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    • 1. 发明专利
    • 封裝結構
    • 封装结构
    • TW201838120A
    • 2018-10-16
    • TW106111723
    • 2017-04-07
    • 思鷺科技股份有限公司IBIS INNOTECH INC.
    • 劉文俊LIU, WEN-CHUN賴威仁LAI, WEI-JEN
    • H01L23/495H01L23/053H01L23/29
    • 一種封裝結構包括一導線架、一絕緣基材、多個導通孔、一圖案化金屬層以及一晶片。導線架包括多個接點。絕緣基材包覆導線架。導通孔設置於絕緣基材上並連通接點。圖案化金屬層覆蓋絕緣基材的一外表面並包括一溝槽以及一線路部。線路部連接並覆蓋導通孔及接點。溝槽環繞線路部,以使線路部與其餘的圖案化金屬層電性絕緣,其中溝槽所暴露的絕緣基材的一表面低於外表面。晶片設置於絕緣基材上並與線路部電性連接。
    • 一种封装结构包括一导线架、一绝缘基材、多个导通孔、一图案化金属层以及一芯片。导线架包括多个接点。绝缘基材包覆导线架。导通孔设置于绝缘基材上并连通接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的一外表面并包括一沟槽以及一线路部。线路部连接并覆盖导通孔及接点。沟槽环绕线路部,以使线路部与其余的图案化金属层电性绝缘,其中沟槽所暴露的绝缘基材的一表面低于外表面。芯片设置于绝缘基材上并与线路部电性连接。
    • 3. 发明专利
    • 半導體結構
    • 半导体结构
    • TW201810587A
    • 2018-03-16
    • TW105129233
    • 2016-09-09
    • 思鷺科技股份有限公司IBIS INNOTECH INC.
    • 劉文俊LIU, WEN-CHUN賴威仁LAI, WEI-JEN
    • H01L23/52
    • 一種半導體結構,其包括一絕緣層、多個階梯狀導通孔以及一圖案化線路層。絕緣層包括一上表面及相對上表面的一下表面。階梯狀導通孔設置於絕緣層以電性導通上表面及下表面,其中各階梯狀導通孔包括一頂蓋部以及連接頂蓋部的一連接部。頂蓋部設置於上表面且頂蓋部的一頂面與上表面共平面,頂蓋部的一最小直徑大於連接部的一最大直徑。圖案化線路層設置於上表面並與階梯狀導通孔電性連接。
    • 一种半导体结构,其包括一绝缘层、多个阶梯状导通孔以及一图案化线路层。绝缘层包括一上表面及相对上表面的一下表面。阶梯状导通孔设置于绝缘层以电性导通上表面及下表面,其中各阶梯状导通孔包括一顶盖部以及连接顶盖部的一连接部。顶盖部设置于上表面且顶盖部的一顶面与上表面共平面,顶盖部的一最小直径大于连接部的一最大直径。图案化线路层设置于上表面并与阶梯状导通孔电性连接。