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1. 发明专利

TW201013768A 半導體晶粒分離方法 SEMICONDUCTOR DIE SEPARATION METHOD 审中-公开
简体标题：半导体晶粒分离方法 SEMICONDUCTOR DIE SEPARATION METHOD
公开(公告)号：TW201013768A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098119939
申请日：2009-06-15
申请人：垂直迴路股份有限公司
发明人：高雷納度 , 麥契爾迪安 , 潘偉平 , 維拉芬森席歐格蘭特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2224/274 , H01L2224/83191 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要：根據本發明，藉由將晶圓在兩個階段中切割來將晶粒偏移減小或實質上消除。在一些實施例中，一第一晶圓切割程序是在將該晶圓薄化至預定的晶粒厚度之前被實施；且在其它實施例中，該晶圓在實施一第一晶圓切割程序之前即被薄化至預定的晶粒厚度。該第一晶圓切割程序包括沿著第一組街道（street）切割至一大於該預定的晶粒厚度的深度及非必要地（optionally）沿著一第二組街道切割至一小於該晶粒厚度的深度。該第一晶圓切割程序的結果為產生一陣列的晶粒帶或塊，每一晶粒帶或塊都包括多個相連的晶粒，這些相連的晶粒所經歷的偏移小於被個別地切割開來的晶粒。在第二晶粒切割程序中，該晶粒係藉由沿著該第二街道組切穿該晶圓而被單個化（singulated）。在該第一切割程序之後，及在該第二切割程序之前，可實施對於晶粒偏移敏感之額外的晶粒準備程序。
简体摘要：根据本发明，借由将晶圆在两个阶段中切割来将晶粒偏移减小或实质上消除。在一些实施例中，一第一晶圆切割进程是在将该晶圆薄化至预定的晶粒厚度之前被实施；且在其它实施例中，该晶圆在实施一第一晶圆切割进程之前即被薄化至预定的晶粒厚度。该第一晶圆切割进程包括沿着第一组街道（street）切割至一大于该预定的晶粒厚度的深度及非必要地（optionally）沿着一第二组街道切割至一小于该晶粒厚度的深度。该第一晶圆切割进程的结果为产生一数组的晶粒带或块，每一晶粒带或块都包括多个相连的晶粒，这些相连的晶粒所经历的偏移小于被个别地切割开来的晶粒。在第二晶粒切割进程中，该晶粒系借由沿着该第二街道组切穿该晶圆而被单个化（singulated）。在该第一切割进程之后，及在该第二切割进程之前，可实施对于晶粒偏移敏感之额外的晶粒准备进程。

2. 发明专利

TW201220411A 用於堆疊晶粒組件之晶粒墊與Ｚ－互連間之電連接器 ELECTRICAL CONNECTOR BETWEEN DIE PAD AND Z-INTERCONNECT FOR STACKED DIE ASSEMBLIES 审中-公开
简体标题：用于堆栈晶粒组件之晶粒垫与Ｚ－互连间之电连接器 ELECTRICAL CONNECTOR BETWEEN DIE PAD AND Z-INTERCONNECT FOR STACKED DIE ASSEMBLIES
公开(公告)号：TW201220411A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100117575
申请日：2011-05-19
申请人：垂直迴路股份有限公司
发明人：高雷納度 , 李爾傑佛瑞 , 潘格爾蘇澤特 , 麥克葛雷斯史考特 , 麥契爾迪安 , 巴利凱西 , 維拉芬森席歐格蘭特 , 迪羅薩里歐艾爾瑪 , 布雷約翰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/03318 , H01L2224/0332 , H01L2224/03632 , H01L2224/03848 , H01L2224/05016 , H01L2224/05017 , H01L2224/0529 , H01L2224/05553 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/94 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/03
摘要：用以在晶圓處理層級時形成連接器於晶粒墊上之方法包含形成可硬化之導電材料的點於晶粒墊上且延伸至互連晶粒邊緣或其上;使該導電材料硬化;以及在隨後的晶圓切割程序中切斷該等點。並且,要z-互連藉由該等方法所形成的連接器,且因而成形及定尺寸之晶粒墊。又,包含依據該等方法所製備的晶粒,及具有要z-互連藉由該等方法所形成的連接器且因而成形及定尺寸之晶粒墊的堆疊之晶粒組合及堆疊之晶粒封裝。
简体摘要：用以在晶圆处理层级时形成连接器于晶粒垫上之方法包含形成可硬化之导电材料的点于晶粒垫上且延伸至互连晶粒边缘或其上;使该导电材料硬化;以及在随后的晶圆切割进程中切断该等点。并且,要z-互连借由该等方法所形成的连接器,且因而成形及定尺寸之晶粒垫。又,包含依据该等方法所制备的晶粒,及具有要z-互连借由该等方法所形成的连接器且因而成形及定尺寸之晶粒垫的堆栈之晶粒组合及堆栈之晶粒封装。

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