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1. 发明专利

TW201433329A 深度磁場產生模組與電磁熱治療裝置审中-公开
简体标题：深度磁场产生模块与电磁热治疗设备
公开(公告)号：TW201433329A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102105855
申请日：2013-02-20
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY , 財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：戴政祺 , TAI, CHENG CHI , 黃世杰 , HUANG, SHYH JIER , 林錫璋 , LIN, XI ZHANG , 陳建璋 , CHEN, CHIEN CHANG , 陳永祥 , CHEN, YUNG HSIANG , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH
IPC分类号： A61N2/02
摘要：一種深度磁場產生模組包含一第一線圈單元、一第二線圈單元以及一導磁材料。第二線圈單元與第一線圈單元連接，並水平環繞第一線圈單元。導磁材料之相對導磁率係大於100，並包覆第一線圈單元與第二線圈單元之至少其中之一。本發明亦揭露一種電磁熱治療裝置。藉由高相對導磁率之導磁材料包覆第一線圈單元與第二線圈單元之至少其中之一，可提升深度磁場產生模組與電磁熱治療裝置之磁場強度及電磁感應效能。
简体摘要：一种深度磁场产生模块包含一第一线圈单元、一第二线圈单元以及一导磁材料。第二线圈单元与第一线圈单元连接，并水平环绕第一线圈单元。导磁材料之相对导磁率系大于100，并包覆第一线圈单元与第二线圈单元之至少其中之一。本发明亦揭露一种电磁热治疗设备。借由高相对导磁率之导磁材料包覆第一线圈单元与第二线圈单元之至少其中之一，可提升深度磁场产生模块与电磁热治疗设备之磁场强度及电磁感应性能。

2. 发明专利

TWI462758B 深度磁場產生模組與電磁熱治療裝置有权
简体标题：深度磁场产生模块与电磁热治疗设备
公开(公告)号：TWI462758B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102105855
申请日：2013-02-20
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY , 財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：戴政祺 , TAI, CHENG CHI , 黃世杰 , HUANG, SHYH JIER , 林錫璋 , LIN, XI ZHANG , 陳建璋 , CHEN, CHIEN CHANG , 陳永祥 , CHEN, YUNG HSIANG , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH
IPC分类号： A61N2/02

3. 发明专利

TWI541045B 深度磁場產生裝置有权
简体标题：深度磁场产生设备
公开(公告)号：TWI541045B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101133801
申请日：2012-09-14
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY , 財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：戴政祺 , TAI, CHENG CHI , 黃世杰 , HUANG, SHYH JIER , 林錫璋 , LIN, XI ZHANG , 陳建璋 , CHEN, CHIEN CHANG , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH
IPC分类号： A61N2/02
CPC分类号： A61N2/02 , A61N2/004

4. 发明专利

TW201410290A 深度磁場產生裝置审中-公开
简体标题：深度磁场产生设备
公开(公告)号：TW201410290A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101133801
申请日：2012-09-14
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY , 財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：戴政祺 , TAI, CHENG CHI , 黃世杰 , HUANG, SHYH JIER , 林錫璋 , LIN, XI ZHANG , 陳建璋 , CHEN, CHIEN CHANG , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH
IPC分类号： A61N2/02
CPC分类号： A61N2/02 , A61N2/004
摘要：一種深度磁場產生裝置包含一第一線圈單元以及一第二線圈單元。第二線圈單元與第一線圈單元連接，並水平環繞第一線圈單元。藉由上述設計，本發明之深度磁場產生裝置可產生一深度磁場。
简体摘要：一种深度磁场产生设备包含一第一线圈单元以及一第二线圈单元。第二线圈单元与第一线圈单元连接，并水平环绕第一线圈单元。借由上述设计，本发明之深度磁场产生设备可产生一深度磁场。

5. 发明专利

TWI647654B 術前規劃設備以及術前規劃方法有权
简体标题：术前规划设备以及术前规划方法
公开(公告)号：TWI647654B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106138518
申请日：2017-11-07
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：楊思華 , YANG, SZU-HUA , 陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： G06Q50/22 , A61B18/18

6. 发明专利

TW201720224A 微波加熱處理裝置审中-公开
简体标题：微波加热处理设备
公开(公告)号：TW201720224A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138646
申请日：2015-11-20
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：曾坤三 , ZENG, KUN-SA , 許哲彰 , HSU, CHE-CHANG , 陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG
IPC分类号： H05B6/74
摘要：一種微波加熱處理裝置包含一加熱腔、至少一微波源及複數個攪拌器，該加熱腔具有一微波加熱空間，該微波源用以提供微波至該微波加熱空間中，該些攪拌器可轉動地設置於該微波加熱空間中，該些攪拌器用以反射微波，各該攪拌器具有複數個攪拌扇葉，其中各該攪拌扇可於該微波加熱空間中擺動，使各該攪拌扇葉與該攪拌器之一垂直軸之間的一夾角角度改變，以使加熱腔中的駐波位置改變，進而提高加熱之均勻度及效率。
简体摘要：一种微波加热处理设备包含一加热腔、至少一微波源及复数个搅拌器，该加热腔具有一微波加热空间，该微波源用以提供微波至该微波加热空间中，该些搅拌器可转动地设置于该微波加热空间中，该些搅拌器用以反射微波，各该搅拌器具有复数个搅拌扇叶，其中各该搅拌扇可于该微波加热空间中摆动，使各该搅拌扇叶与该搅拌器之一垂直轴之间的一夹角角度改变，以使加热腔中的驻波位置改变，进而提高加热之均匀度及效率。

7. 发明专利

TWI647451B 硬度測量設備以及硬度測量方法有权
简体标题：硬度测量设备以及硬度测量方法
公开(公告)号：TWI647451B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106137884
申请日：2017-11-02
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：楊思華 , YANG, SZU-HUA , 陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： G01N27/80 , G01N27/04

8. 发明专利

TW201819846A 薄膜量測設備以及薄膜量測方法审中-公开
简体标题：薄膜量测设备以及薄膜量测方法
公开(公告)号：TW201819846A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105137585
申请日：2016-11-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 戴政祺 , TAI, CHENG-CHI
IPC分类号： G01B7/06
摘要：本發明提供一種薄膜量測設備包括第一感測模組、第二感測模組以及處理裝置。薄膜量測設備用以非接觸式量測多層薄膜。第一感測模組以及第二感測模組分別用以產生交變磁場，並且分別感測多層薄膜對應產生的磁場變化。處理裝置具有參數資料庫。處理裝置依據第一感測模組以及第二感測模組的感測結果取得多層薄膜的第一阻抗值以及第二阻抗值。處理裝置依據第一阻抗值、第二阻抗值以及參數資料庫執行厚度運算操作以取得多層薄膜的第一厚度值以及第二厚度值。另外，一種薄膜量測方法亦被提出。
简体摘要：本发明提供一种薄膜量测设备包括第一传感模块、第二传感模块以及处理设备。薄膜量测设备用以非接触式量测多层薄膜。第一传感模块以及第二传感模块分别用以产生交变磁场，并且分别传感多层薄膜对应产生的磁场变化。处理设备具有参数数据库。处理设备依据第一传感模块以及第二传感模块的传感结果取得多层薄膜的第一阻抗值以及第二阻抗值。处理设备依据第一阻抗值、第二阻抗值以及参数数据库运行厚度运算操作以取得多层薄膜的第一厚度值以及第二厚度值。另外，一种薄膜量测方法亦被提出。

9. 发明专利

TWI619928B 薄膜量測設備以及薄膜量測方法有权
简体标题：薄膜量测设备以及薄膜量测方法
公开(公告)号：TWI619928B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105137585
申请日：2016-11-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 戴政祺 , TAI, CHENG-CHI
IPC分类号： G01B7/06
CPC分类号： G01B7/10 , G01B7/105 , H05K1/028 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K3/4644 , H05K3/467 , H05K2201/0154

10. 发明专利

TWI548848B 微波加熱乾燥裝置有权
简体标题：微波加热干燥设备
公开(公告)号：TWI548848B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104138655
申请日：2015-11-20
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 李宗信 , LEE, TSUNG-HSIN , 曾坤三 , ZENG, KUN-SA
IPC分类号： F26B23/08

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