淋头25与基板5间之距离为可调式者。

5. 发明专利

TWI431146B 氮化鉭膜之形成方法及其成膜裝置有权
简体标题：氮化钽膜之形成方法及其成膜设备
公开(公告)号：TWI431146B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098142067
申请日：2009-12-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本晃子 , YAMAMOTO, AKIKO , 牛川治憲 , USHIKAWA, HARUNORI , 加藤伸幸 , KATO, NOBUYUKI , 山田貴一 , YAMADA, TAKAKAZU
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/4481

6. 发明专利

TWI404817B 薄膜製造裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI404817B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW093122576
申请日：2004-07-28
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 , YAMADA, TAKAKAZU , 增田健 , MASUDA, TAKESHI , 梶沼雅彥 , KAJINUMA, MASAHIKO , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 植松正紀 , UEMATSU, MASAKI , 鄒紅罡 , SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/4411 , C23C16/45565 , C23C16/45572

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