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    • 9. 发明专利
    • 氫產生用之活性陰極
    • 氢产生用之活性阴极
    • TW201137180A
    • 2011-11-01
    • TW100104098
    • 2011-02-08
    • 培爾梅烈克電極股份有限公司
    • 奈良美和子宮川惠理錦善則
    • C25B
    • C25B11/0494C25B11/0484Y02E60/366
    • 本發明提供一種於將氫過電壓維持在較低水平之狀態下亦可長時間穩定運轉,且短路停止後及高電流密度電解後之觸媒成分之殘存率高,觸媒之損失微小,對因電解液雜質成分所致之污染之耐性較強的活性化陰極。本發明提供一種氫產生用之陰極,其係於陰極基體上形成觸媒層者,其特徵在於:上述觸媒層係將鉑、鈰及鈀之至少3成分作為必須成分,該等以金屬、金屬氧化物或氫氧化物之狀態將各成分之莫耳分率分別設為x、y、z,各成分之含量範圍為5莫耳%≦x≦90莫耳%、5莫耳%≦y≦55莫耳%、5莫耳%≦z≦65莫耳%。
    • 本发明提供一种于将氢过电压维持在较低水平之状态下亦可长时间稳定运转,且短路停止后及高电流密度电解后之触媒成分之残存率高,触媒之损失微小,对因电解液杂质成分所致之污染之耐性较强的活性化阴极。本发明提供一种氢产生用之阴极,其系于阴极基体上形成触媒层者,其特征在于:上述触媒层系将铂、铈及钯之至少3成分作为必须成分,该等以金属、金属氧化物或氢氧化物之状态将各成分之莫耳分率分别设为x、y、z,各成分之含量范围为5莫耳%≦x≦90莫耳%、5莫耳%≦y≦55莫耳%、5莫耳%≦z≦65莫耳%。