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1. 发明专利

TWI476861B 多重深度淺渠槽隔離製程有权
简体标题：多重深度浅渠槽隔离制程
公开(公告)号：TWI476861B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW099101133
申请日：2010-01-15
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：薩托賈斯丁H , SATO, JUSTIN H. , 海恩斯布萊恩 , HENNES, BRIAN , 斯托貴格 , STOM, GREG , 馬羅伯特P , MA, ROBERT P. , 勞迪沃特E , LUNDY, WALTER E.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/3083

2. 发明专利

TW201921457A 具有氧化物覆蓋及間隔層之記憶體單元以保護浮動閘極免受源極植入审中-公开
简体标题：具有氧化物覆盖及间隔层之内存单元以保护浮动闸极免受源极植入
公开(公告)号：TW201921457A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132355
申请日：2018-09-14
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：海馬斯梅爾 , HYMAS, MEL , 陳波麥 , CHEN, BOMY , 斯托貴格 , STOM, GREG , 沃爾斯詹姆士 , WALLS, JAMES
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11517 , H01L29/788
摘要：本發明揭示一種形成一記憶體單元(例如快閃記憶體單元)之方法，其可包含(a)將多晶矽沈積於一基板上方，(b)將一遮罩沈積於該多晶矽上方，(c)在該遮罩中蝕刻一開口以曝露該多晶矽之一表面，(d)使一浮動閘極氧化物生長於曝露多晶矽表面處，(e)將額外氧化物沈積於該浮動閘極氧化物上方，使得該浮動閘極氧化物及額外氧化物共同界定一氧化物覆蓋，(f)移除鄰近該氧化物覆蓋之遮罩材料，(g)蝕刻掉未由該氧化物覆蓋覆蓋之該多晶矽的部分，其中該多晶矽之一剩餘部分界定一浮動閘極，及(h)將一間隔層沈積於該氧化物覆蓋及浮動閘極上方。該間隔層可包含在該浮動閘極之至少一向上指向尖端區域上方對準之一屏蔽區域，其幫助保護此(等)尖端區域免受一後續源極植入程序影響。
简体摘要：本发明揭示一种形成一内存单元(例如闪存单元)之方法，其可包含(a)将多晶硅沉积于一基板上方，(b)将一遮罩沉积于该多晶硅上方，(c)在该遮罩中蚀刻一开口以曝露该多晶硅之一表面，(d)使一浮动闸极氧化物生长于曝露多晶硅表面处，(e)将额外氧化物沉积于该浮动闸极氧化物上方，使得该浮动闸极氧化物及额外氧化物共同界定一氧化物覆盖，(f)移除邻近该氧化物覆盖之遮罩材料，(g)蚀刻掉未由该氧化物覆盖覆盖之该多晶硅的部分，其中该多晶硅之一剩余部分界定一浮动闸极，及(h)将一间隔层沉积于该氧化物覆盖及浮动闸极上方。该间隔层可包含在该浮动闸极之至少一向上指向尖端区域上方对准之一屏蔽区域，其帮助保护此(等)尖端区域免受一后续源极植入进程影响。

3. 发明专利

TW201036107A 多深度淺槽隔離製程 MULTIPLE DEPTH SHALLOW TRENCH ISOLATION PROCESS 审中-公开
简体标题：多深度浅槽隔离制程 MULTIPLE DEPTH SHALLOW TRENCH ISOLATION PROCESS
公开(公告)号：TW201036107A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099101133
申请日：2010-01-15
申请人：微晶片科技公司
发明人：薩托賈斯丁H , 海恩斯布萊恩 , 斯托貴格 , 馬羅伯特P , 勞迪沃特E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/3083
摘要：本發明係關於一種用於製造一半導體晶粒之方法,該方法可具有以下步驟:提供一半導體基板;處理該基板至可形成淺渠槽隔離(STI)之一點;沈積具有一預定義厚度之至少一底層於晶圓上;沈積一遮罩層於該底層之頂部;塑形該遮罩層以具有預定義深度之區域;應用一光微影成像製程以曝照待形成該等槽之所有區域;及蝕刻該晶圓以形成矽槽,其中一槽之深度取決於相對於該遮罩層區域之位置。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造一半导体晶粒之方法,该方法可具有以下步骤:提供一半导体基板;处理该基板至可形成浅渠槽隔离(STI)之一点;沉积具有一预定义厚度之至少一底层于晶圆上;沉积一遮罩层于该底层之顶部;塑形该遮罩层以具有预定义深度之区域;应用一光微影成像制程以曝照待形成该等槽之所有区域;及蚀刻该晶圆以形成硅槽,其中一槽之深度取决于相对于该遮罩层区域之位置。

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