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1. 发明专利

TW202027105A 磁性單元审中-公开
简体标题：磁性单元
公开(公告)号：TW202027105A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108105847
申请日：2019-02-21
申请人：大陸商台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO.,LTD.
发明人：吳睿 , WU, RUI , 葉益青 , YE, YI-QING , 周嫄 , ZHOU, YUAN
IPC分类号： H01F27/28
摘要：本發明涉及電力電子技術領域，提供一種磁性單元，包含磁芯和繞組，該繞組包含第一繞組和第二繞組，該第一繞組和該第二繞組磁耦合，該磁芯包含排列為一排的Q根磁柱（Q為≥2的自然數），該第一繞組繞設於該Q根磁柱，該第二繞組繞設於該Q根磁柱。通過使第一繞組的線圈位於任意相鄰兩磁柱之間的部分大體上是沿任意相鄰兩磁柱之間的對稱平面對稱分佈的，因此任意相鄰兩磁柱之間的磁動勢MMF分佈均勻，從而本發明的磁性單元在具有很小的交流損耗的同時，也具備了很高的銅利用率（從而具有很小的直流導通電阻Rdc），由此在總體上具有很小的損耗。
简体摘要：本发明涉及电力电子技术领域，提供一种磁性单元，包含磁芯和绕组，该绕组包含第一绕组和第二绕组，该第一绕组和该第二绕组磁耦合，该磁芯包含排列为一排的Q根磁柱（Q为≥2的自然数），该第一绕组绕设于该Q根磁柱，该第二绕组绕设于该Q根磁柱。通过使第一绕组的线圈位于任意相邻两磁柱之间的部分大体上是沿任意相邻两磁柱之间的对称平面对称分布的，因此任意相邻两磁柱之间的磁动势MMF分布均匀，从而本发明的磁性单元在具有很小的交流损耗的同时，也具备了很高的铜利用率（从而具有很小的直流导通电阻Rdc），由此在总体上具有很小的损耗。

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