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    • 2. 发明专利
    • GI型光導波路之製造方法
    • GI型光导波路之制造方法
    • TW201730226A
    • 2017-09-01
    • TW105134086
    • 2016-10-21
    • 日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 長澤偉大NAGASAWA, TAKEHIRO大森健太郎OHMORI, KENTARO石榑崇明ISHIGURE, TAKAAKI吉田翔YOSHIDA, SHO齊藤侑季SAITO, YUKI安原和貴YASUHARA, KAZUKI
    • C08F230/08C08F290/14G02B6/12G02B6/13
    • C08F230/08C08F290/14G02B6/12G02B6/13
    • 本發明提供耐熱性高且於長波長區域亦為低光傳送損失之GI型光導波路之製造方法。 本發明之光導波路之製造方法具有下述步驟:將吐出部前端之針狀部刺入未硬化之包覆部之第1步驟,邊自前述針狀部吐出未硬化材料,邊使前述針狀部於前述未硬化之包覆部內移動,而形成由前述未硬化之包覆部被覆周圍之未硬化芯部之第2步驟,自前述未硬化之包覆部拔除前述針狀部之第3步驟,及使前述未硬化之包覆部及前述未硬化之芯部硬化之第4步驟,前述未硬化之包覆部係由含有(a)反應性聚矽氧化合物100質量份及(b)式[3]表示之二(甲基)丙烯酸酯化合物1~200質量份之組成物所成,該(a)反應性聚矽氧化合物係由式[1]表示之二芳基矽酸化合物A與式[2]表示之烷氧基矽化合物B之聚縮合物或該二芳基矽酸化合物A與該烷氧基矽化合物B與其他聚縮合性化合物之聚縮合物所成,前述未硬化之芯部係由含有(x)反應性聚矽氧化合物100質量份及(y)式[4]表示之芳香族乙烯基化合物0.1~100質量份之組成物所成,該(x)反應性聚矽氧化合物係由式[1]表示之二芳基矽酸化合物A與式[2]表示之烷氧基矽化合物B之聚縮合物或該二芳基矽酸化合物A與該烷氧基矽化合物B與其他聚縮合性化合物之聚縮合物所成, (式中,Ar1及Ar2表示可經取代之苯基、萘基或聯苯基),【化2】Ar3-Si(OR1)aR23-a [2] (式中,Ar3表示具有至少1個具有聚合性雙鍵之基的苯基、萘基或聯苯基,R1表示甲基或乙基,R2表示甲基、乙基或乙烯基苯基,a表示2或3), (式中,R3及R4表示氫原子或甲基,R5表示氫原子、甲基或乙基,L1及L2表示伸烷基,m及n表示使m+n成為0至20之0或正整數), (式中,R6表示氫原子或甲基,L3表示單鍵、氫原子、氧原子、可經苯基取代之碳原子數1至20之q價脂肪族烴殘基或可含有醚鍵之碳原子數1至20之q價脂肪族烴殘基,Ar4表示p+1價之芳香族烴殘基,p分別獨立表示1或2,q表示1至3之整數(惟L3表示氫原子時,q表示1,L3表示單鍵或氧原子時,q表示2))。
    • 本发明提供耐热性高且于长波长区域亦为低光发送损失之GI型光导波路之制造方法。 本发明之光导波路之制造方法具有下述步骤:将吐出部前端之针状部刺入未硬化之包覆部之第1步骤,边自前述针状部吐出未硬化材料,边使前述针状部于前述未硬化之包覆部内移动,而形成由前述未硬化之包覆部被覆周围之未硬化芯部之第2步骤,自前述未硬化之包覆部拔除前述针状部之第3步骤,及使前述未硬化之包覆部及前述未硬化之芯部硬化之第4步骤,前述未硬化之包覆部系由含有(a)反应性聚硅氧化合物100质量份及(b)式[3]表示之二(甲基)丙烯酸酯化合物1~200质量份之组成物所成,该(a)反应性聚硅氧化合物系由式[1]表示之二芳基硅酸化合物A与式[2]表示之烷氧基硅化合物B之聚缩合物或该二芳基硅酸化合物A与该烷氧基硅化合物B与其他聚缩合性化合物之聚缩合物所成,前述未硬化之芯部系由含有(x)反应性聚硅氧化合物100质量份及(y)式[4]表示之芳香族乙烯基化合物0.1~100质量份之组成物所成,该(x)反应性聚硅氧化合物系由式[1]表示之二芳基硅酸化合物A与式[2]表示之烷氧基硅化合物B之聚缩合物或该二芳基硅酸化合物A与该烷氧基硅化合物B与其他聚缩合性化合物之聚缩合物所成, (式中,Ar1及Ar2表示可经取代之苯基、萘基或联苯基),【化2】Ar3-Si(OR1)aR23-a [2] (式中,Ar3表示具有至少1个具有聚合性双键之基的苯基、萘基或联苯基,R1表示甲基或乙基,R2表示甲基、乙基或乙烯基苯基,a表示2或3), (式中,R3及R4表示氢原子或甲基,R5表示氢原子、甲基或乙基,L1及L2表示伸烷基,m及n表示使m+n成为0至20之0或正整数), (式中,R6表示氢原子或甲基,L3表示单键、氢原子、氧原子、可经苯基取代之碳原子数1至20之q价脂肪族烃残基或可含有醚键之碳原子数1至20之q价脂肪族烃残基,Ar4表示p+1价之芳香族烃残基,p分别独立表示1或2,q表示1至3之整数(惟L3表示氢原子时,q表示1,L3表示单键或氧原子时,q表示2))。