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    • 2. 发明专利
    • 電阻式記憶體之參考電流產生器及其方法
    • 电阻式内存之参考电流产生器及其方法
    • TW201117221A
    • 2011-05-16
    • TW098138890
    • 2009-11-16
    • 國立清華大學
    • 張孟凡林谷峰邱必芬
    • G11C
    • G11C7/14G11C5/147G11C13/0002G11C13/0004G11C13/0007G11C13/0038G11C13/004G11C2013/0054
    • 本發明係揭露一種電阻式記憶體之參考電流產生器及其方法,其包括N個並聯電路組,N為大於1之整數。各並聯電路組分別由至少一第一參考元件與第二參考元件並聯組成,且在各並聯電路組中,第一參考元件數量與第二參考元件數量總合為M個,M等於N。各第一參考元件之電阻值第一電阻值與各第二參考元件之電阻值第二電阻值不相等。各並聯電路組以串聯方式連接在輸入端與輸出端之間,形成一等效電阻,等效電阻之電阻值介於第一電阻值與第二電阻值之間,藉由施加操作電壓在輸入端,使輸出端輸出參考電流。
    • 本发明系揭露一种电阻式内存之参考电流产生器及其方法,其包括N个并联电路组,N为大于1之整数。各并联电路组分别由至少一第一参考组件与第二参考组件并联组成,且在各并联电路组中,第一参考组件数量与第二参考组件数量总合为M个,M等于N。各第一参考组件之电阻值第一电阻值与各第二参考组件之电阻值第二电阻值不相等。各并联电路组以串联方式连接在输入端与输出端之间,形成一等效电阻,等效电阻之电阻值介于第一电阻值与第二电阻值之间,借由施加操作电压在输入端,使输出端输出参考电流。