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简体标题：用于蚀刻具有经控制之制程结果分配的方法 METHOD FOR ETCHING HAVING A CONTROLLED DISTRIBUTION OF PROCESS RESULTS

公开(公告)号：TWI323011B

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：TW095107311

申请日：2006-03-03

申请人：應用材料股份有限公司

发明人：柯潘尼基湯瑪士J , 索多洛斯帕納葛波洛斯 , 賈尼尼可拉斯 , 包衛佛瑞德 , 沈美華 , 荷倫約翰P

IPC分类号： H01L

摘要：本發明的實施例大體上提供用來蝕刻一基材的方法。在一實施例中，該方法包括決定一基材溫度目標曲線(profile)，其對應在一基材上之蝕刻副產物的一均勻的沉積速率；偏好地調節一基材支撐件的一第一部分相對於該基材支撐件的一第二部分的溫度用以獲得在該基材上的該基材溫度目標曲線；及蝕刻在被偏好地調節之基材支撐件上的該基材。在另一實施例中，該方法包括提供一基材於一處理室中，該處理室具有一可選擇的物種分配於該處理室內，及一具有橫向溫度控制之基材支撐件，其中一由該基材支撐件所引起的溫度曲線及一物種分配選擇包含一控制參數組；用不同的控制參數組來分別蝕刻一第一物質層及蝕刻一第二物質層。 Embodiments of the present invention generally provide methods for etching a substrate. In one embodiment, the method includes determining a substrate temperature target profile that corresponds to a uniform deposition rate of etch byproduct on a substrate, preferentially regulating a temperature of a first portion of a substrate relative to a second portion of the substrate support to obtain the substrate temperature target profile on the substrate, and etching the substrate on the preferentially regulated substrate support. In another embodiment, the method includes providing a substrate in a processing chamber having a selectable distribution of species within in the processing chamber and a substrate support with lateral temperature control, wherein a temperature profile induced by the substrate support and a selection of species distribution comprises a control parameter set, etching a first layer of material and etch a second layer of material respectively different control parameter sets. 【創作特點】本發明的實施例大體上提供用來蝕刻一基材的方法。在一實施例中，該方法包括決定一基材溫度目標曲線(profile)，其對應在一基材上之蝕刻副產物的一均勻的沉積速率，優先地調節一基材支撐件的一第一部分相對於該基材支撐件的一第二部分的溫度用以獲得在該基材上的該基材溫度目標曲線，及蝕刻在該被優先地調節之基材支撐件上的該基材。
在另一實施例中，該方法包括提供一第一製程控制旋鈕用來實施一第一製程條件，其中該第一製程條件是由製程結果的一第一分配來代表；提供一第二製程控制旋鈕用來實施一第二製程條件，其中該第二製程條件是由製程結果的一第二分配來代表；將該第一及第二製程控制旋鈕兩者設定至一預定的設定，其中該第一製程控制旋鈕選擇氣體注入該處理室的位置，及該第二製程控制旋鈕選擇該基材支撐件的溫度曲線。
在另一實施例中，該方法包括提供一基材至一處理室中，該處理室具有一可選擇的物種分配於該處理室內，及一具有橫向溫度控制之基材支撐件，其中一由該基材支撐件所引起的溫度曲線及物種分配選擇包含一控制參數組，用一第一控制參數組蝕刻一第一物質層，及用第二控制參數組蝕刻第二物質層，其中該第一及第二參數組不相同。

简体摘要：本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上之蚀刻副产物的一均匀的沉积速率；偏好地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线；及蚀刻在被偏好地调节之基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一基材于一处理室中，该处理室具有一可选择的物种分配于该处理室内，及一具有横向温度控制之基材支撑件，其中一由该基材支撑件所引起的温度曲线及一物种分配选择包含一控制参数组；用不同的控制参数组来分别蚀刻一第一物质层及蚀刻一第二物质层。 Embodiments of the present invention generally provide methods for etching a substrate. In one embodiment, the method includes determining a substrate temperature target profile that corresponds to a uniform deposition rate of etch byproduct on a substrate, preferentially regulating a temperature of a first portion of a substrate relative to a second portion of the substrate support to obtain the substrate temperature target profile on the substrate, and etching the substrate on the preferentially regulated substrate support. In another embodiment, the method includes providing a substrate in a processing chamber having a selectable distribution of species within in the processing chamber and a substrate support with lateral temperature control, wherein a temperature profile induced by the substrate support and a selection of species distribution comprises a control parameter set, etching a first layer of material and etch a second layer of material respectively different control parameter sets. 【创作特点】本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上之蚀刻副产物的一均匀的沉积速率，优先地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线，及蚀刻在该被优先地调节之基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一第一制程控制旋钮用来实施一第一制程条件，其中该第一制程条件是由制程结果的一第一分配来代表；提供一第二制程控制旋钮用来实施一第二制程条件，其中该第二制程条件是由制程结果的一第二分配来代表；将该第一及第二制程控制旋钮两者设置至一预定的设置，其中该第一制程控制旋钮选择气体注入该处理室的位置，及该第二制程控制旋钮选择该基材支撑件的温度曲线。在另一实施例中，该方法包括提供一基材至一处理室中，该处理室具有一可选择的物种分配于该处理室内，及一具有横向温度控制之基材支撑件，其中一由该基材支撑件所引起的温度曲线及物种分配选择包含一控制参数组，用一第一控制参数组蚀刻一第一物质层，及用第二控制参数组蚀刻第二物质层，其中该第一及第二参数组不相同。

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