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    • 3. 发明专利
    • 補償半導體電路內所用電晶體之臨界値的電路及方法
    • 补偿半导体电路内所用晶体管之临界値的电路及方法
    • TW366586B
    • 1999-08-11
    • TW086103876
    • 1997-03-26
    • 富士通股份有限公司
    • 齋藤美壽
    • H01L
    • H03K17/145
    • 一電容器被連接在一個屬於臨界電壓補償之對象之電晶體Q的閘極與一輸入端IN之間。一開關裝置S1被連接在一個被連接至該電晶體Q之一端的電流源CI與該電晶體Q的閘極之間。一第二開關裝置S2被連接在該輸入端與一端B之間,一參者電壓VREF被施加至該端B。該開關裝置S1被變成ON因此該電晶體Q被二極體式連接。該開關裝置S2被變成ON,藉此施加該參者電壓VREF至該輸入端IN。一參考電壓VGND被施加至一個被連接至該電晶體Q之另一端的電流流入端-A。在視該雷晶體Q之臨界雷壓VTH而定的電荷被累積在該電容器C之後,讓開關裝置S1被變成OFF。在這控制下,由於電晶體之精巧結構所引起之在兩臨界電壓間的差異及在相鄰電晶體之間之臨界電壓上的差異能夠被補償。
    • 一电容器被连接在一个属于临界电压补偿之对象之晶体管Q的闸极与一输入端IN之间。一开关设备S1被连接在一个被连接至该晶体管Q之一端的电流源CI与该晶体管Q的闸极之间。一第二开关设备S2被连接在该输入端与一端B之间,一参者电压VREF被施加至该端B。该开关设备S1被变成ON因此该晶体管Q被二极管式连接。该开关设备S2被变成ON,借此施加该参者电压VREF至该输入端IN。一参考电压VGND被施加至一个被连接至该晶体管Q之另一端的电流流入端-A。在视该雷晶体Q之临界雷压VTH而定的电荷被累积在该电容器C之后,让开关设备S1被变成OFF。在这控制下,由于晶体管之精巧结构所引起之在两临界电压间的差异及在相邻晶体管之间之临界电压上的差异能够被补偿。