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3. 发明专利

TW202011406A 雙倍資料率記憶體审中-公开
简体标题：双倍数据率内存
公开(公告)号：TW202011406A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107131156
申请日：2018-09-05
申请人：宇瞻科技股份有限公司 , APACER TECHNOLOGY INC.
发明人：吳勇志 , WU, YUNG-CHIH , 林睿澂 , LIN, RUI-CHENG
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/50 , G11C16/00
摘要：本案係關於一種雙倍資料率記憶體，包括電路板、金手指連接介面、至少十六個第一積體電路晶片、至少十六個第二積體電路晶片、第一唯讀記憶體及第二唯讀記憶體。電路板具有第一表面、第二表面、第一區域及第二區域。金手指連接介面設置於第一區域且具有複數個接腳。第一積體電路晶片設置於第一表面。第二積體電路晶片設置於第二表面。複數個接腳中的十個接腳與第二唯讀記憶體及設置於第二區域之第一及第二積體電路晶片電性連接，以使設置於第二區域之第一及第二積體電路晶片運作。藉此可使至少32個積體電路晶片在單一記憶體有效運作。
简体摘要：本案系关于一种双倍数据率内存，包括电路板、金手指连接界面、至少十六个第一集成电路芯片、至少十六个第二集成电路芯片、第一唯读内存及第二唯读内存。电路板具有第一表面、第二表面、第一区域及第二区域。金手指连接界面设置于第一区域且具有复数个接脚。第一集成电路芯片设置于第一表面。第二集成电路芯片设置于第二表面。复数个接脚中的十个接脚与第二唯读内存及设置于第二区域之第一及第二集成电路芯片电性连接，以使设置于第二区域之第一及第二集成电路芯片运作。借此可使至少32个集成电路芯片在单一内存有效运作。

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