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1. 发明专利

TW200843370A 可變增益之放大電路、接收器和接收器積體電路 VARIABLE-GAIN AMPLIFICATION CIRCUIT, RECEIVER AND RECEIVER IC 审中-公开
简体标题：可变增益之放大电路、接收器和接收器集成电路 VARIABLE-GAIN AMPLIFICATION CIRCUIT, RECEIVER AND RECEIVER IC
公开(公告)号：TW200843370A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096148747
申请日：2007-12-19
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：岡信大和 OKANOBU, TAIWA
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03G1/0029 , H03F3/195 , H03F3/45188 , H03F3/4521 , H03F3/45659 , H03F2200/391 , H03F2200/451 , H03F2203/45082 , H03F2203/45302 , H03F2203/45638 , H03G3/3068
摘要：本發明揭示一種可變增益之放大電路,其中第一及第二MOSFET(金氧半導體場效電晶體)之源極係聯結至與一電流源連接的一共同連接點。一輸入信號係供應至該等第一及第二MOSFET之閘極。該等第一及第二MOSFET之汲極係分別連接至第三及第四MOSFET之源極,而該等第三及第四MOSFET之汲極係分別連接至兩個輸出端子,一增益控制電壓係供應至該等第三及第四MOSFET兩者之閘極。當執行控制以便降低供應至該等第三及第四MOSFET兩者之該等閘極的該增益控制電壓時,亦執行另一控制以便提高施加於該等第一及第二MOSFET兩者之該等閘極的一偏壓電壓。
简体摘要：本发明揭示一种可变增益之放大电路,其中第一及第二MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)之源极系联结至与一电流源连接的一共同连接点。一输入信号系供应至该等第一及第二MOSFET之闸极。该等第一及第二MOSFET之汲极系分别连接至第三及第四MOSFET之源极,而该等第三及第四MOSFET之汲极系分别连接至两个输出端子,一增益控制电压系供应至该等第三及第四MOSFET两者之闸极。当运行控制以便降低供应至该等第三及第四MOSFET两者之该等闸极的该增益控制电压时,亦运行另一控制以便提高施加于该等第一及第二MOSFET两者之该等闸极的一偏压电压。

2. 发明专利

TW200839816A 可變電容電路审中-公开
简体标题：可变电容电路
公开(公告)号：TW200839816A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096143728
申请日：2007-11-19
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：岡信大和 OKANOBU, TAIWA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H03K17/687 , H03J5/246 , H03J2200/10
摘要：本發明提供一種能以單一低電壓來動作之交換電路。於第一端子T1與第二端子T0間,並聯連接有電容器Ci與MOS-FET(Qi)之汲極‧源極間之串聯電路之複數個(i=0~n)。於各串聯電路,反相器Ai之輸出端與電容器Ci及MOS-FET(Qi)之連接點間連接有上位電阻器Ri。電容控制用之數位資料之各位元bi供給至各串聯電路之MOS-FET(Qi)之閘極及反相器Ai,於第一端子T1與第二端T0間,獲得對應於數位資料之値而變化之電容。
简体摘要：本发明提供一种能以单一低电压来动作之交换电路。于第一端子T1与第二端子T0间,并联连接有电容器Ci与MOS-FET(Qi)之汲极‧源极间之串联电路之复数个(i=0~n)。于各串联电路,反相器Ai之输出端与电容器Ci及MOS-FET(Qi)之连接点间连接有上位电阻器Ri。电容控制用之数码数据之各比特bi供给至各串联电路之MOS-FET(Qi)之闸极及反相器Ai,于第一端子T1与第二端T0间,获得对应于数码数据之値而变化之电容。

3. 发明专利

TW200838165A 開關電路、可變電容電路及其IC 审中-公开
简体标题：开关电路、可变电容电路及其IC
公开(公告)号：TW200838165A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096148078
申请日：2007-12-14
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：岡信大和 OKANOBU, TAIWA
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03K17/162 , H03J2200/10 , H03K17/165 , H03K2217/0018 , H04N5/455
摘要：本發明之第一端子T1係經由電容器C11而連接於背閘極分離之MOS-FET(Q11)之汲極(或源極)。MOS-FET(Q11)之源極(或汲極)連接於第二端子T2。背閘極連接於源極(或汲極)。控制電壓VG供給至MOS-FET(Q11)之閘極,並且反轉該控制電壓VG之極性後之電壓係經由電阻元件R12而供給至汲極。
简体摘要：本发明之第一端子T1系经由电容器C11而连接于背闸极分离之MOS-FET(Q11)之汲极(或源极)。MOS-FET(Q11)之源极(或汲极)连接于第二端子T2。背闸极连接于源极(或汲极)。控制电压VG供给至MOS-FET(Q11)之闸极,并且反转该控制电压VG之极性后之电压系经由电阻组件R12而供给至汲极。

4. 发明专利

TW200836497A 前端電路审中-公开
简体标题：前端电路
公开(公告)号：TW200836497A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096143580
申请日：2007-11-16
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：岡信大和 OKANOBU, TAIWA
IPC分类号： H04B , H04N , H03D
CPC分类号： H04N5/4446 , H03G3/3068 , H03J1/005 , H03J3/06 , H03J5/244 , H03J2200/10 , H04N5/50 , H04N5/52 , H04N21/4263 , H04N21/4305
摘要：本發明提供一種可對應各種電視播放方式之前端電路之IC。本發明係設置對應電視播放之複數接收頻帶之各個之調諧電路12A~12C、14A~14C及高頻放大器13A~13C。且設置:交換電路11,其係將接收信號選擇性地供給至調諧電路12A~12C;及交換電路15,其係選擇性地取出調諧電路14A~14C之輸出。且設置:混頻電路21I、21Q,其係被供給交換電路15之輸出;及PLL30,其係將相位互相正交之局部振盪信號SL0I、SL0Q供給至混頻電路21I、21Q。且設置:複帶通濾波器24,其係被供給混頻電路21I、21Q之各輸出;及輸出電路25,其係運算複帶通濾波器24之輸出,並輸出中頻信號SIF。
简体摘要：本发明提供一种可对应各种电视播放方式之前端电路之IC。本发明系设置对应电视播放之复数接收频带之各个之调谐电路12A~12C、14A~14C及高频放大器13A~13C。且设置:交换电路11,其系将接收信号选择性地供给至调谐电路12A~12C;及交换电路15,其系选择性地取出调谐电路14A~14C之输出。且设置:混频电路21I、21Q,其系被供给交换电路15之输出;及PLL30,其系将相位互相正交之局部振荡信号SL0I、SL0Q供给至混频电路21I、21Q。且设置:复带通滤波器24,其系被供给混频电路21I、21Q之各输出;及输出电路25,其系运算复带通滤波器24之输出,并输出中频信号SIF。

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