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1. 发明专利

TWI666534B 稀釋液製造方法及稀釋液製造裝置有权
简体标题：稀释液制造方法及稀释液制造设备
公开(公告)号：TWI666534B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104130368
申请日：2015-09-15
申请人：日商奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：林佳史 , HAYASHI, YOSHIFUMI , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI , 矢野大作 , YANO, DAISAKU
IPC分类号： G05D11/08

2. 发明专利

TWI701433B ｐＨ測定方法有权
简体标题：ｐＨ测定方法
公开(公告)号：TWI701433B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW103128656
申请日：2014-08-20
申请人：日商奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU
IPC分类号： G01N27/333

3. 发明专利

TW201624163A 稀釋液製造方法及稀釋液製造裝置审中-公开
简体标题：稀释液制造方法及稀释液制造设备
公开(公告)号：TW201624163A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130368
申请日：2015-09-15
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：林佳史 , HAYASHI, YOSHIFUMI , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI , 矢野大作 , YANO, DAISAKU
IPC分类号： G05D11/08
CPC分类号： B01F15/0408 , B01F3/0865 , B01F3/088 , B01F5/0403 , B01F15/00149 , B01F15/0022 , B01F15/00227 , B01F15/00285 , B01F15/00344 , B01F15/00357 , B01F15/0238 , B01F15/0416 , B01F2003/0896 , B01F2005/0028 , B01F2215/004 , B01F2215/0096 , B01F2215/0431 , C11D7/04 , G05D11/131 , H01L21/02052
摘要：本發明之稀釋液製造方法，係藉由對第1液體添加第2液體以製造該第2液體之稀釋液的稀釋液製造方法，包含以下各階段：使第1液體流過第1配管11之階段；以及控制儲存第2液體之儲槽12內的壓力，並透過連接儲槽12與第1配管11之第2配管13，而對在第1配管11內之第1液體添加第2液體之階段。添加第2液體之階段，包含量測在第1配管11內流動之第1液體或稀釋液之流量的階段；量測稀釋液之成分濃度的階段；以及根據流量及成分濃度之量測値，控制儲槽12內的壓力，以使稀釋液之成分濃度成為既定之値的階段。
简体摘要：本发明之稀释液制造方法，系借由对第1液体添加第2液体以制造该第2液体之稀释液的稀释液制造方法，包含以下各阶段：使第1液体流过第1配管11之阶段；以及控制存储第2液体之储槽12内的压力，并透过连接储槽12与第1配管11之第2配管13，而对在第1配管11内之第1液体添加第2液体之阶段。添加第2液体之阶段，包含量测在第1配管11内流动之第1液体或稀释液之流量的阶段；量测稀释液之成分浓度的阶段；以及根据流量及成分浓度之量测値，控制储槽12内的压力，以使稀释液之成分浓度成为既定之値的阶段。

4. 发明专利

TW201530640A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201530640A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103132823
申请日：2014-09-23
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 村山雅美 , MURAYAMA, MASAMI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , C02F1/20 , C02F9/00 , C23G1/24 , C23G5/00 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67086
摘要：本發明旨在提供一種基板處理方法及基板處理裝置，可更抑制於基板表面露出之金屬配線之腐蝕或氧化。其中，本發明係一基板處理裝置（1），包含處理室（2），該處理室（2）配置有基板（W），被供給處理基板W之基板處理液。此裝置，包含：惰性氣體充填機構（18、39、41），於配置有基板W之處理室（2）中充填惰性氣體；及觸媒單元（21），位於處理室（2）之附近或內部，充填有使於超純水添加氫而成之氫溶解水通過之鉑族類金屬觸媒；且作為該基板處理液，對處理室（2）內供給使該氫溶解水通過鉑族類金屬觸媒而獲得之氫溶解處理液。
简体摘要：本发明旨在提供一种基板处理方法及基板处理设备，可更抑制于基板表面露出之金属配线之腐蚀或氧化。其中，本发明系一基板处理设备（1），包含处理室（2），该处理室（2）配置有基板（W），被供给处理基板W之基板处理液。此设备，包含：惰性气体充填机构（18、39、41），于配置有基板W之处理室（2）中充填惰性气体；及触媒单元（21），位于处理室（2）之附近或内部，充填有使于超纯水添加氢而成之氢溶解水通过之铂族类金属触媒；且作为该基板处理液，对处理室（2）内供给使该氢溶解水通过铂族类金属触媒而获得之氢溶解处理液。

5. 发明专利

TWI623031B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI623031B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW103132823
申请日：2014-09-23
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 村山雅美 , MURAYAMA, MASAMI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明专利

TW201509821A 銅露出基板之清洗方法及清洗系統审中-公开
简体标题：铜露出基板之清洗方法及清洗系统
公开(公告)号：TW201509821A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103114577
申请日：2014-04-22
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU , 村山雅美 , MURAYAMA, MASAMI , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI
IPC分类号： C02F1/32 , C02F1/20 , C02F1/42 , C02F1/68 , B01J31/08 , B08B3/04 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/08 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/68 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C11D7/02 , C23G1/103 , C23G1/20 , H01L21/02068 , H01L21/6704
摘要：本發明之銅露出基板的清洗系統中，具備紫外線氧化裝置的子系統之出水口與各基板處理裝置的入水口係透過主配管連接。子系統的紫外線氧化裝置與非再生型離子交換裝置之間，設有過氧化氫去除裝置(2)。更進一步，在從子系統的出水口分支而連接至基板處理裝置(1)的配管(3)的途中，設有二氧化碳供給裝置(4)。過氧化氫去除裝置(2)具有充填鉑族系金屬觸媒的態樣。藉由這樣的構成，以通過紫外線氧化裝置的超純水為基礎，製造將液中溶解的過氧化氫濃度抑制在2μg/L以下且添加二氧化碳以將比電阻調整於0.03~5.0MΩ‧cm之範圍的碳酸水，並使用該碳酸水，清洗設於基板處理裝置1內的至少銅或銅化合物在表面露出的基板。
简体摘要：本发明之铜露出基板的清洗系统中，具备紫外线氧化设备的子系统之出水口与各基板处理设备的入水口系透过主配管连接。子系统的紫外线氧化设备与非再生型离子交换设备之间，设有过氧化氢去除设备(2)。更进一步，在从子系统的出水口分支而连接至基板处理设备(1)的配管(3)的途中，设有二氧化碳供给设备(4)。过氧化氢去除设备(2)具有充填铂族系金属触媒的态样。借由这样的构成，以通过紫外线氧化设备的超纯水为基础，制造将液中溶解的过氧化氢浓度抑制在2μg/L以下且添加二氧化碳以将比电阻调整于0.03~5.0MΩ‧cm之范围的碳酸水，并使用该碳酸水，清洗设于基板处理设备1内的至少铜或铜化合物在表面露出的基板。

7. 发明专利

TWI583631B 銅露出基板之清洗方法及清洗系統有权
简体标题：铜露出基板之清洗方法及清洗系统
公开(公告)号：TWI583631B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103114577
申请日：2014-04-22
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU , 村山雅美 , MURAYAMA, MASAMI , 山下幸福 , YAMASHITA, YUKINARI , 山中弘次 , YAMANAKA, KOJI
IPC分类号： C02F1/32 , C02F1/20 , C02F1/42 , C02F1/68 , B01J31/08 , B08B3/04 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/08 , B01J31/08 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/68 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C11D7/02 , C23G1/103 , C23G1/20 , H01L21/02068 , H01L21/6704

8. 发明专利

TW201512654A 氫離子選擇性電極、ｐＨ測定方法及感應膜审中-公开
简体标题：氢离子选择性电极、ｐＨ测定方法及感应膜
公开(公告)号：TW201512654A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103128656
申请日：2014-08-20
申请人：奧璐佳瑙股份有限公司 , ORGANO CORPORATION
发明人：矢野大作 , YANO, DAISAKU
IPC分类号： G01N27/333
CPC分类号： G01N27/3335
摘要：能夠與參考電極組合而使用於含氫氟酸之溶液，尤其強酸性溶液之pH測定的液膜型氫離子選擇性電極，具有含有胺系之氫離子選擇性分子與式(1)表示之陰離子排除劑的由有機物質構成的感應膜。式(1)中，Z1~Z4為可相同亦可彼此相異的通式(1a)表示的經取代之苯基Z。式(1a)中，R1~R5各自獨立地為氫原子、氟原子、碳數1~6之烷基、及碳數1~6之含氟原子之取代基之任一者，R1~R5中之至少一者含有氟原子、或碳數1~6之含氟原子之取代基。(1)(1a)
简体摘要：能够与参考电极组合而使用于含氢氟酸之溶液，尤其强酸性溶液之pH测定的液膜型氢离子选择性电极，具有含有胺系之氢离子选择性分子与式(1)表示之阴离子排除剂的由有机物质构成的感应膜。式(1)中，Z1~Z4为可相同亦可彼此相异的通式(1a)表示的经取代之苯基Z。式(1a)中，R1~R5各自独立地为氢原子、氟原子、碳数1~6之烷基、及碳数1~6之含氟原子之取代基之任一者，R1~R5中之至少一者含有氟原子、或碳数1~6之含氟原子之取代基。(1)(1a)

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