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1. 发明专利

TW201519338A 搭載裝置、其製造方法、使用於該製造方法中之濺鍍靶材审中-公开
简体标题：搭载设备、其制造方法、使用于该制造方法中之溅镀靶材
公开(公告)号：TW201519338A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116517
申请日：2014-05-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：高澤悟 , TAKASAWA, SATORU , 市川周平 , ICHIKAWA, SHUHEI , 杉浦功 , SUGIURA, ISAO , 石橋暁 , ISHIBASHI, SATORU , 新田純一 , NITTA, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/60 , C23C14/34
CPC分类号： H05K3/16 , C22C9/01 , C22C9/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K3/388 , H05K3/4644 , H05K2201/0209 , H05K2201/0317 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H01L2224/0401
摘要：提供一種在樹脂基板上而形成不會剝落之導電膜的搭載裝置。在由樹脂所成之基體(3)上，藉由濺鍍法而形成以較50原子%更多之量而含有Cu並以5原子%以上30原子%以下而含有Ni且以3原子%以上10原子%以下而含有Al之與基體(3)之表面相接觸的合金薄膜(4、5)，在合金薄膜(4、5)之表面上，形成由銅所成之導電膜(6、7)，而得到二層構造之配線膜(9)或填充連接孔(2)之金屬插塞(8)。合金薄膜(4、5)之與樹脂間的密著性係為高，配線膜(9)或金屬插塞(8)係不會剝離。
简体摘要：提供一种在树脂基板上而形成不会剥落之导电膜的搭载设备。在由树脂所成之基体(3)上，借由溅镀法而形成以较50原子%更多之量而含有Cu并以5原子%以上30原子%以下而含有Ni且以3原子%以上10原子%以下而含有Al之与基体(3)之表面相接触的合金薄膜(4、5)，在合金薄膜(4、5)之表面上，形成由铜所成之导电膜(6、7)，而得到二层构造之配线膜(9)或填充连接孔(2)之金属插塞(8)。合金薄膜(4、5)之与树脂间的密着性系为高，配线膜(9)或金属插塞(8)系不会剥离。

2. 发明专利

TW201507204A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201507204A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103111477
申请日：2014-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：市川周平 , ICHIKAWA, SHUHEI , 高澤悟 , TAKASAWA, SATORU , 杉浦功 , SUGIURA, ISAO , 石橋暁 , ISHIBASHI, SATORU
IPC分类号： H01L33/36
摘要：提供一種具備有接觸電阻為小且使透過率提昇之輔助電極的半導體裝置。為了將p型半導體層(17)與正電極(21)作電性連接，而在p型半導體層(17)和正電極(21)之間設置輔助電極層(10)。此輔助電極層(10)，係藉由與p型半導體層(17)相接觸之透明的Ag層(18)和透明的金屬氧化物層(19)所構成，相較於並未設置有Ag層(18)的情形，接觸電阻係更為降低，透過率係更為提昇。多重量子井層(16)之發光光，係通過輔助電極層(10)並被放出至外部。
简体摘要：提供一种具备有接触电阻为小且使透过率提升之辅助电极的半导体设备。为了将p型半导体层(17)与正电极(21)作电性连接，而在p型半导体层(17)和正电极(21)之间设置辅助电极层(10)。此辅助电极层(10)，系借由与p型半导体层(17)相接触之透明的Ag层(18)和透明的金属氧化物层(19)所构成，相较于并未设置有Ag层(18)的情形，接触电阻系更为降低，透过率系更为提升。多重量子井层(16)之发光光，系通过辅助电极层(10)并被放出至外部。

3. 发明专利

TWI528480B 搭載裝置及其製造方法有权
简体标题：搭载设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI528480B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103116517
申请日：2014-05-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：高澤悟 , TAKASAWA, SATORU , 市川周平 , ICHIKAWA, SHUHEI , 杉浦功 , SUGIURA, ISAO , 石橋暁 , ISHIBASHI, SATORU , 新田純一 , NITTA, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/60 , C23C14/34
CPC分类号： H05K3/16 , C22C9/01 , C22C9/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K3/388 , H05K3/4644 , H05K2201/0209 , H05K2201/0317 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H01L2224/0401

4. 发明专利

TW201231702A 濺鍍裝置及銦金屬氧化物膜之形成方法 SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING IN METAL OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：溅镀设备及铟金属氧化物膜之形成方法 SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING IN METAL OXIDE FILM
公开(公告)号：TW201231702A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100139145
申请日：2011-10-27
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：齋藤敦史 , 市川周平 , 浮島禎之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/044 , C23C14/08 , C23C14/225 , C23C14/34 , C23C14/50 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要：提供一種：藉由濺鍍法，來形成具備p型半導體層和歐姆接觸層並且光透過率為高而電阻率為低的含有銦之金屬氧化物膜之方法。對於含有銦之金屬氧化物的靶材(21)之濺鍍面(28)進行濺鍍，並一面從濺鍍面(28)放出濺鍍粒子，一面在使基底層露出於成膜對象物(1)之表面的狀態下，使成膜對象物(1)在與濺鍍面相平行之一平面內移動，並從濺鍍粒子並不會射入移動中之成膜對象物(1)之基底層的表面上之狀態來改變為會作射入之狀態，且使濺鍍粒子之對於基底層之表面的射入，成為在64°以上85°以下之範圍內的射入角度而開始，在移動中與濺鍍面(28)相對面，並在成膜對象物(1)之表面上形成含有銦之金屬氧化物之薄膜。
简体摘要：提供一种：借由溅镀法，来形成具备p型半导体层和欧姆接触层并且光透过率为高而电阻率为低的含有铟之金属氧化物膜之方法。对于含有铟之金属氧化物的靶材(21)之溅镀面(28)进行溅镀，并一面从溅镀面(28)放出溅镀粒子，一面在使基底层露出于成膜对象物(1)之表面的状态下，使成膜对象物(1)在与溅镀面相平行之一平面内移动，并从溅镀粒子并不会射入移动中之成膜对象物(1)之基底层的表面上之状态来改变为会作射入之状态，且使溅镀粒子之对于基底层之表面的射入，成为在64°以上85°以下之范围内的射入角度而开始，在移动中与溅镀面(28)相对面，并在成膜对象物(1)之表面上形成含有铟之金属氧化物之薄膜。

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