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1. 发明专利

TW200802858A 一種具低熱載子效應之半導體結構审中-公开
简体标题：一种具低热载子效应之半导体结构
公开(公告)号：TW200802858A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095122927
申请日：2006-06-26
申请人：大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD.
发明人：林暐 , 李建鋒 , 陳易良 CHEN, YI LIANG
IPC分类号： H01L , G09G
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/78696
摘要：本發明係關於一種具低熱載子效應之半導體結構,尤指一種可減輕一具有此種半導體結構之電晶體於操作時之「熱載子效應」的程度,且可延長一具有此電晶體之有機電機發光顯示裝置(OLED)驅動積體電路之使用壽命的半導體結構。其包括:一基板;一金屬層;一絕緣層;一具有一第一電阻値之第一半導體層,此第一半導體層係至少覆蓋此絕緣層之部分表面;以及一具有一第二電阻値之第二半導體層,此第二半導體層係至少覆蓋此第一半導體層之部分表面。其中,此第二半導體層之第二電阻値係大於此第一半導體層之第一電阻値。
简体摘要：本发明系关于一种具低热载子效应之半导体结构,尤指一种可减轻一具有此种半导体结构之晶体管于操作时之“热载子效应”的程度,且可延长一具有此晶体管之有机电机发光显示设备(OLED)驱动集成电路之使用寿命的半导体结构。其包括:一基板;一金属层;一绝缘层;一具有一第一电阻値之第一半导体层,此第一半导体层系至少覆盖此绝缘层之部分表面;以及一具有一第二电阻値之第二半导体层,此第二半导体层系至少覆盖此第一半导体层之部分表面。其中,此第二半导体层之第二电阻値系大于此第一半导体层之第一电阻値。

2. 发明专利

TWI315101B 一種具低熱載子效應之半導體結構有权
简体标题：一种具低热载子效应之半导体结构
公开(公告)号：TWI315101B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW095122927
申请日：2006-06-26
申请人：大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD.
发明人：林暐 , 李建鋒 , 陳易良 CHEN, YI LIANG
IPC分类号： H01L , G09G
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/78696
摘要：本發明係關於一種具低熱載子效應之半導體結構,尤指一種可減輕一具有此種半導體結構之電晶體於操作時之「熱載子效應」的程度,且可延長一具有此電晶體之有機電機發光顯示裝置(OLED)驅動積體電路之使用壽命的半導體結構。其包括:一基板;一金屬層;一絕緣層;一具有一第一電阻値之第一半導體層,此第一半導體層係至少覆蓋此絕緣層之部分表面;以及一具有一第二電阻値之第二半導體層,此第二半導體層係至少覆蓋此第一半導體層之部分表面。其中,此第二半導體層之第二電阻値係大於此第一半導體層之第一電阻値。
简体摘要：本发明系关于一种具低热载子效应之半导体结构,尤指一种可减轻一具有此种半导体结构之晶体管于操作时之“热载子效应”的程度,且可延长一具有此晶体管之有机电机发光显示设备(OLED)驱动集成电路之使用寿命的半导体结构。其包括:一基板;一金属层;一绝缘层;一具有一第一电阻値之第一半导体层,此第一半导体层系至少覆盖此绝缘层之部分表面;以及一具有一第二电阻値之第二半导体层,此第二半导体层系至少覆盖此第一半导体层之部分表面。其中,此第二半导体层之第二电阻値系大于此第一半导体层之第一电阻値。

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