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    • 2. 发明专利
    • 切割膜基材及切割膜
    • TW201840434A
    • 2018-11-16
    • TW106145749
    • 2017-12-26
    • 日商三井 杜邦聚合化學股份有限公司DUPONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO., LTD.
    • 中野重則NAKANO, SHIGENORI佐久間雅巳SAKUMA, MASAMI福山佳那FUKUYAMA, KANA
    • B32B27/32B32B27/18C09J7/24H01L21/301H01L21/683
    • 本發明提供一種耐熱性優異、晶片分斷性與擴張性的平衡優異之切割膜基材。該切割膜基材包括:第1樹脂層,其由樹脂組成物構成,該樹脂組成物含有:選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(A)30質量份以上且95質量份以下、選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種樹脂(B)5質量份以上且小於40質量份及除了前述聚醯胺以外的抗靜電劑(C)0質量份以上且30質量份以下,其中,將樹脂(A)、樹脂(B)及抗靜電劑(C)的總計設為100質量份;及第2樹脂層,其包括選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(D)。
    • 本发明提供一种耐热性优异、芯片分断性与扩张性的平衡优异之切割膜基材。该切割膜基材包括:第1树脂层,其由树脂组成物构成,该树脂组成物含有:选自由乙烯-不饱和羧酸系共聚物及前述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离子聚合物所构成之群组中之至少1种树脂(A)30质量份以上且95质量份以下、选自由聚酰胺及聚胺酯所构成之群组中之至少1种树脂(B)5质量份以上且小于40质量份及除了前述聚酰胺以外的抗静电剂(C)0质量份以上且30质量份以下,其中,将树脂(A)、树脂(B)及抗静电剂(C)的总计设为100质量份;及第2树脂层,其包括选自由乙烯-不饱和羧酸系共聚物及前述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离子聚合物所构成之群组中之至少1种树脂(D)。