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1. 发明专利

TW201100595A 藉由控制過度冷卻製造半導體材料之未支撐物體 METHODS OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL BY CONTROLLED UNDERCOOLING 审中-公开
简体标题：借由控制过度冷却制造半导体材料之未支撑物体 METHODS OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL BY CONTROLLED UNDERCOOLING
公开(公告)号：TW201100595A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099105542
申请日：2010-02-25
申请人：康寧公司
发明人：考克革藍貝耐特 , 馬入德派提克 , 森曼巴朗
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/007 , C30B28/10 , C30B29/06
摘要：本發明係關於製造半導體材料物件之方法,以及由該方法製造出之半導體材料物件,例如為能夠使用於製造光伏打電池之半導體材料。
简体摘要：本发明系关于制造半导体材料对象之方法,以及由该方法制造出之半导体材料对象,例如为能够使用于制造光伏打电池之半导体材料。

2. 发明专利

TW201226637A 製造半導體材料物品之方法 METHOD OF MAKING AN ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL 审中-公开
简体标题：制造半导体材料物品之方法 METHOD OF MAKING AN ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL
公开(公告)号：TW201226637A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099144350
申请日：2010-12-17
申请人：康寧公司
发明人：考克革藍貝耐特 , 馬入德派提克 , 森曼巴朗 , 湯姆克里史考特
IPC分类号： C30B
摘要：一種製造半導體材料物品的方法包括從熔融半導體材料抽出具有固體鑄模,其在鑄模外表面上形成一層半導體材料的固體層。在進行抽拉期間,控制一種或多種的溫度,力量,和相對的抽拉速率,在抽拉過程中在形成於固體層上的半導體材料固體被覆層中達到一種或多種所需要的屬性。
简体摘要：一种制造半导体材料物品的方法包括从熔融半导体材料抽出具有固体铸模,其在铸模外表面上形成一层半导体材料的固体层。在进行抽拉期间,控制一种或多种的温度,力量,和相对的抽拉速率,在抽拉过程中在形成于固体层上的半导体材料固体被覆层中达到一种或多种所需要的属性。

3. 发明专利

TW201139763A 半導體材料高產量再結晶 HIGH THROUGHPUT RECRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTING MATERIALS 审中-公开
简体标题：半导体材料高产量再结晶 HIGH THROUGHPUT RECRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTING MATERIALS
公开(公告)号：TW201139763A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099142354
申请日：2010-12-06
申请人：康寧公司
发明人：考克革藍貝耐特 , 馬入德派提克 , 森曼巴朗 , 位卡它拉曼那提森
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/64 , C30B11/003 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/16 , C30B29/42 , C30B29/52 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：茲揭示用以製造及/或處置半導體材料物品的方法。在各種方法中,提供第一半導體材料物品,該第一半導體材料物品係經足夠地加熱以熔融該第一半導體材料物品,並且在大致平行於該熔融第一半導體材料物品之最短尺寸的方向上固化該熔融第一半導體材料物品。亦揭示藉由本揭說明之方法所製造的半導體材料物品。
简体摘要：兹揭示用以制造及/或处置半导体材料物品的方法。在各种方法中,提供第一半导体材料物品,该第一半导体材料物品系经足够地加热以熔融该第一半导体材料物品,并且在大致平行于该熔融第一半导体材料物品之最短尺寸的方向上固化该熔融第一半导体材料物品。亦揭示借由本揭说明之方法所制造的半导体材料物品。

4. 发明专利

TW201137191A 外鑄造半導體材料物品之方法 METHOD OF EXOCASTING AN ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL 审中-公开
简体标题：外铸造半导体材料物品之方法 METHOD OF EXOCASTING AN ARTICLE OF SEMICONDUCTING MATERIAL
公开(公告)号：TW201137191A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099141315
申请日：2010-11-30
申请人：康寧公司
发明人：馬入德派提克 , 森曼巴朗
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/007 , C30B11/00 , C30B19/062 , C30B29/06
摘要：一種製作半導體材料物品的方法，其中牽涉到選定該物品的目標厚度，然後將一模具浸沒於熔融半導體材料內一段能夠在該模具之外部表面上有效地構成半導體材料固體層的浸沒時間，其中該固體層的厚度大致等於該目標厚度。該浸沒時間係經選定以大致等於該轉變時間，此時間係自針對具有特定屬性，包含模具組成成分、模具厚度及初始模具溫度在內，之模具的固體層厚度相對於浸沒時間之點繪圖所決定。該轉變時間，且因而該浸沒時間，係對應於針對該特定模具之固體層厚度相對於浸沒時間曲線中的固體層厚度之最大值。
简体摘要：一种制作半导体材料物品的方法，其中牵涉到选定该物品的目标厚度，然后将一模具浸没于熔融半导体材料内一段能够在该模具之外部表面上有效地构成半导体材料固体层的浸没时间，其中该固体层的厚度大致等于该目标厚度。该浸没时间系经选定以大致等于该转变时间，此时间系自针对具有特定属性，包含模具组成成分、模具厚度及初始模具温度在内，之模具的固体层厚度相对于浸没时间之点绘图所决定。该转变时间，且因而该浸没时间，系对应于针对该特定模具之固体层厚度相对于浸没时间曲线中的固体层厚度之最大值。

5. 发明专利

TW201000691A 製造含摻雜劑半導體材料之未支撐物體的方法 METHODS OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF PURE OR DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL 审中-公开
简体标题：制造含掺杂剂半导体材料之未支撑物体的方法 METHODS OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF PURE OR DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL
公开(公告)号：TW201000691A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098106611
申请日：2009-02-27
申请人：康寧公司
发明人：考克革藍貝耐特 , 馬入德派提克 , 梭尼卡馬奇秀 , 森曼巴朗 , 湯姆克里史考特 , 位卡它拉曼那提森
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B28/04
摘要：本發明係關於製造半導體材料物品之方法以及由該方法形成之半導體材料物品,例如可使用於光伏打電池之半導體材料物品。
简体摘要：本发明系关于制造半导体材料物品之方法以及由该方法形成之半导体材料物品,例如可使用于光伏打电池之半导体材料物品。

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