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1. 发明专利

TWI414353B 一種防護濾毒材料及其製造方法有权
简体标题：一种防护滤毒材料及其制造方法
公开(公告)号：TWI414353B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW096143054
申请日：2007-11-14
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭瀚文 , 王金鳳 , 方鳳梅 , 吳貞欽 , 林孝瑞 , 宋鈺 , 黃振家 , 高羣祐 , 陳建宏
IPC分类号： B01J20/32 , B01J20/02 , A62B18/00

2. 发明专利

TW200920483A 一種防護濾毒材料及其製造方法审中-公开
简体标题：一种防护滤毒材料及其制造方法
公开(公告)号：TW200920483A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096143054
申请日：2007-11-14
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭瀚文 , 王金鳳 , 方鳳梅 , 吳貞欽 , 林孝瑞 , 宋鈺 , 黃振家 , 高祐 , 陳建宏
IPC分类号： B01J , A62B
摘要：本發明提供一種防護濾毒材料及其製造方法,防護濾毒材料,包括:一載體,其具有複數個孔洞;金屬氧化物位於載體之表面及複數個孔洞中。防護濾毒材料之製造方法,其步驟包括:將一載體以金屬鹽類水溶液震盪浸染;及燒結載體,使金屬氧化物位於載體之表面及其複數個孔洞中,形成防護濾毒材料。本發明能使金屬鹽類水溶液震盪滲入載體之孔洞中,於高溫燒結後形成金屬氧化物於該載體之表面及孔洞,以增加有毒氣體的吸附能力及減少其穿透性,該金屬鹽類水溶液燒結時不會產生有害的揮發溶劑,故能避免環境污染或減少回收有害揮發溶劑之成本。
简体摘要：本发明提供一种防护滤毒材料及其制造方法,防护滤毒材料,包括:一载体,其具有复数个孔洞;金属氧化物位于载体之表面及复数个孔洞中。防护滤毒材料之制造方法,其步骤包括:将一载体以金属盐类水溶液震荡浸染;及烧结载体,使金属氧化物位于载体之表面及其复数个孔洞中,形成防护滤毒材料。本发明能使金属盐类水溶液震荡渗入载体之孔洞中,于高温烧结后形成金属氧化物于该载体之表面及孔洞,以增加有毒气体的吸附能力及减少其穿透性,该金属盐类水溶液烧结时不会产生有害的挥发溶剂,故能避免环境污染或减少回收有害挥发溶剂之成本。

3. 实用新型

TWM399320U 用於偵測氣體之可導電的高分子複合材料元件有权
简体标题：用于侦测气体之可导电的高分子复合材料组件
公开(公告)号：TWM399320U
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099216247
申请日：2010-08-24
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：王立群 , 宋鈺 , 林孝瑞 , 何政隆 , 張章平 , 林振裕
IPC分类号： G01N
摘要：一種用於偵測氣體之可導電的高分子複合材料元件，包含：一基材、一形成在該基材上而由可導電粉末所集結而成的多孔性導電層，以及一滲入且實質上完全包覆該多孔性導電層的高分子基體層。該高分子基體層是由氣體敏感高分子所構成，該氣體敏感高分子可吸附待測氣體而造成該高分子基體層體積膨脹，藉此，使得該多孔性導電層中的至少部份導電路徑斷路。
简体摘要：一种用于侦测气体之可导电的高分子复合材料组件，包含：一基材、一形成在该基材上而由可导电粉末所集结而成的多孔性导电层，以及一渗入且实质上完全包覆该多孔性导电层的高分子基体层。该高分子基体层是由气体敏感高分子所构成，该气体敏感高分子可吸附待测气体而造成该高分子基体层体积膨胀，借此，使得该多孔性导电层中的至少部份导电路径断路。

4. 发明专利

TWI415143B 用於偵測氣體之可導電的高分子複合材料元件的製造方法有权
简体标题：用于侦测气体之可导电的高分子复合材料组件的制造方法
公开(公告)号：TWI415143B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW099126277
申请日：2010-08-06
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, M.N.D.
发明人：王立群 , 宋鈺 , 林孝瑞 , 何政隆 , 張章平 , 林振裕
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , G01N27/12

5. 发明专利

TW201224188A 一種利用大氣電漿製備螢光奈米矽微粒的方法审中-公开
简体标题：一种利用大气等离子制备萤光奈米硅微粒的方法
公开(公告)号：TW201224188A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141859
申请日：2010-12-02
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：范瀞文 , 張欽亮 , 方人瑞 , 黃玉珍 , 宋鈺
IPC分类号： C23C , C09K , H01L
摘要：一種利用大氣電漿製備螢光奈米矽微粒的方法，其步驟包括：a.提供一矽前驅物與一氬氣通過一電漿區域以生成一奈米矽微粒；b.將該奈米矽微粒分散於一收集溶液中；c.加熱烘乾該收集溶液以得一螢光矽奈米微粒。藉此，以達到製備出高螢光放光強度的螢光奈米矽微粒之目的。
简体摘要：一种利用大气等离子制备萤光奈米硅微粒的方法，其步骤包括：a.提供一硅前驱物与一氩气通过一等离子区域以生成一奈米硅微粒；b.将该奈米硅微粒分散于一收集溶液中；c.加热烘干该收集溶液以得一萤光硅奈米微粒。借此，以达到制备出高萤光放光强度的萤光奈米硅微粒之目的。

6. 发明专利

TW201207868A 製造可導電之高分子複合材料元件的方法 METHOD FOR MAKING A CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITE MATERIAL 审中-公开
简体标题：制造可导电之高分子复合材料组件的方法 METHOD FOR MAKING A CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITE MATERIAL
公开(公告)号：TW201207868A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW099126277
申请日：2010-08-06
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：王立群 , 宋鈺 , 林孝瑞 , 何政隆 , 張章平 , 林振裕
IPC分类号： H01B , B01J , G01N
摘要：本發明提供一種製造用於偵測氣體之可導電之高分子複合材料元件的方法,包含:在一基材上形成一由可導電粉末所集結而成的多孔性導電層;施加一高分子溶液於該多孔性導電層上,使得一部份該高分子溶液滲入該多孔性導電層,而其餘部份形成一薄層覆蓋在該多孔性導電層上,該高分子溶液含有一溶劑與一溶解於該高分子溶液之溶劑的氣體敏感高分子,該氣體敏感高分子可與待測氣體形成吸脫附作用;以及去除在該多孔性導電層上之該高分子溶液中之該溶劑以在該基材上形成一包覆該多孔性導電層的高分子基體層。
简体摘要：本发明提供一种制造用于侦测气体之可导电之高分子复合材料组件的方法,包含:在一基材上形成一由可导电粉末所集结而成的多孔性导电层;施加一高分子溶液于该多孔性导电层上,使得一部份该高分子溶液渗入该多孔性导电层,而其余部份形成一薄层覆盖在该多孔性导电层上,该高分子溶液含有一溶剂与一溶解于该高分子溶液之溶剂的气体敏感高分子,该气体敏感高分子可与待测气体形成吸脱附作用;以及去除在该多孔性导电层上之该高分子溶液中之该溶剂以在该基材上形成一包覆该多孔性导电层的高分子基体层。

7. 发明专利

TW201014787A 製作奈米碳管之方法、用以成長奈米碳管之試片以及奈米碳管元件 METHOD FOR FABRICATING CARBON NANOTUBE, WAFER FOR GROWING CARBON NANOTUBE, AND CARBON NANOTUBE DEVICE 审中-公开
简体标题：制作奈米碳管之方法、用以成长奈米碳管之试片以及奈米碳管组件 METHOD FOR FABRICATING CARBON NANOTUBE, WAFER FOR GROWING CARBON NANOTUBE, AND CARBON NANOTUBE DEVICE
公开(公告)号：TW201014787A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW097137729
申请日：2008-10-01
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：王立群 , 郭瀚文 , 宋鈺 , 林孝瑞 , 葛明德 , 劉益銘 , 陳韋達
IPC分类号： C01B
摘要：本發明揭露一種製作一奈米碳管的方法，該方法包含下列步驟：提供一基板；形成一觸媒層於該基板上；形成一多孔性覆蓋層於該觸媒層上以完成一試片；於該試片上形成該奈米碳管。藉由該多孔性覆蓋層，該試片能以熱裂解化學氣相沈積法成長具有高準直性之該奈米碳管於該試片上。
简体摘要：本发明揭露一种制作一奈米碳管的方法，该方法包含下列步骤：提供一基板；形成一触媒层于该基板上；形成一多孔性覆盖层于该触媒层上以完成一试片；于该试片上形成该奈米碳管。借由该多孔性覆盖层，该试片能以热裂解化学气相沉积法成长具有高准直性之该奈米碳管于该试片上。

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