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    • 1. 发明专利
    • 供陰極噴鍍之靶及該靶之製法
    • 供阴极喷镀之靶及该靶之制法
    • TW324744B
    • 1998-01-11
    • TW085108492
    • 1996-07-12
    • 威西赫羅斯公司
    • 翰斯.伯漢莫
    • C23CC04BB28B
    • C23C14/086C04B35/01C23C14/3414
    • 根據本發明供陰極噴鍍之標靶,係由熱壓製或熱等力壓製之氧化銦/氧化錫粉末所形成,已知其具有最小密度為理論密度之95%,並具有低於化學計量之氧含量。為提供高安定性之改良,及同時改良高噴鍍速率,根據本發明係提出該標靶應具有以氧化銦與氧化錫之固熔體所形成之結晶相,其具有最低90重量%,較佳為最低97重量%之固熔體,且其具有平均晶粒大小範圍從2微米至20微米。為使一種簡易且成本上有效之方法能夠有效地用以製造一種由氧化銦/氧化錫之起始粉末所組成之標靶,且其允許在整個標靶體積中精確設定氧含量及勻化學組成,故本發明提出應使用一種起始粉末,其係經由將微細分佈之銦錫金屬氧化所製成。
    • 根据本发明供阴极喷镀之标靶,系由热压制或热等力压制之氧化铟/氧化锡粉末所形成,已知其具有最小密度为理论密度之95%,并具有低于化学计量之氧含量。为提供高安定性之改良,及同时改良高喷镀速率,根据本发明系提出该标靶应具有以氧化铟与氧化锡之固熔体所形成之结晶相,其具有最低90重量%,较佳为最低97重量%之固熔体,且其具有平均晶粒大小范围从2微米至20微米。为使一种简易且成本上有效之方法能够有效地用以制造一种由氧化铟/氧化锡之起始粉末所组成之标靶,且其允许在整个标靶体积中精确设置氧含量及匀化学组成,故本发明提出应使用一种起始粉末,其系经由将微细分布之铟锡金属氧化所制成。