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1. 发明专利

TW201535698A 固體攝像元件及其驅動方法、以及電子機器审中-公开
简体标题：固体摄像组件及其驱动方法、以及电子机器
公开(公告)号：TW201535698A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104101842
申请日：2015-01-20
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3575 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H04N5/363 , H04N5/365 , H04N5/367 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/37457 , H04N9/045
摘要：本技術係關於一種可藉由抑制電荷保持部之電壓不均而提高畫質之固體攝像元件及其驅動方法、以及電子機器。第1光電轉換部係藉由接收入射至像素之光且進行光電轉換而產生信號電荷並予以儲存。第1電荷保持部係保持所產生之信號電荷。第1輸出電晶體係於藉由第1選擇電晶體選擇像素之情形時，將第1電荷保持部之信號電荷作為像素信號輸出。第1電壓控制電晶體係控制第1輸出電晶體之輸出端之電壓。本發明之技術係可應用於例如固體攝像元件之像素等。
简体摘要：本技术系关于一种可借由抑制电荷保持部之电压不均而提高画质之固体摄像组件及其驱动方法、以及电子机器。第1光电转换部系借由接收入射至像素之光且进行光电转换而产生信号电荷并予以存储。第1电荷保持部系保持所产生之信号电荷。第1输出晶体管系于借由第1选择晶体管选择像素之情形时，将第1电荷保持部之信号电荷作为像素信号输出。第1电压控制晶体管系控制第1输出晶体管之输出端之电压。本发明之技术系可应用于例如固体摄像组件之像素等。

2. 发明专利

TW201801297A 成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法审中-公开
简体标题：成像组件、堆栈型成像组件、固态成像设备及用于固态成像设备之驱动方法
公开(公告)号：TW201801297A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105656
申请日：2017-02-21
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：富樫秀晃 , TOGASHI, HIDEAKI , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO , 山口哲司 , YAMAGUCHI, TETSUJI , 平田晉太郎 , HIRATA, SHINTAROU , 渡部泰一郎 , WATANABE, TAIICHIRO , 安藤良洋 , ANDO, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
CPC分类号： Y02E10/549
摘要：本發明提供一種成像裝置。該成像裝置可包含：一基板，其具有一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處。該第二光電轉換單元可包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間。
简体摘要：本发明提供一种成像设备。该成像设备可包含：一基板，其具有一第一光电转换单元；及一第二光电转换单元，其位于该基板之一光入射侧处。该第二光电转换单元可包含：一光电转换层；一第一电极；一第二电极，其位于该光电转换层上方；一第三电极；及一绝缘材料，其介于该第三电极与该光电转换层之间，其中该绝缘材料之一部分介于该第一电极与该第三电极之间。

3. 发明专利

TW201523853A 固態成像器件及其製造方法以及電子裝置审中-公开
简体标题：固态成像器件及其制造方法以及电子设备
公开(公告)号：TW201523853A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103132308
申请日：2014-09-18
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：渡部泰一郎 , WATANABE, TAIICHIRO , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14641 , H01L27/14689
摘要：本發明提供一種固態成像器件，該固態成像器件包含一像素，該像素包含：一光電轉換單元，其根據所接收之一光量產生並累積一電荷；一電荷累積單元，其累積該產生之電荷；一第一轉移電晶體，其將該光電轉換單元之該電荷轉移至該電荷累積單元；一電荷保持單元，其保持該電荷以讀出為一信號；及一第二轉移電晶體，其將該電荷累積單元之該電荷轉移至該電荷保持單元，其中該第一轉移電晶體之一閘極電極經形成為自一半導體基板介面埋入直至一預定深度，且該電荷累積單元形成為一縱長形狀以沿將埋入其中之該第一轉移電晶體之該閘極電極之一側壁在一深度方向上延伸。
简体摘要：本发明提供一种固态成像器件，该固态成像器件包含一像素，该像素包含：一光电转换单元，其根据所接收之一光量产生并累积一电荷；一电荷累积单元，其累积该产生之电荷；一第一转移晶体管，其将该光电转换单元之该电荷转移至该电荷累积单元；一电荷保持单元，其保持该电荷以读出为一信号；及一第二转移晶体管，其将该电荷累积单元之该电荷转移至该电荷保持单元，其中该第一转移晶体管之一闸极电极经形成为自一半导体基板界面埋入直至一预定深度，且该电荷累积单元形成为一纵长形状以沿将埋入其中之该第一转移晶体管之该闸极电极之一侧壁在一深度方向上延伸。

4. 发明专利

TW201626554A 固體攝像元件及電子裝置审中-公开
简体标题：固体摄像组件及电子设备
公开(公告)号：TW201626554A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104142340
申请日：2015-12-16
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：渡部泰一郎 , WATANABE, TAIICHIRO , 中村良助 , NAKAMURA, RYOSUKE , 佐藤友亮 , SATO, YUSUKE , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/359
CPC分类号： H01L27/14656 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/378
摘要：本技術係關於可穩定地進行來自PD之溢流，且可抑制Qs之降低及混色之產生之固體攝像元件及電子裝置。本技術之一態樣之固體攝像元件係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。本技術例如可應用於CMOS影像感測器。
简体摘要：本技术系关于可稳定地进行来自PD之溢流，且可抑制Qs之降低及混色之产生之固体摄像组件及电子设备。本技术之一态样之固体摄像组件系于半导体基板内之受光面侧包含：电荷保持部，其对应入射光产生电荷并予以保持；OFD部，其排出上述电荷保持部中饱和之上述电荷；及电位障壁部，其成为自上述电荷保持部向上述OFD部流出之上述电荷之障壁；上述OFD部系包含同类型杂质之浓度不同之低浓度OFD部及高浓度OFD部；且上述高浓度OFD部与上述电位障壁部系隔开间隔形成。本技术例如可应用于CMOS影像传感器。

5. 发明专利

TW202008572A 固態攝像元件、固態攝像裝置及固態攝像元件之讀出方法审中-公开
简体标题：固态摄像组件、固态摄像设备及固态摄像组件之读出方法
公开(公告)号：TW202008572A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125741
申请日：2019-07-19
申请人：日商索尼股份有限公司 , SONY CORPORATION , 日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：村田賢一 , MURATA, KENICHI , 定榮正大 , JOEI, MASAHIRO , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO , 八木巖 , YAGI, IWAO , 平田晉太郎 , HIRATA, SHINTAROU , 富樫秀晃 , TOGASHI, HIDEAKI , 齊藤陽介 , SAITO, YOSUKE , 高橋新吾 , TAKAHASHI, SHINGO
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/335 , H04N5/369
摘要：本發明提供一種固態攝像元件，其具備半導體基板(300)、以及將光轉換為電荷之第1及第2光電轉換部(500、600)，且第1及第2光電轉換部(500、600)之各者具有積層構造，上述積層構造包含上部電極(502、602)；下部電極(508、608)；光電轉換膜(504、604)，其夾置於上述上部電極與上述下部電極之間；及儲存電極(510、610)，其隔著上述光電轉換膜及絕緣膜而與上述上部電極對向；且第1及第2光電轉換部(500、600)之下部電極(508、608)之各者係經由共通設置於第1及第2光電轉換部(500、600)之貫穿半導體基板(300)之共通貫通電極(460)，而電性連接於在半導體基板(300)內共通設置於第1及第2光電轉換部(500、600)之共通電荷儲存部(314)。
简体摘要：本发明提供一种固态摄像组件，其具备半导体基板(300)、以及将光转换为电荷之第1及第2光电转换部(500、600)，且第1及第2光电转换部(500、600)之各者具有积层构造，上述积层构造包含上部电极(502、602)；下部电极(508、608)；光电转换膜(504、604)，其夹置于上述上部电极与上述下部电极之间；及存储电极(510、610)，其隔着上述光电转换膜及绝缘膜而与上述上部电极对向；且第1及第2光电转换部(500、600)之下部电极(508、608)之各者系经由共通设置于第1及第2光电转换部(500、600)之贯穿半导体基板(300)之共通贯通电极(460)，而电性连接于在半导体基板(300)内共通设置于第1及第2光电转换部(500、600)之共通电荷存储部(314)。

6. 发明专利

TW201834227A 成像元件，堆疊式成像元件及固態成像裝置审中-公开
简体标题：成像组件，堆栈式成像组件及固态成像设备
公开(公告)号：TW201834227A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139409
申请日：2017-11-15
申请人：日商索尼股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：古川明 , FURUKAWA, AKIRA , 安藤良洋 , ANDO, YOSHIHIRO , 富樫秀晃 , TOGASHI, HIDEAKI , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要：本發明提供一種成像元件，其包含藉由堆疊一第一電極、一光電轉換層及一第二電極所形成之一光電轉換單元。該光電轉換單元進一步包含一電荷儲存電極，其經安置成與該第一電極間隔開且經安置成經由一絕緣層與該光電轉換層對置。該光電轉換單元係由N個光電轉換單元段形成，且此同樣適用於該光電轉換層、該絕緣層及該電荷儲存電極。一第n光電轉換單元段係由一第n電荷儲存電極段、一第n絕緣層段及一第n光電轉換層段形成。隨著n增大，該第n光電轉換單元段定位成更遠離該第一電極。該絕緣層段之一厚度自一第一光電轉換單元段至一第N光電轉換單元段逐漸變化。
简体摘要：本发明提供一种成像组件，其包含借由堆栈一第一电极、一光电转换层及一第二电极所形成之一光电转换单元。该光电转换单元进一步包含一电荷存储电极，其经安置成与该第一电极间隔开且经安置成经由一绝缘层与该光电转换层对置。该光电转换单元系由N个光电转换单元段形成，且此同样适用于该光电转换层、该绝缘层及该电荷存储电极。一第n光电转换单元段系由一第n电荷存储电极段、一第n绝缘层段及一第n光电转换层段形成。随着n增大，该第n光电转换单元段定位成更远离该第一电极。该绝缘层段之一厚度自一第一光电转换单元段至一第N光电转换单元段逐渐变化。

7. 发明专利

TW202018927A 固體攝像元件、固體攝像裝置、電子機器及固體攝像元件之製造方法审中-公开
简体标题：固体摄像组件、固体摄像设备、电子机器及固体摄像组件之制造方法
公开(公告)号：TW202018927A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108119437
申请日：2019-06-05
申请人：日商索尼股份有限公司 , SONY CORPORATION , 日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：富樫秀晃 , TOGASHI, HIDEAKI , 八木巖 , YAGI, IWAO , 定榮正大 , JOEI, MASAHIRO , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO , 村田賢一 , MURATA, KENICHI , 平田晉太郎 , HIRATA, SHINTAROU , 齊藤陽介 , SAITO, YOSUKE , 古川明 , FURUKAWA, AKIRA
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369
摘要：本發明提供一種可提高特性之固體攝像元件、固體攝像裝置、電子機器及固體攝像元件之製造方法。提供一種固體攝像元件(10)，其具備積層構造，該積層構造具有半導體基板(500)；第1光電轉換部(PD200)，其設置於上述半導體基板之上方，將光轉換成電荷；及第2光電轉換部(PD100)，其設置於上述第1光電轉換部之上方，將光轉換成電荷，上述第1及第2光電轉換部以互相成為以對於上述積層構造之積層方向垂直之垂直面作為對稱軸之線對稱關係之方式，使上述第1及第2光電轉換部具有積層有共通電極(102、202)、光電轉換膜(104、204)及讀出電極(108、208)之光電轉換積層構造。
简体摘要：本发明提供一种可提高特性之固体摄像组件、固体摄像设备、电子机器及固体摄像组件之制造方法。提供一种固体摄像组件(10)，其具备积层构造，该积层构造具有半导体基板(500)；第1光电转换部(PD200)，其设置于上述半导体基板之上方，将光转换成电荷；及第2光电转换部(PD100)，其设置于上述第1光电转换部之上方，将光转换成电荷，上述第1及第2光电转换部以互相成为以对于上述积层构造之积层方向垂直之垂直面作为对称轴之线对称关系之方式，使上述第1及第2光电转换部具有积层有共通电极(102、202)、光电转换膜(104、204)及读出电极(108、208)之光电转换积层构造。

8. 发明专利

TW202005072A 固態攝像元件及其製造方法审中-公开
简体标题：固态摄像组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202005072A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116509
申请日：2019-05-14
申请人：日商索尼股份有限公司 , SONY CORPORATION , 日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：定榮正大 , JOEI, MASAHIRO , 村田賢一 , MURATA, KENICHI , 古閑史彦 , KOGA, FUMIHIKO , 八木巖 , YAGI, IWAO , 平田晉太郎 , HIRATA, SHINTAROU , 富樫秀晃 , TOGASHI, HIDEAKI , 齊藤陽介 , SAITO, YOSUKE
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
摘要：本發明之課題在於提供一種具有可抑制製造成本之增加且自所積層之光電轉換膜有效率地輸出、傳送像素信號之像素電晶體及其配線的固態攝像元件及其製造方法。本發明之固態攝像元件具備：半導體基板；第1光電轉換部，其設置於前述半導體基板上；及控制部，其設置為與前述第1光電轉換部積層，包含控制前述第1光電轉換部之複數個像素電晶體；且前述第1光電轉換部包含：第2電極；第1光電轉換膜，其設置於前述第2電極之上方，將光轉換為電荷；及第1電極，其設置於前述第1光電轉換膜上；並且前述複數個像素電晶體包含將前述電荷放大並作為像素信號輸出之放大電晶體；前述放大電晶體之通道形成區域包含氧化物半導體層。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种具有可抑制制造成本之增加且自所积层之光电转换膜有效率地输出、发送像素信号之像素晶体管及其配线的固态摄像组件及其制造方法。本发明之固态摄像组件具备：半导体基板；第1光电转换部，其设置于前述半导体基板上；及控制部，其设置为与前述第1光电转换部积层，包含控制前述第1光电转换部之复数个像素晶体管；且前述第1光电转换部包含：第2电极；第1光电转换膜，其设置于前述第2电极之上方，将光转换为电荷；及第1电极，其设置于前述第1光电转换膜上；并且前述复数个像素晶体管包含将前述电荷放大并作为像素信号输出之放大晶体管；前述放大晶体管之信道形成区域包含氧化物半导体层。

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