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1. 发明专利

TW201809326A 蒸鍍遮罩、附框架蒸鍍遮罩、有機半導體元件之製造方法、及有機電致發光顯示器之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩、附框架蒸镀遮罩、有机半导体组件之制造方法、及有机电致发光显示器之制造方法
公开(公告)号：TW201809326A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117679
申请日：2017-05-26
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： C23C14/14 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要：具有對應於蒸鍍製作的圖案之複數樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩，與具有金屬遮罩開口部的金屬遮罩，以樹脂遮罩開口部與金屬遮罩開口部重疊的方式層積而成的蒸鍍遮罩；金屬遮罩，於不與樹脂遮罩的樹脂遮罩開口部重疊的位置，具有使金屬遮罩的剛性一部分降低之1個或複數個剛性調整部。
简体摘要：具有对应于蒸镀制作的图案之复数树脂遮罩开口部的树脂遮罩，与具有金属遮罩开口部的金属遮罩，以树脂遮罩开口部与金属遮罩开口部重叠的方式层积而成的蒸镀遮罩；金属遮罩，于不与树脂遮罩的树脂遮罩开口部重叠的位置，具有使金属遮罩的刚性一部分降低之1个或复数个刚性调整部。

2. 发明专利

TW201807222A 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩、蒸镀遮罩之制造方法、及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201807222A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106135015
申请日：2014-03-24
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 西村祐行 , NISHIMURA, HIROYUKI , 真木淳 , MAKI, ATSUSHI , 落合洋光 , OCHIAI, HIROMITSU , 廣部吉紀 , HIROBE, YOSHINORI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/048 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要：提供：在大型化的情形下，亦可滿足高精細化及輕量化之雙方，而且，可一面保持強度，一面形成高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍遮罩、及可簡便製造該蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體、或蒸鍍遮罩之製造方法，甚至可製造高精細的有機半導體元件之有機半導體元件之製造方法。積層：設有縫隙(15)的金屬遮罩(10)、及在與縫隙(15)相重疊的位置設有與進行蒸鍍製作的圖案相對應的開口部(25)的樹脂遮罩(20)，金屬遮罩(10)係具有：設有縫隙(15)的一般區域(10a)、及比該一般區域更為厚壁的厚壁區域(10b)。
简体摘要：提供：在大型化的情形下，亦可满足高精细化及轻量化之双方，而且，可一面保持强度，一面形成高精细的蒸镀图案的蒸镀遮罩、及可简便制造该蒸镀遮罩的蒸镀遮罩准备体、或蒸镀遮罩之制造方法，甚至可制造高精细的有机半导体组件之有机半导体组件之制造方法。积层：设有缝隙(15)的金属遮罩(10)、及在与缝隙(15)相重叠的位置设有与进行蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂遮罩(20)，金属遮罩(10)系具有：设有缝隙(15)的一般区域(10a)、及比该一般区域更为厚壁的厚壁区域(10b)。

3. 发明专利

TW201527560A 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩及有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩、附有框架之蒸镀遮罩及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201527560A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103139231
申请日：2014-11-12
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C16/042 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要：提供即使在大型化之情況下，亦可滿足高精細化和輕量化之雙方，並且可邊保持開口部之強度，邊抑制陰蔽產生的蒸鍍遮罩，或附有框架之蒸鍍遮罩，及提供可以精度佳地製造有機半導體元件之有機半導體元件之製造方法。係在設置有與蒸鍍製作之圖案對應的開口部(25)之樹脂遮罩(20)之一方表面上，疊層設置有縫隙(15)之金屬遮罩(10)而構成的蒸鍍遮罩(100)，其中用以構成開口部之內壁面在厚度方向剖面具有至少一個曲折點，將樹脂遮罩之不與金屬遮罩相接之側的表面(第1面)和內壁面之交點設為第1交點(Q1)，將樹脂遮罩之與金屬遮罩相接之側的表面(第2面)與內壁面之交點設為第2交點(Q2)，將曲折點中從第1交點朝向第2交點位於最初的曲折點設為第1曲折點(S1)時，使連結第1交點和第1曲折點之直線(T1)和第1面所構成之角度(θ1)大於連結第1曲折點和第2交點之直線(T2)和第2面所構成之角度(θ2)，並將厚度方向剖面中內壁面之形狀設成從第1面朝向第2面側持有擴大之形狀，藉此來解決上述課題。
简体摘要：提供即使在大型化之情况下，亦可满足高精细化和轻量化之双方，并且可边保持开口部之强度，边抑制阴蔽产生的蒸镀遮罩，或附有框架之蒸镀遮罩，及提供可以精度佳地制造有机半导体组件之有机半导体组件之制造方法。系在设置有与蒸镀制作之图案对应的开口部(25)之树脂遮罩(20)之一方表面上，叠层设置有缝隙(15)之金属遮罩(10)而构成的蒸镀遮罩(100)，其中用以构成开口部之内壁面在厚度方向剖面具有至少一个曲折点，将树脂遮罩之不与金属遮罩相接之侧的表面(第1面)和内壁面之交点设为第1交点(Q1)，将树脂遮罩之与金属遮罩相接之侧的表面(第2面)与内壁面之交点设为第2交点(Q2)，将曲折点中从第1交点朝向第2交点位于最初的曲折点设为第1曲折点(S1)时，使链接第1交点和第1曲折点之直线(T1)和第1面所构成之角度(θ1)大于链接第1曲折点和第2交点之直线(T2)和第2面所构成之角度(θ2)，并将厚度方向剖面中内壁面之形状设成从第1面朝向第2面侧持有扩大之形状，借此来解决上述课题。

4. 发明专利

TWI673377B 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、有機半導體元件之製造方法及圖案之製造方法有权
简体标题：蒸镀遮罩、附有框架之蒸镀遮罩、有机半导体组件之制造方法及图案之制造方法
公开(公告)号：TWI673377B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107122645
申请日：2014-11-12
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56 , H01L51/00 , H01L51/56

5. 发明专利

TWI665320B 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法有权
简体标题：蒸镀遮罩、蒸镀遮罩之制造方法、及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI665320B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106135015
申请日：2014-03-24
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 西村祐行 , NISHIMURA, HIROYUKI , 真木淳 , MAKI, ATSUSHI , 落合洋光 , OCHIAI, HIROMITSU , 廣部吉紀 , HIROBE, YOSHINORI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56

6. 发明专利

TWI671414B 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法有权
简体标题：蒸镀遮罩、蒸镀遮罩准备体、蒸镀遮罩之制造方法、及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI671414B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW108114754
申请日：2014-03-24
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 西村祐行 , NISHIMURA, HIROYUKI , 真木淳 , MAKI, ATSUSHI , 落合洋光 , OCHIAI, HIROMITSU , 廣部吉紀 , HIROBE, YOSHINORI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56

7. 发明专利

TW201842689A 蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩，附有框架的蒸镀遮罩，蒸镀遮罩准备体，蒸镀图案形成方法及有机半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201842689A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111402
申请日：2018-03-30
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：曽根康子 , SONE, YASUKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 廣部吉紀 , HIROBE, YOSHINORI , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 成田亜沙子 , NARITA, ASAKO , 居城均 , ISHIRO, HITOSHI , 初田千秋 , HATSUTA, CHIAKI
IPC分类号： H01L51/50 , C23C14/04 , H05B33/10
摘要：一種蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
简体摘要：一种蒸镀遮罩，系层积：设有金属遮罩开口部的金属遮罩、及在与前述金属遮罩开口部重叠的位置设有对应蒸镀制作的图案的树脂遮罩开口部的树脂遮罩而形成的蒸镀遮罩，其中，从前述金属遮罩开口部露出的前述树脂遮罩表面的算术平均高度(Sa)为0.8μm以下。

8. 发明专利

TW201839155A 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、有機半導體元件之製造方法及圖案之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩、附有框架之蒸镀遮罩、有机半导体组件之制造方法及图案之制造方法
公开(公告)号：TW201839155A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107122645
申请日：2014-11-12
申请人：日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56 , H01L51/00 , H01L51/56
摘要：提供即使在大型化之情況下，亦可滿足高精細化和輕量化之雙方，並且可邊保持開口部之強度，邊抑制陰蔽產生的蒸鍍遮罩，或附有框架之蒸鍍遮罩，及提供可以精度佳地製造有機半導體元件之有機半導體元件之製造方法。係在設置有與蒸鍍製作之圖案對應的開口部(25)之樹脂遮罩(20)之一方表面上，疊層設置有縫隙(15)之金屬遮罩(10)而構成的蒸鍍遮罩(100)，其中用以構成開口部之內壁面在厚度方向剖面具有至少一個曲折點，將樹脂遮罩之不與金屬遮罩相接之側的表面(第1面)和內壁面之交點設為第1交點(Q1)，將樹脂遮罩之與金屬遮罩相接之側的表面(第2面)與內壁面之交點設為第2交點(Q2)，將曲折點中從第1交點朝向第2交點位於最初的曲折點設為第1曲折點(S1)時，使連結第1交點和第1曲折點之直線(T1)和第1面所構成之角度(θ1)大於連結第1曲折點和第2交點之直線(T2)和第2面所構成之角度(θ2)，並將厚度方向剖面中內壁面之形狀設成從第1面朝向第2面側持有擴大之形狀，藉此來解決上述課題。
简体摘要：提供即使在大型化之情况下，亦可满足高精细化和轻量化之双方，并且可边保持开口部之强度，边抑制阴蔽产生的蒸镀遮罩，或附有框架之蒸镀遮罩，及提供可以精度佳地制造有机半导体组件之有机半导体组件之制造方法。系在设置有与蒸镀制作之图案对应的开口部(25)之树脂遮罩(20)之一方表面上，叠层设置有缝隙(15)之金属遮罩(10)而构成的蒸镀遮罩(100)，其中用以构成开口部之内壁面在厚度方向剖面具有至少一个曲折点，将树脂遮罩之不与金属遮罩相接之侧的表面(第1面)和内壁面之交点设为第1交点(Q1)，将树脂遮罩之与金属遮罩相接之侧的表面(第2面)与内壁面之交点设为第2交点(Q2)，将曲折点中从第1交点朝向第2交点位于最初的曲折点设为第1曲折点(S1)时，使链接第1交点和第1曲折点之直线(T1)和第1面所构成之角度(θ1)大于链接第1曲折点和第2交点之直线(T2)和第2面所构成之角度(θ2)，并将厚度方向剖面中内壁面之形状设成从第1面朝向第2面侧持有扩大之形状，借此来解决上述课题。

9. 发明专利

TW201608045A 蒸鍍遮罩，附框架蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩預備體，及有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩，附框架蒸镀遮罩，蒸镀遮罩预备体，及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201608045A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118304
申请日：2015-06-05
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C16/042
摘要：提供一種能夠滿足高精細化與輕量化雙方，且正確地進行確認樹脂遮罩上形成之開口部的形狀圖樣是否正常等之蒸鍍遮罩，及提供用來得到該蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩預備體，以及提供具備該蒸鍍遮罩之附框架蒸鍍遮罩，更提供使用了該附框架蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。在由形成有狹縫(15)之金屬遮罩(10)、及在與該狹縫重疊的位置形成有和蒸鍍製作的圖樣相對應的開口部(25)之樹脂遮罩(20)被層積而成之蒸鍍遮罩(100)中，使用波長550nm的光線透過率為40%以下之樹脂遮罩，藉此解決上述問題。
简体摘要：提供一种能够满足高精细化与轻量化双方，且正确地进行确认树脂遮罩上形成之开口部的形状图样是否正常等之蒸镀遮罩，及提供用来得到该蒸镀遮罩之蒸镀遮罩预备体，以及提供具备该蒸镀遮罩之附框架蒸镀遮罩，更提供使用了该附框架蒸镀遮罩之有机半导体组件之制造方法。在由形成有狭缝(15)之金属遮罩(10)、及在与该狭缝重叠的位置形成有和蒸镀制作的图样相对应的开口部(25)之树脂遮罩(20)被层积而成之蒸镀遮罩(100)中，使用波长550nm的光线透过率为40%以下之树脂遮罩，借此解决上述问题。

10. 发明专利

TW201446987A 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩、蒸镀遮罩准备体、蒸镀遮罩之制造方法、及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201446987A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110894
申请日：2014-03-24
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 西村祐行 , NISHIMURA, HIROYUKI , 真木淳 , MAKI, ATSUSHI , 落合洋光 , OCHIAI, HIROMITSU , 廣部吉紀 , HIROBE, YOSHINORI
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/048 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要： [課題]提供：在大型化的情形下，亦可滿足高精細化及輕量化之雙方，而且，可一面保持強度，一面形成高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍遮罩、及可簡便製造該蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體、或蒸鍍遮罩之製造方法，甚至可製造高精細的有機半導體元件之有機半導體元件之製造方法。[解決手段]積層：設有縫隙(15)的金屬遮罩(10)、及在與縫隙(15)相重疊的位置設有與進行蒸鍍製作的圖案相對應的開口部(25)的樹脂遮罩(20)，金屬遮罩(10)係具有：設有縫隙(15)的一般區域(10a)、及比該一般區域更為厚壁的厚壁區域(10b)。
简体摘要： [课题]提供：在大型化的情形下，亦可满足高精细化及轻量化之双方，而且，可一面保持强度，一面形成高精细的蒸镀图案的蒸镀遮罩、及可简便制造该蒸镀遮罩的蒸镀遮罩准备体、或蒸镀遮罩之制造方法，甚至可制造高精细的有机半导体组件之有机半导体组件之制造方法。[解决手段]积层：设有缝隙(15)的金属遮罩(10)、及在与缝隙(15)相重叠的位置设有与进行蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂遮罩(20)，金属遮罩(10)系具有：设有缝隙(15)的一般区域(10a)、及比该一般区域更为厚壁的厚壁区域(10b)。

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