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2. 发明专利

TW201805482A 氧化鎢薄膜氫氣感測器审中-公开
简体标题：氧化钨薄膜氢气传感器
公开(公告)号：TW201805482A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105124324
申请日：2016-08-01
申请人：崑山科技大學
发明人：林天財 , 黃文昌 , 許國浩
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/14 , G01N27/12
摘要：本發明係在提供一種氧化鎢薄膜氫氣感測器，主要係設有矽基板經清洗後固定置入真空腔體；氧化鎢（WO3）薄膜，係利用熱蒸發將蒸鍍靶材蒸鍍於該矽基板，其中，該蒸鍍靶材為氧化鎢（WO3）粉末，首先透過加熱使氧化鎢（WO3）粉末所含水氣先揮發掉，再加熱使氧化鎢（WO3）粉末完全昇華蒸鍍於該矽基板形成氧化鎢（WO3）薄膜；白金（Pt）電極，係利用射頻（RF）磁控濺鍍沉積濺鍍靶材於該氧化鎢（WO3）薄膜，其中，該濺鍍靶材為白金（Pt）靶材；如此，感測氫氣（H2）時，可提供最佳之感測能力。
简体摘要：本发明系在提供一种氧化钨薄膜氢气传感器，主要系设有硅基板经清洗后固定置入真空腔体；氧化钨（WO3）薄膜，系利用热蒸发将蒸镀靶材蒸镀于该硅基板，其中，该蒸镀靶材为氧化钨（WO3）粉末，首先透过加热使氧化钨（WO3）粉末所含水汽先挥发掉，再加热使氧化钨（WO3）粉末完全升华蒸镀于该硅基板形成氧化钨（WO3）薄膜；白金（Pt）电极，系利用射频（RF）磁控溅镀沉积溅镀靶材于该氧化钨（WO3）薄膜，其中，该溅镀靶材为白金（Pt）靶材；如此，传感氢气（H2）时，可提供最佳之传感能力。

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