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    • 4. 发明专利
    • 行動裝置
    • 行动设备
    • TW201919280A
    • 2019-05-16
    • TW106138420
    • 2017-11-07
    • 宏碁股份有限公司ACER INCORPORATED
    • 顏銘慶YEN, MING CHING張琨盛CHANG, KUN SHENG陳健文CHEN, CHIEN WEN林敬基LIN, CHING CHI
    • H01Q1/36H01Q1/44H01Q13/10
    • 一種行動裝置,包括:一金屬機構件、一接地面、一饋入部、一寄生部,以及一介質基板。該金屬機構件具有一第一槽孔和一第二槽孔,其中該第一槽孔和該第二槽孔係分離且彼此鄰近。該接地面係耦接至該金屬機構件。該饋入部係耦接至一信號源,其中該饋入部係延伸跨越該第一槽孔。該寄生部係耦接至該接地面,其中該寄生部係延伸跨越該第一槽孔且鄰近於該饋入部。該接地面、該饋入部,以及該寄生部皆設置於該介質基板上。該饋入部、該寄生部,以及該金屬機構件之該第一槽孔和該第二槽孔係共同形成一天線結構。
    • 一种行动设备,包括:一金属机构件、一接地面、一馈入部、一寄生部,以及一介质基板。该金属机构件具有一第一槽孔和一第二槽孔,其中该第一槽孔和该第二槽孔系分离且彼此邻近。该接地面系耦接至该金属机构件。该馈入部系耦接至一信号源,其中该馈入部系延伸跨越该第一槽孔。该寄生部系耦接至该接地面,其中该寄生部系延伸跨越该第一槽孔且邻近于该馈入部。该接地面、该馈入部,以及该寄生部皆设置于该介质基板上。该馈入部、该寄生部,以及该金属机构件之该第一槽孔和该第二槽孔系共同形成一天线结构。
    • 7. 发明专利
    • 行動裝置
    • 行动设备
    • TW201644099A
    • 2016-12-16
    • TW104118459
    • 2015-06-08
    • 宏碁股份有限公司ACER INCORPORATED
    • 張琨盛CHANG, KUN SHENG林敬基LIN, CHING CHI
    • H01Q1/44H01Q5/50
    • H01Q5/314H01Q1/243H04B1/0458
    • 一種行動裝置,包括:一天線結構、一可調電路元件、一T型偏壓器、一電感元件,以及一電容元件。該可調電路元件係內嵌於該天線結構中。該T型偏壓器之一第一輸入端係用於接收一電源信號,該T型偏壓器之一第二輸入端係用於接收一射頻信號,而該T型偏壓器之一輸出端係用於輸出一混合信號。該電感元件係用於濾除該電源信號之高頻雜訊。該電容元件係用於濾除該射頻信號之低頻雜訊。該T型偏壓器之該輸出端係耦接至該天線結構上之一饋入點。該天線結構係由該混合信號所激發。該可調電路元件係根據該混合信號來產生不同阻抗值。
    • 一种行动设备,包括:一天线结构、一可调电路组件、一T型偏压器、一电感组件,以及一电容组件。该可调电路组件系内嵌于该天线结构中。该T型偏压器之一第一输入端系用于接收一电源信号,该T型偏压器之一第二输入端系用于接收一射频信号,而该T型偏压器之一输出端系用于输出一混合信号。该电感组件系用于滤除该电源信号之高频噪声。该电容组件系用于滤除该射频信号之低频噪声。该T型偏压器之该输出端系耦接至该天线结构上之一馈入点。该天线结构系由该混合信号所激发。该可调电路组件系根据该混合信号来产生不同阻抗值。
    • 9. 发明专利
    • 行動裝置
    • 行动设备
    • TW202011636A
    • 2020-03-16
    • TW107130820
    • 2018-09-03
    • 宏碁股份有限公司ACER INCORPORATED
    • 張琨盛CHANG, KUN SHENG林敬基LIN, CHING CHI
    • H01Q1/22H01Q1/44H01Q9/00
    • 一種行動裝置,包括:一本體、一天線結構,以及一浮接輻射部。本體包括一框架和一外殼,其中框架係位於一第一平面,外殼包括一平行區域和一削型區域,而平行區域係位於與第一平面平行之一第二平面。浮接輻射部係鄰近於天線結構,並用於增強天線結構之輻射效率。天線結構於外殼上具有一第一垂直投影,其中第一垂直投影係位於平行區域內。浮接輻射部於外殼上具有一第二垂直投影,其中第二垂直投影係位於削型區域內。框架係至少部份由非導體材質所製成,而外殼係至少部份由導體材質所製成。
    • 一种行动设备,包括:一本体、一天线结构,以及一浮接辐射部。本体包括一框架和一外壳,其中框架系位于一第一平面,外壳包括一平行区域和一削型区域,而平行区域系位于与第一平面平行之一第二平面。浮接辐射部系邻近于天线结构,并用于增强天线结构之辐射效率。天线结构于外壳上具有一第一垂直投影,其中第一垂直投影系位于平行区域内。浮接辐射部于外壳上具有一第二垂直投影,其中第二垂直投影系位于削型区域内。框架系至少部份由非导体材质所制成,而外壳系至少部份由导体材质所制成。